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宏微科技(688711)股票综合信息查询

 
沪深个股板块DDE历史数据查询:    
 
◆最新指标 (2024年三季报)◆
每股收益(元)        :0.0190
目前流通(万股)     :21288.42
每股净资产(元)      :5.1010
总 股 本(万股)     :21288.42
每股公积金(元)      :2.8087
营业收入(万元)     :97968.91
每股未分配利润(元)  :1.2341
营收同比(%)        :-13.72
每股经营现金流(元)  :0.3573i
净利润(万元)       :404.09
净利率(%)           :-0.03
净利润同比(%)      :-95.28
毛利率(%)           :15.37
净资产收益率(%)    :0.35
◆上期主要指标◆◇2024中期◇
每股收益(元)        :0.0118
扣非每股收益(元)  :-0.0143
每股净资产(元)      :5.1367
扣非净利润(万元)  :-304.09
每股公积金(元)      :2.7788
营收同比(%)       :-16.72
每股未分配利润(元)  :1.2269
净利润同比(%)     :-95.98
每股经营现金流(元)  :0.2694
净资产收益率(%)   :0.22
毛利率(%)           :15.72
净利率(%)         :-0.06
◆ 公司概要 ◆

证监会行业:

行业:

制造业->电气、电子及通讯->计算机、通信和其他电子设备制造业

电子设备

入选理由:公司自设立以来一直从事IGBT、FRED为主的功率半导体芯片、单管和模块的设计、研发、生产和销售,并为客户提供功率半导体器件的解决方案,IGBT、FRED单管和模块的核心是IGBT和FRED芯片,公司拥有诸多具有一定先进性的相关知识产权。公司主营业务中的单管完全采用自研芯片,模块产品以自研芯片为主,外购芯片为辅。IGBT、FRED作为功率半导体器件的主要代表,是电气与自动化、电力传输与信息通信系统中的核心器件。目前,公司产品已涵盖IGBT、FRED、MOSFET芯片及单管产品80余种,IGBT、FRED、MOSFET、整流二极管及晶闸管等模块产品300余种,公司产品应用于工业控制(变频器、伺服电机、UPS电源等),新能源发电(光伏逆变器)、电动汽车(电控系统和充电桩)等多元化应用领域,公司产品性能与工艺技术水平处于行业先进水平。

所属
地域:

主营业务:
题材概念: 太阳能
入选理由:公司主要取得的研发成果如下:(1)SiC二极管研发成功并实现小批量供货;(2)第六代IGBT芯片,实现了多个电流电压规格的拓展,助力了多款模块产品的迭代;(3)第七代IGBT芯片,实现了25A小批量交付、完成了150A、200A的拓展;(4)第七代FRED芯片,成功开发了一款75A规格,产品小批量应用于光伏领域;(5)成功开发了一款低温度变化率、低恢复损耗的100A1000VFWD芯片,产品小批量应用于光伏领域;(6)成功开发了一款三相六单元750V400AIGBT模块,产品批量应用于电动汽车领域;(7)成功开发了一款HPD封装820A750V三相半桥灌封IGBT模块,产品批量应用于电动汽车领域;(8)成功开发了一款双BOOST1200V50AIGBT模块产品批量应用于光伏领域;(9)成功开发了一款T型三电平1200V80AIGBT模块,通过工控领域客户单体测试认证。
增持回购
入选理由:公司公告股东有增持或者回购行为
融资融券
入选理由:公司是融资融券标的个股
充电桩
入选理由:公司自设立以来一直从事IGBT、FRED为主的功率半导体芯片、单管和模块的设计、研发、生产和销售,并为客户提供功率半导体器件的解决方案,IGBT、FRED单管和模块的核心是IGBT和FRED芯片,公司拥有诸多具有一定先进性的相关知识产权。公司主营业务中的单管完全采用自研芯片,模块产品以自研芯片为主,外购芯片为辅。IGBT、FRED作为功率半导体器件的主要代表,是电气与自动化、电力传输与信息通信系统中的核心器件。目前,公司产品已涵盖IGBT、FRED、MOSFET芯片及单管产品80余种,IGBT、FRED、MOSFET、整流二极管及晶闸管等模块产品300余种,公司产品应用于工业控制(变频器、伺服电机、UPS电源等),新能源发电(光伏逆变器)、电动汽车(电控系统和充电桩)等多元化应用领域,公司产品性能与工艺技术水平处于行业先进水平。
新能源车
入选理由:公司主要取得的研发成果如下:(1)SiC二极管研发成功并实现小批量供货;(2)第六代IGBT芯片,实现了多个电流电压规格的拓展,助力了多款模块产品的迭代;(3)第七代IGBT芯片,实现了25A小批量交付、完成了150A、200A的拓展;(4)第七代FRED芯片,成功开发了一款75A规格,产品小批量应用于光伏领域;(5)成功开发了一款低温度变化率、低恢复损耗的100A1000VFWD芯片,产品小批量应用于光伏领域;(6)成功开发了一款三相六单元750V400AIGBT模块,产品批量应用于电动汽车领域;(7)成功开发了一款HPD封装820A750V三相半桥灌封IGBT模块,产品批量应用于电动汽车领域;(8)成功开发了一款双BOOST1200V50AIGBT模块产品批量应用于光伏领域;(9)成功开发了一款T型三电平1200V80AIGBT模块,通过工控领域客户单体测试认证。
半导体
入选理由:公司自设立以来一直从事IGBT、FRED为主的功率半导体芯片、单管和模块的设计、研发、生产和销售,并为客户提供功率半导体器件的解决方案,IGBT、FRED单管和模块的核心是IGBT和FRED芯片,公司拥有诸多具有一定先进性的相关知识产权。公司主营业务中的单管完全采用自研芯片,模块产品以自研芯片为主,外购芯片为辅。IGBT、FRED作为功率半导体器件的主要代表,是电气与自动化、电力传输与信息通信系统中的核心器件。目前,公司产品已涵盖IGBT、FRED、MOSFET芯片及单管产品80余种,IGBT、FRED、MOSFET、整流二极管及晶闸管等模块产品300余种,公司产品应用于工业控制(变频器、伺服电机、UPS电源等),新能源发电(光伏逆变器)、电动汽车(电控系统和充电桩)等多元化应用领域,公司产品性能与工艺技术水平处于行业先进水平。
华为概念
入选理由:2023年1月,公司官网披露,宏微科技荣获比亚迪(002594)集团全资子公司弗迪动力有限公司“优秀供应商”称号。宏微科技主要为比亚迪海豹、海豚、元PLUS系列车型提供GV车规级IGBT,为比亚迪秦EV、比亚迪元EV系列车型提供GWB车规级IGBT。另,2021年10月,公司在互动平台表示,经过较长时间的技术开发与多维度可靠性验证,公司相关产品质量技术指标达到客户要求,公司现已成为华为技术光伏逆变器的的供应商之一。
芯片概念
入选理由:公司自设立以来一直从事IGBT、FRED为主的功率半导体芯片、单管和模块的设计、研发、生产和销售,并为客户提供功率半导体器件的解决方案,IGBT、FRED单管和模块的核心是IGBT和FRED芯片,公司拥有诸多具有一定先进性的相关知识产权。公司主营业务中的单管完全采用自研芯片,模块产品以自研芯片为主,外购芯片为辅。IGBT、FRED作为功率半导体器件的主要代表,是电气与自动化、电力传输与信息通信系统中的核心器件。目前,公司产品已涵盖IGBT、FRED、MOSFET芯片及单管产品80余种,IGBT、FRED、MOSFET、整流二极管及晶闸管等模块产品300余种,公司产品应用于工业控制(变频器、伺服电机、UPS电源等),新能源发电(光伏逆变器)、电动汽车(电控系统和充电桩)等多元化应用领域,公司产品性能与工艺技术水平处于行业先进水平。
IGBT概念
入选理由:公司主要取得的研发成果如下:(1)SiC二极管研发成功并实现小批量供货;(2)第六代IGBT芯片,实现了多个电流电压规格的拓展,助力了多款模块产品的迭代;(3)第七代IGBT芯片,实现了25A小批量交付、完成了150A、200A的拓展;(4)第七代FRED芯片,成功开发了一款75A规格,产品小批量应用于光伏领域;(5)成功开发了一款低温度变化率、低恢复损耗的100A1000VFWD芯片,产品小批量应用于光伏领域;(6)成功开发了一款三相六单元750V400AIGBT模块,产品批量应用于电动汽车领域;(7)成功开发了一款HPD封装820A750V三相半桥灌封IGBT模块,产品批量应用于电动汽车领域;(8)成功开发了一款双BOOST1200V50AIGBT模块产品批量应用于光伏领域;(9)成功开发了一款T型三电平1200V80AIGBT模块,通过工控领域客户单体测试认证。
第三代半导体
入选理由:随着第三代功率半导体器件,如SiC和GaN器件日益成熟并走向市场,功率半导体的技术发展朝着晶圆尺寸更大,芯片功率密度更高,损耗更低,集成度更高以及封装体积更紧凑,高可靠性更高的方向发展。在光伏发电以及电动汽车等产业发展的带动下,国内功率半导体产业得到了蓬勃发展并推动了众多关键技术的突破。在这些领域中,除了IGBT器件得到了广泛的应用和拓展,SiC器件由于高转换效率、高开关频率、高应用结温等自身优势和特点,也越来越多地得到了认可和应用。公司在SiC芯片和封装方面也进行了布局,相关的SiC模块已经批量应用于新能源行业。
逆变器
入选理由:公司自设立以来一直从事IGBT、FRED为主的功率半导体芯片、单管和模块的设计、研发、生产和销售,并为客户提供功率半导体器件的解决方案,IGBT、FRED单管和模块的核心是IGBT和FRED芯片,公司拥有诸多具有一定先进性的相关知识产权。公司主营业务中的单管完全采用自研芯片,模块产品以自研芯片为主,外购芯片为辅。IGBT、FRED作为功率半导体器件的主要代表,是电气与自动化、电力传输与信息通信系统中的核心器件。目前,公司产品已涵盖IGBT、FRED、MOSFET芯片及单管产品80余种,IGBT、FRED、MOSFET、整流二极管及晶闸管等模块产品300余种,公司产品应用于工业控制(变频器、伺服电机、UPS电源等),新能源发电(光伏逆变器)、电动汽车(电控系统和充电桩)等多元化应用领域,公司产品性能与工艺技术水平处于行业先进水平。
碳化硅
入选理由:随着第三代功率半导体器件,如SiC和GaN器件日益成熟并走向市场,功率半导体的技术发展朝着晶圆尺寸更大,芯片功率密度更高,损耗更低,集成度更高以及封装体积更紧凑,高可靠性更高的方向发展。在光伏发电以及电动汽车等产业发展的带动下,国内功率半导体产业得到了蓬勃发展并推动了众多关键技术的突破。在这些领域中,除了IGBT器件得到了广泛的应用和拓展,SiC器件由于高转换效率、高开关频率、高应用结温等自身优势和特点,也越来越多地得到了认可和应用。公司在SiC芯片和封装方面也进行了布局,相关的SiC模块已经批量应用于新能源行业。
比亚迪概念
入选理由:2023年1月,公司官网披露,宏微科技荣获比亚迪(002594)集团全资子公司弗迪动力有限公司“优秀供应商”称号。宏微科技主要为比亚迪海豹、海豚、元PLUS系列车型提供GV车规级IGBT,为比亚迪秦EV、比亚迪元EV系列车型提供GWB车规级IGBT。另,2021年10月,公司在互动平台表示,经过较长时间的技术开发与多维度可靠性验证,公司相关产品质量技术指标达到客户要求,公司现已成为华为技术光伏逆变器的的供应商之一。
风格概念: 中盘
入选理由:以总市值为参考标准,公司满足市值介于大盘股与小盘股之间
◆控盘情况◆


 
2024-09-30
2024-06-30
2024-03-31
2023-12-31
股东人数    (户)
9111
9312
10035
9887
流通A股股东总数
-
-
-
-
人均持流通股(股)
23365.6
18676.4
12384.8
12570.2
点评:
2024年三季报披露,前十大股东持有8703.77万股,较上期减少80.87万股,占总股本比40.89%,主力控盘强度一般。
截止2024年三季报合计5家机构,持有2639.54万股,占流通股比12.40%;其中无公募基金持有该股。
股东户数9111户,上期为9312户,变动幅度为-2.1585%
由于不同基金 、上市公司报表公布时间各有不同,在基金、上市公司报表披露期间,数据会有所变动。基金在一、三季报不披露全部持仓,因此中报/年报统计更为准确。
◆概念题材◆

点击下列板块名称,查看个股与板块相关性


【主营功率半导体芯片、单管和模块】公司自设立以来一直从事IGBT、FRED为主的功率半导体芯片、单管和模块的设计、研发、生产和销售,并为客户提供功率半导体器件的解决方案,IGBT、FRED单管和模块的核心是IGBT和FRED芯片,公司拥有诸多具有一定先进性的相关知识产权。公司主营业务中的单管完全采用自研芯片,模块产品以自研芯片为主,外购芯片为辅。IGBT、FRED作为功率半导体器件的主要代表,是电气与自动化、电力传输与信息通信系统中的核心器件。目前,公司产品已涵盖IGBT、FRED、MOSFET芯片及单管产品80余种,IGBT、FRED、MOSFET、整流二极管及晶闸管等模块产品300余种,公司产品应用于工业控制(变频器、伺服电机、UPS电源等),新能源发电(光伏逆变器)、电动汽车(电控系统和充电桩)等多元化应用领域,公司产品性能与工艺技术水平处于行业先进水平。
更新时间:2024-06-03 14:45:28

【与客户A签订产能保障协议】2023年8月,公司与客户A签订了产能保障协议,合同标的为公司生产的模块产品,合同规定月供应量按各年度期初月实际产能供货,且不超过20万块/月。合同签订初期,本合同约定产品实际产能已达到10万块/月,目前处于爬坡状态,尚未达到20万块/月。合同履行期限:2023年9月至2026年7月。本合同属于公司日常经营相关合同,本合同的签订充分体现了公司的技术实力,有利于公司主营业务的发展,若本合同顺利履行,预计将会对公司未来业绩产生积极影响,有利于提升公司的持续盈利能力和核心竞争力。
更新时间:2023-08-22 08:48:32

【拟发行可转债募资不超4.5亿元】2023年6月,公司发行可转换公司债券获得证监会同意注册批复。本次发行可转债总额不超过人民币45,000.00万元(含本数),拟发行数量为不超过450万张(含本数),具体募集资金数额由公司股东大会授权董事会(或由董事会授权人士)在上述额度范围内确定。本次募资扣除发行费用后的募集资金净额将全部用于车规级功率半导体分立器件生产研发项目(一期)。该项目计划总投资50,732.54万元,项目建成后,将形成年产车规级功率半导体器件240万块的生产能力,助力公司深化主营业务发展,显著提升收入规模和盈利水平,强化公司市场地位,从而保持市场竞争优势。
更新时间:2023-07-12 15:39:29

【新产品研发进展】公司主要取得的研发成果如下:(1)SiC二极管研发成功并实现小批量供货;(2)第六代IGBT芯片,实现了多个电流电压规格的拓展,助力了多款模块产品的迭代;(3)第七代IGBT芯片,实现了25A小批量交付、完成了150A、200A的拓展;(4)第七代FRED芯片,成功开发了一款75A规格,产品小批量应用于光伏领域;(5)成功开发了一款低温度变化率、低恢复损耗的100A1000VFWD芯片,产品小批量应用于光伏领域;(6)成功开发了一款三相六单元750V400AIGBT模块,产品批量应用于电动汽车领域;(7)成功开发了一款HPD封装820A750V三相半桥灌封IGBT模块,产品批量应用于电动汽车领域;(8)成功开发了一款双BOOST1200V50AIGBT模块产品批量应用于光伏领域;(9)成功开发了一款T型三电平1200V80AIGBT模块,通过工控领域客户单体测试认证。
更新时间:2023-07-12 15:39:23

【第三代功率半导体器件领域】随着第三代功率半导体器件,如SiC和GaN器件日益成熟并走向市场,功率半导体的技术发展朝着晶圆尺寸更大,芯片功率密度更高,损耗更低,集成度更高以及封装体积更紧凑,高可靠性更高的方向发展。在光伏发电以及电动汽车等产业发展的带动下,国内功率半导体产业得到了蓬勃发展并推动了众多关键技术的突破。在这些领域中,除了IGBT器件得到了广泛的应用和拓展,SiC器件由于高转换效率、高开关频率、高应用结温等自身优势和特点,也越来越多地得到了认可和应用。公司在SiC芯片和封装方面也进行了布局,相关的SiC模块已经批量应用于新能源行业。
更新时间:2023-07-12 15:39:12

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◆成交回报(单位:万元)◆

交易日期:2021-11-03 披露原因:连续三个交易日内,涨幅偏离值累计达30%的证券

当日成交量(万手):2.99 当日成交额(万元):45896.06 成交回报净买入额(万元):-147.98

买入金额最大的前5名
营业部或交易单元名称买入金额(万元) 卖出金额(万元)
中国国际金融股份有限公司上海黄浦区湖滨路证券营业部3680.972844.14
国联证券股份有限公司上海邯郸路证券营业部2557.700
华泰证券股份有限公司总部2512.412647.92
机构专用2454.620
中信证券股份有限公司北京北苑证券营业部2150.502402.77
买入总计: 13356.20 万元

卖出金额最大的前5名
营业部或交易单元名称买入金额(万元) 卖出金额(万元)
机构专用03217.99
中国国际金融股份有限公司上海黄浦区湖滨路证券营业部3680.972844.14
华泰证券股份有限公司总部2512.412647.92
中信证券股份有限公司北京北苑证券营业部2150.502402.77
中国中金财富证券有限公司北京宋庄路证券营业部02391.36
卖出总计: 13504.18 万元

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