【半导体激光芯片】公司聚焦半导体激光领域，始终专注于半导体激光芯片的研发、设计及制造，主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品等，逐步实现高功率半导体激光芯片的国产化。公司紧跟下游市场发展趋势，不断开发具有领先性的产品、创新优化生产制造工艺、布局建设生产线，已形成由半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器构成的四大类、多系列产品矩阵，成为半导体激光行业的垂直产业链公司。公司产品可广泛应用于：光纤激光器、固体激光器及超快激光器等光泵浦激光器、直接半导体激光输出加工应用、激光智能制造装备、国家战略高技术、科学研究、医学美容、激光雷达、机器视觉定位、智能安防、消费电子、3D传感与摄像、人脸识别与生物传感等领域。
更新时间：2024-03-20 07:59:48
【拟合设单峰光子公司】2024年3月，为进一步拓宽公司的产品应用领域，提升公司的综合实力和市场竞争力，发挥公司产业平台孵化功能和加速科技成果转化落地，公司全资子公司研究院拟与自然人阚强先生、高跃科技、单峰创业共同投资设立苏州单峰光子科技有限责任公司（暂定名），以共同推动激光传感与精密测量芯片技术开发及其在工业、医疗、量子等领域的产业化发展。单峰光子注册资本共计500万元，其中研究院拟出资125万元，持有单峰光子25%的股权。公司本次与关联方共同投资是为了拓宽公司产品的应用领域，深化光芯片的应用场景，通过与合作方的强强联合全面开展光芯片在特殊传感及精密测量领域的技术研究及产品推广，符合公司“一平台、一支点、横向扩展、纵向延伸”的战略，进一步夯实公司面向未来的业务基础。
更新时间：2024-03-20 07:59:46
【拟3000万-6000万回购股份】2024年3月，公司董事长、总经理闵大勇先生提议公司使用超募资金和自有资金通过集中竞价交易方式回购公司已发行的部分人民币普通股（A股）股票，本次回购的股份拟在未来用于实施员工持股计划或股权激励，具体用途由公司董事会依据有关法律法规决定。回购股份的资金总额不低于人民币3,000万元（含），不超过人民币6,000万元（含），具体以董事会审议通过的回购股份方案为准；回购价格不高于公司董事会通过回购股份决议前30个交易日公司股票交易均价的150%，具体以董事会审议通过的回购股份方案为准；回购期限：自董事会审议通过本次回购股份方案之日起6个月内。
更新时间：2024-03-05 07:55:50
【蓝光芯片可应用于激光直写光刻机领域】2023年9月13日公司在互动平台披露：公司布局的蓝光芯片可应用于激光直写光刻机领域。
更新时间：2023-09-18 15:01:26
【发布光通信芯片】2023年7月，公司在投资者调研报告中披露，公司发布56GPAM4EML光通信芯片，进入光芯片高端市场。公司发布的单波100Gbps(56Gbaud四电平脉冲幅度调制(PAM4))电吸收调制器激光二极管(EML)芯片，支持四个波长的粗波分复用(CWDM)，达到了使用4颗芯片实现400Gbps传输速率，或8颗芯片实现800Gbps传输速率的应用目标。另，2023年6月，公司在异动公告中披露，针对光通信芯片，公司已建立了包含外延生长、光栅制作、条形刻蚀、端面镀膜、划片裂片、特性测试、封装筛选和芯片老化的完整工艺线，具备光通信芯片的制造能力。
更新时间：2023-07-31 08:02:02
【车载激光雷达芯片】车载激光雷达芯片产品顺利通过车规级AEC-Q102认证，加上去年12月份通过的IATF16949质量体系认证，公司已成为汽车厂商合规可靠的车载激光雷达芯片供应商。作为全球少数几家具备6吋线外延、晶圆制造等关键制程生产能力的IDM半导体激光器企业，公司在车载雷达芯片的设计、生产和品质管理上，始终坚持高标准、严要求。除车载雷达用VCSEL激光器芯片外，公司还积极布局开发车载EEL边发射激光器及1550nm光纤激光器的泵浦源产品，随着项目的推进，将进一步巩固长光华芯全套激光雷达光源方案提供商的市场地位。
更新时间：2023-07-31 08:01:26
【进军可见光领域】公司进军可见光领域，填补国内在氮化镓蓝绿光激光器领域产业化的空白。全资子公司苏州半导体激光创新研究院与中科院苏州纳米所成立“氮化镓激光器联合实验室”，为拓展氮化镓材料体系的蓝绿激光方向奠定了基础。并与团队合资成立苏州镓锐芯光科技有限公司，目前该公司研制的绿光激光器光功率已达1.2W，处于国际先进水平。大功率蓝光激光器光功率已达7.5W，达到国际一流水平。相关产品已进入可靠性验证阶段，明年一季度可向市场推出产品。
更新时间：2023-07-31 07:58:24
【产品可扩展性】公司具备技术平台后，未来应用层面可以横向扩展，而在最擅长的高功率领域则可以深挖打通产业链，实现纵向扩展。在现有材料技术平台上即可进行应用扩展，从大功率市场走向小功率信号市场；其次，新的氮化镓平台开发完成后，可以直接打开可见光激光市场乃至部分无线通信、电功率芯片市场；现有材料平台中，磷化铟平台主要面向光通信，包括发射端和接收端，目前公司已经在两端均提供了量产产品，且未来产品线有望进一步丰富。砷化镓平台方面，公司也已经推出各种信号处理方向产品，目前产品主要集中在激光雷达与3D传感器的发射端，包括消费电子使用的结构光探测器VSL（VCSELStructuredLight）系列、车载激光雷达使用的75WVCSELVLR系列等。
更新时间：2023-06-27 14:39:01
【布局创新资源生态链】公司的全资子公司苏州半导体激光创新研究院，一方面承担研发职能，例如激光创新研究院与中科院苏州纳米所合作成立“氮化镓激光器联合实验室”；另一方面该机构也是新型半导体材料相关的孵化和直投机构，有望为公司发展新型半导体材料发挥助力作用。对于非公司体内业务或较为长期的布局业务，公司则筹备成立光子产业基金用以带动社会资本，发挥杠杆效应。公司作为光子产业发起及骨干公司推动成立太湖光子中心的创建。产业链协同方面，公司通过参股公司等方式运作。例如：公司持股19.55%的公司华日精密主要经营固体及超快激光器，应用在精密微加工领域，与公司形成良好的产业链协同效应。
更新时间：2023-06-27 14:38:23
【研发及制造工艺平台】公司已建成3吋、6吋半导体激光芯片量产线，拥有了一套从外延生长、晶圆制造、封装测试、可靠性验证相关的设备，并突破了晶体外延生长、晶圆工艺处理、封装、测试的关键核心技术及工艺。目前3吋量产线为半导体激光行业内的主流产线规格，而6吋量产线为该行业内最大尺寸的产线，相当于是硅基半导体的12吋量产线。大部分工艺环节达到了生产自动化。公司采用IDM模式进行半导体激光芯片的研发、生产与销售，掌握半导体激光芯片核心制造工艺技术关键环节，已建成3吋及6吋半导体激光芯片量产线，构建了GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）、GaN（氮化镓）三大材料体系，建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台，具备各类以GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）、GaN（氮化镓）为衬底的半导体激光芯片的制造能力。
更新时间：2023-06-27 14:37:49
【行业地位】经过多年的研发和产业化积累，针对半导体激光行业核心的芯片环节，公司已建成覆盖芯片设计、外延生长、晶圆处理工艺（光刻）、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合等IDM全流程工艺平台和3吋、6吋量产线，应用于多款半导体激光芯片开发，突破一系列关键技术，是少数研发和量产高功率半导体激光芯片的公司之一。同时，依托公司高功率半导体激光芯片的技术优势，公司业务横向扩展，建立了高效率VCSEL激光芯片和高速光通信芯片两大产品平台，另外公司业务向下游延伸，开发器件、模块及终端直接半导体激光器，上下游协同发展，公司在半导体激光行业的综合实力逐步提升。公司高亮度单管芯片和光纤耦合输出模块、高功率巴条和叠阵等产品，在功率、亮度、光电转换效率、寿命等方面屡次突破，获多项专利，与全球先进水平同步。
更新时间：2023-06-27 14:36:42
【拟建先进化合物半导体光电子平台项目】2022年12月，公司签订了《苏州科技城管理委员会与苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司项目投资合作协议》，拟计划根据项目进程，合理分期投资自有资金及自筹资金10亿元在太湖科学城建设先进化合物半导体光电子平台项目（包括生产中心、研发中心和动力站及配套设施建设，设备采购及后期运营等），形成年产1亿颗芯片、500万器件的能力，具备氮化镓、砷化镓、磷化铟等激光器和探测器芯片的产线建设及器件封装能力，具备其他高功率半导体激光器芯片等功率芯片研发、封测能力（包括6-8寸器件封测生产线建设）。项目计划2023年开工，2025年建成投产，本项目预计年产值不低于6亿元，年纳税额3410万元。本次投资的项目内容有利于提升公司的产品供应能力，进一步巩固和扩大公司的市场份额；有利于完善公司光电子产业链布局；有利于公司与地方政府实现优势互补、互惠。
更新时间：2022-12-28 07:57:58
【哈勃投资参股】2021年1月哈勃投资以货币出资人民币7600.00万元，其中新增股本为人民币506.5004万元，溢价部分7093.50万元人民币计入资本公积。哈勃投资因供应安全战略需要，故以战略投资者的身份增资入股，哈勃投资本次增资价格为15.0049元/股。截至招股意向书签署日，哈勃投资的股权结构如下：华为投资控股有限公司出资额300000.00万元，出资额占比100%。
更新时间：2022-10-26 11:17:53
【募资投向】公司募集资金扣除发行费用后将按轻重缓急顺序投资于以下项目：高功率激光芯片、器件、模块产能扩充项目，总额59933.25万元，项目建成投产后，项目达产年营业收入116848.68万元，投资回收期为6.45年（静态、含建设期），税后投资内部收益率为18.32%，税后净现值为11361.02万元；垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）及光通讯激光芯片产业化项目，总额30504.81万元，项目建成投产后，项目达产年营业收入28774.34万元，投资回收期为6.17年（静态、含建设期），税后投资内部收益率为19.50%，税后净现值为7476.12万元；研发中心建设项目，总额14365.51万元；补充流动资金，总额30000.00万元。
更新时间：2022-03-15 12:06:00