碳化硅概念股龙头股&碳化硅板块成分股

2024年4月23日公司在互动平台披露：公司目前针对SiC器件结构和SiC材料等领域的研发已展现成效，陆续推出车规级的SiC器件和内置SiC电源芯片等产品，均适用于目前新能源汽车400v/800v电压等级应用。公司在功率器件方面技术积累较为深厚，已推出车规级1200V SiC MOSFET和1700v SiC电源芯片；公司集成GaN产品已在充电应用上量产，智能GaN工业类应用已在推广中。

公司全资子公司合肥高纳半导体科技有限责任公司主要从事第三代半导体SiC单晶生长和设备研发、SiC衬底加工、SiC外延生产销售。公司重点研发和生产第三代半导体材料碳化硅晶体，目前有8英寸电阻炉和电感炉10台。公司将继续加快碳化硅晶体的研制工作，力争尽快实现小规模量产，同时进行衬底加工生产线的建设及其研发、验证和小规模量产。公司在碳化硅制程相关设备成立了专门的研发团队，为未来市场化布局核心技术和竞争力。

公司已经具备氮化镓通信基站射频芯片与器件、微波点对点通信射频芯片与器件批量生产能力并不断推进自动化产线建设，相关产品的产能和供货能力较强。公司是国内较早开展SiC功率半导体的研究生产单位之一，在生产的第三代半导体产品上已拥有多项专利，现有SiC功率模块包括650V、1200V和1700V等系列产品，主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，未来拟攻关高压SiC功率模块领域，进一步抢占行业技术高地，在智能电网、动力机车、轨道交通等高压、超高压领域抢占市场份额，实现对IGBT功率模块的部分替代。国联万众的碳SiC功率产品质量及稳定性得到比亚迪、珠海零边界等主要客户的认可，在终端市场具有技术先进性和充分竞争力。

2023年6月16日，公司实际控制人周彤、LI TONG夫妇与苏州辰隆数字科技有限公司签署《股份转让协议》，公司与辰隆数字签署了《战略合作框架协议》，通过协议转让引入投资方辰隆数字，辰隆数字向公司积极引入碳化硅模组模块、新能源相关产品等业务，主要应用领域涉及新能源汽车、光伏、储能等新能源产业。

在第三代半导体器件方面，公司SiC功率器件产品主要包括SiC MOSFET和SiC SBD（肖特基势垒二极管），SiC MOSFET导通电阻小，开关损耗低，工作温度范围宽，阈值电压一致性好，可广泛用于新能源汽车及配套、工业照明、大功率电源、高可靠领域等，公司产品目前以高可靠领域应用为主。SiC SBD可广泛用于新能源汽车及配套、大功率电源、逆变器、高可靠领域等，公司产品目前以高可靠领域应用为主。公司加大SiCMOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发，2023年与国内晶圆代工厂合作开发了1200V、1700V SiC MOSFET的生产工艺平台，其中1200V SiC MOSFET工艺平台已成功进入中试阶段。

公司生产的碳化硅单晶炉主要应用于6-8英寸碳化硅单晶衬底，具有结构设计模块化、占地小、高精度控温控压、生产工艺可复制性强、高稳定性运行等特点。公司碳化硅单晶炉包含PVT感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等类别产品，下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备：①在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片，可进一步制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，下游应用领域主要包括新能源汽车（主驱逆变器、车载充电机（OBC）、车载电源转换器、充电桩、UPS等）、光伏发电（光伏逆变器）、工业、家电、轨道交通、智能电网、航空航天等；②在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片，可制成HEMT等微波射频器件，下游应用领域主要包括5G通信、卫星、雷达等。

公司为了应对激烈的市场竞争，不断加大新产品研发力度，逐步实现从面向消费类电子市场为主调整为面向新能源、工业、汽车等新领域为主，具体情况如下：8英寸生产线：2023年IGBT和FRD等新工艺平台产品通过了国内头部车企客户的可靠性认证，实现了稳定量产，公司产品正式进入车规级市场。MOS、BCD等工艺平台持续稳定量产，良率保持在98%以上；12英寸生产线：2023年内完成首款高密度功率器件产品的可靠性认证，良率持续提升；第二款产品完成样品开发并提交客户可靠性验证，正在小批量流水；6英寸SiC生产线：本年度SiC基业务板块稳步发展，1200VSiCMOS器件产品已产出合格样品，各项参数合格，提交客户验证。

公司紧抓半导体行业快速发展的趋势，加速半导体行业设备的市场推广，尤其在碳化硅领域，德龙激光从碳化硅晶圆激光划片设备、退火设备拓展至切片设备。碳化硅晶锭激光切片技术主要面向碳化硅晶锭的分片环节，材料损耗小，加工效率高，设备运行无需耗材，加工成本低，可最大支持8英寸晶锭分切、最大切割速度800mm/s。相比于传统金刚丝切割工艺，材料耗损少，晶片产出高，良率可控，切割效率也具有较大优势。

公司积极布局基于第三代功率半导体SiC材料的功率器件领域。2023年末，公司已开发出SiC二极管，并发明具有自主知识产权的Si2CMOSFET。其中，Si2CMOSFET已通过客户的验证并实现小批量供货，应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等，实现了对采用传统技术路线的SiCMOSFET的替代，市场前景广阔。报告期内，公司研究开发的基于18V~20V驱动平台的1200VSiCMOSFET完成自主设计流片和可靠性评估工作，同时，基于15V驱动平台的SiCMOSFET已经进入内部验证阶段。公司致力于发展全球客户，目前在欧洲市场进展良好，产品送测认证至电动工具、新能源汽车车载充电机、工业电源、工业控制、家电、工业照明等领域，并实现了批量出货。

公司生产的碳化硅衬底是一种由碳和硅两种元素组成的化合物半导体单晶材料，具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点，可有效突破传统硅基半导体器件及其材料的物理极限，开发出更适应高压、高温、高功率、高频等条件的新一代半导体器件。全球宽禁带半导体材料及器件正处于快速发展期，产品广泛应用于5G通信、轨道交通、新能源汽车及充电桩、新能源、储能、大数据中心、工控等下游领域，应用领域非常广泛。在“碳达峰、碳中和”的大背景下，绿色电力、储能、电动汽车等新能源行业迅猛发展，电气化和能源的高效利用推动碳化硅半导体行业快速发展。

广芯微电子和芯微泰克将联合为广大设计公司提供高性能硅基及碳化硅功率器件定制化代工+超薄片制程全套解决方案。

公司建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地，拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术。公司生产的全系列高可靠性IGBT产品打破了轨道交通和特高压输电核心器件由国外企业垄断的局面，目前正在解决我国新能源汽车、新能源发电装备的核心器件自主化问题。2023年，公司IGBT模块交付在轨交、电网领域市场份额大幅领先，占有率国内第一，新能源市场快速突破，根据NE时代统计数据，公司2023年新能源乘用车功率模块装机量达100.55万套市占率12.5%，排名第三,集中式光伏IGBT模块市占率快速提升，组串式模块实现批量供货，超精细沟槽7.5代STMOS+产品效率提升明显，达到国际领先水平，5MWIGBT制氢电源助力国内首个万吨级绿电制氢项目成功产氢，第三代1200VSiCMOSFET芯片达到国内先进水平，半导体三期项目迅速推进，宜兴产线已完成主体工程封顶。另，公司IGBT器件在柔性直流输电工程有应用。

公司在研的高可靠度第三代半导体光耦产品开发项目，进入小批量试验阶段。拟达到目标：1.氮化镓材料的芯片测试技术研究，形成测试工艺规范；2.研究并掌握车规级光耦的塑封技术，满足车规级产品可靠性需求；3.开发实现高可靠度第三代半导体BL817H系列产品达到2KK/月产能；4.全线成品率>98%；5.产品满足现有UL/VDE认证要求。另，2022年9月7日，公司在投资者互动平台表示，公司车规级生产线的中的功率器件包括功率二极管和功率三极管，其中，功率二极管部分包括碳化硅二极管，功率三极管部分包括碳化硅MOSFET。

随着第三代功率半导体器件，如SiC和GaN器件日益成熟并走向市场，功率半导体的技术发展朝着晶圆尺寸更大，芯片功率密度更高，损耗更低，集成度更高以及封装体积更紧凑，高可靠性更高的方向发展。在光伏发电以及电动汽车等产业发展的带动下，国内功率半导体产业得到了蓬勃发展并推动了众多关键技术的突破。在这些领域中，除了IGBT器件得到了广泛的应用和拓展，SiC器件由于高转换效率、高开关频率、高应用结温等自身优势和特点，也越来越多地得到了认可和应用。公司在SiC芯片和封装方面也进行了布局，相关的SiC模块已经批量应用于新能源行业。

红宇专汽为军民结合型企业，是河南省企业技术中心、工程研究中心、工程技术研究中心，高新技术企业、河南省技术创新示范企业、河南省创新型试点企业、获得河南省“AAA”级信誉企业认证。主要从事冷藏保温汽车（军用及民用）、爆破器材运输车（军用及民用）、医疗废物转运车、军用各类方舱等系列产品的研发、制造与销售，其爆破器材运输车市场占有率位居全国第一，冷藏保温车市场占有率位居全国前列。先后制定/修订国家标准和专用汽车行业标准几十项，部分领域内有一定话语权。另，2021年6月12日公司在互动平台披露：红宇专汽有生产疫苗冷链运输车。另外，公司的无人机消防专用车完成样机定型。

公司宽禁带半导体以中高端应用推广为主线，在宽禁带功率器件产品新兴赛道取得了技术和产业化的显著进步。碳化硅以及氮化镓功率产品不断迭代升级与丰富，产业化进程与品牌竞争力大幅提升。碳化硅二极管二代平台已完成650V、1200V全系列化产品开发，覆盖目前主流应用需求，产品在汽车电子OBC、充电桩、储能、光伏、大功率电源方面批量供应；碳化硅二极管三代平台开发进展顺利，Rsp等各项参数达到国际领先产品水平，预计2023年将实现产品系列化。SiCMOS电压覆盖650V/1200V/1700V，在新能源汽车OBC、光伏储能、工业电源等领域通过多个客户测试并批量出货。车规级SiCMOS和SiC模块研发工作进展顺利，已完成多款SiCMOS模块产品出样。碳化硅器件整体销售规模同比增长约2.3倍，投片量逐月稳步增加。氮化镓产品方面，650V和900V级联型氮化镓器件产品推向市场，营收实现快速增长，产品应用以PC电源、电机驱动、照明电源、手机快充为主。公司加快8吋氮化镓工艺优化与产品开发，并同步推进储能电源、光伏逆变器、工业电源、通讯电源的产品开发和规划。

公司积极布局第三代半导体碳化硅新材料产业，2020年参与北京天科合达半导体股份有限公司增资扩股，并在2021年持续加大了投资力度，目前公司已持有北京天科合达9.09%的股份，成为该公司第二大股东。2024年深圳第三代半导体材料产业园落成揭牌。该产业园是由北京天科合达半导体股份有限公司、深圳市重大产业投资集团等各方共同投资建立，将进一步补强深圳第三代半导体“虚拟全产业链（VIDM）”。公司新材料产业将具备一定规模，形成与新能源产业协同发展的格局。

湖南三安系国内为数不多的碳化硅产业链垂直整合制造平台，产业链包括晶体生长—衬底制备—外延生长—芯片制程—封装测试，产品已广泛应用于光伏、储能、新能源汽车、充电桩等领域，已拥有碳化硅配套产能16,000片/月，硅基氮化镓产能2,000片/月，合作意向及客户超800家。2023年，湖南三安碳化硅技术持续突破，6吋碳化硅衬底已实现国际客户的批量出货，8吋衬底外延工艺调试完成并向重点海外客户送样验证。截至2023年末，二极管已推出适用于光伏领域的G5代系产品，累计出货超2亿颗。公司将根据市场趋势与时俱进，立足产品研发，推动产能加速释放，加快推出8吋碳化硅衬底外延、高效高可靠性碳化硅二极管及2000V/1700V/1200V/650V全系列碳化硅MOSFET产品，持续为客户提供高品质产品和高质量服务，为扩大公司效益贡献力量。

公司半导体设备包括区熔单晶硅炉、碳化硅晶体生长设备、金刚石生长炉等，主要用于生产半导体相关材料。2023年度，公司半导体设备的研发和销售工作也在积极推进中，公司高端设备产品金刚石炉取得少量销售订单。2023年12月25日公司在互动平台披露：公司高端装备业务包括光伏设备和半导体设备，光伏设备包括软轴单晶硅炉、金刚线切片机等；半导体设备包括区熔单晶硅炉、碳化硅晶体生长设备等。公司生产的区熔单晶硅炉是“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”重大专项中硅单晶区熔设备研制的科研成果。

公司半导体行业产品为碳化硅半导体材料。公司主要生产导电型碳化硅衬底材料，为半导体器件制造的关键原材料，可广泛应用于功率器件，需求有望随着器件市场规模的增长而取得快速增长，根据Yole数据，2021年全球导电型碳化硅衬底市场规模为3.80亿美元，预计2027年将增长至21.6亿美元。

截至2023年12月31日，本公司对常州臻晶半导体有限公司（简称“常州臻晶”）持股比例9.2038%，根据投资协议，公司对常州臻晶已提名并派驻董事，能够对常州臻晶产生重大影响。常州臻晶主营第三代半导体碳化硅（SiC）液相法晶体研发、生产和销售。

公司晶体材料专用设备包括晶体生长炉和成套加工设备，应用领域从光伏、蓝宝石、压电晶体逐步扩展到半导体行业，产品类型涵盖了从晶体生长到晶体加工一系列应用设备，包括晶体生长炉、截断机、开方机、硅片研磨机等。蓝宝石和压电晶体设备确保公司在蓝宝石材料、压电材料方面的优势，不对外销售，仅限于自用。公司的晶体设备主要是单晶硅、蓝宝石等晶体的生长设备与切磨抛加工设备，近年来的主力是光伏设备。公司从2010年开始从事光伏单晶炉及相关成套设备的生产制造，由于公司单晶炉最初的设计理念是适用于电子级N型单晶的生长，技术起点高、结构设计先进，配置高端，自动化、集控化程度高，经过这几年来不断的技术迭代和自主创新。今年上半年推出了性价比合适的N型低氧型炉台，在保证大产能的前提下还能保证低的氧含量，未来在TOPCON电池技术不断加持的前提下，单晶炉市场未来可期。同时公司在硅棒加工领域推出了高效的开方机，该产品产出效率及精度高，一推出市场就受到市场的青睐，已接到头部企业的批量订单。

在高性能集成电路设计与制造领域，已建成由国家发改委立项建设的国内首条6吋化合物半导体生产线，芯片制程涵盖GaAs（砷化镓），GaN（氮化镓），SiC（碳化硅），应用覆盖微波射频及电力电子领域，经过多年发展，已经构建了化合物半导体产业链中最核心的芯片制造能力。公司在5G基站功放芯片，GaN（氮化镓）快充芯片，SiC（碳化硅）充电桩芯片性能上处于国内领先地位，并发布了自动驾驶汽车激光雷达5G毫米波芯片工艺制程，发布了适用于新能源充电桩高效电能转换的SiC（碳化硅）功率芯片制程。公司取得了IATF16949汽车行业质量管理体系认证证书，标志着公司化合物半导体芯片成功获得进入汽车领域的绿色通行证，进一步夯实了产品推广应用基础，为公司参与汽车行业市场竞争提供了有力保障。在科装领域，公司立足核心装备自主可控，突破关键技术瓶颈，攻克诸多卡脖子技术，定制芯片数百款，承担了众多国家级重大科研项目，为航空航天、卫星通讯等核心装备研制及量产提供必要技术支撑，公司的研发实力及芯片制造能力处于行业一流地位。

2023年10月20日公司在互动平台披露，子公司顶立科技在第三代半导体用关键材料与装备方面围绕“四高两涂一装备”的技术和产品布局，即高纯碳粉、高纯碳化硅粉、高纯碳纤维隔热材料、高纯石墨、碳化硅涂层石墨基座/盘、碳化钽涂层石墨构件和超高温石墨提纯装备。目前公司碳化钽产业化项目已建成投产，高纯碳粉已实现小批量生产。2022年8月1日公司在互动平台披露，子公司顶立科技生产的高纯碳粉少量试用于人造钻石的生产，高纯碳粉产品可用于制备碳化硅单晶材料、锂电池负极材料、人造钻石等。2023年2月18日公司在互动平台披露，子公司顶立科技的动力电池回收技术与设备可应用于新能源固态电池回收领域。2023年2月7日公司在互动平台披露，公司生产的精密铜带可用于电池极耳的生产制造，由于钠电池在回收方面与锂电池基本原理相同，子公司顶立科技的锂电池回收技术与设备也基本适用于钠电池回收。

2023年9月13日公司在互动平台披露，公司在半导体领域孵化了力合微、芯邦科技、瑞波光电等多个代表性企业，涵盖了通信芯片、存储芯片、激光芯片等细分赛道。力合微专注于电力线通信（PLC）技术和芯片的研发和生产；芯邦科技聚焦于存储控制芯片以及智能家居控制芯片的开发与应用；瑞波光电从事高端大功率半导体激光芯片的研发和生产。2022年11月17日公司在互动平台披露，公司在半导体领域孵化了芯海科技、基本半导体、博雅科技、芯邦科技等科技企业。其中，芯海科技是集感知、计算、控制、连接于一体的全信号链集成电路设计企业；基本半导体致力于碳化硅功率器件的研发与产业化；博雅科技致力于存储类芯片的设计研发；芯邦科技是移动储存和智能家居领域控制芯片的领军企业。

碳化硅是第三代化合物半导体材料。碳化硅因其优越的物理性能：高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率，将是未来最被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。公司碳化硅业务主要为 6 英寸导电型碳化硅衬底片的生产、销售。2023年报披露，公司已完成具有完全自主知识产权碳化硅晶体生长炉开发和定型工作，结合多年生长技术积淀，开发出晶体生长自动化控制软件，生长重复性高。公司根据晶体生长热力学、动力学及流体力学的基本原理，结合计算机辅助计算，设计并优化了晶体生长温场结构，晶体生长稳定性大幅提升。公司已研发出籽晶固定技术，晶体缺陷密度大幅降低，晶体质量稳步提高。2022年3月22日公司在互动易平台披露：公司生产的6英寸碳化硅衬底片可广泛应用于新能源汽车、5G 通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等现代工业领域。

公司多年来持续围绕电力电子技术进行上下游产业链投资，通过“并购+孵化”不断拓展业务领域。2023年公司新增参股公司9家，对外股权投资（剔除投资后合并报表的控股子公司）总金额为14,615万元；2023年因投资公司估值提升而获得公允价值变动收益、投资收益共2.76亿元。截至目前，公司对外股权投资（剔除投资后合并报表的控股子公司）的公司达到42家，累计对外股权投资金额为5.37亿元，累计获得公允价值重估收益、投资收益等合计6亿元，持续高效投资在获得业务协同的同时，投资收益也开始逐步显现。目前投资已涉及新一代碳化硅半导体材料、AR/VR光学模组、新一代加热陶瓷、工控解决方案、智能装备、纳米材料、射线源、储能、石油开采、新能源汽车热管理、高速高效电机、精密轴承、新能源车分布式动力、液压悬挂系统等方面的企业，其中部分企业已经取得非常好的进展，市场价值提升迅速。

2023年11月1日公司互动易披露：公司的碳化硅类产品主要包括应用于航空航天领域的陶瓷基复合材料产品，新能源/半导体用碳化硅涂层类产品等。目前，公司的碳化硅技术储备较为深厚，具备不同领域/复杂环境条件下产品的研制开发能力，处于国内先进水平。

公司具备完整的具有自主知识产权的半导体产品设计和制造技术，以及完整的前道（晶圆制程）技术、中道（芯片制程）技术、后道（封装测试）技术。公司拥有62项专利技术（其中12项发明专利）和多项专有技术，主持和参与起草多项行业标准。公司建有2个省级科研平台，积极开展产学研合作，持续跟踪碳化硅、氮化镓等第三代宽禁带半导体技术研发和应用。公司具有完全自主知识产权的大功率半导体脉冲开关技术达到国际领先水平，在国内重大前沿科技项目得到应用。

2021年9月30日公司在互动平台披露：公司子公司上海芯石研发团队在功率半导体器件方面具有丰富的研发经验，上海芯石已形成了与产品性能密切相关的IP共计63项，其中碳化硅产品领域5项，并成功开发了600V、1200V、1700V、3300V 的SiC-SBD产品。研发的第三代半导体产品中，已经通过代工方式实现了SiC-SBD产品的小批量销售，SiC-MOSFET目前研发工作已经进行进入尾声，已准备开展产线的投片验证工作,同时也正在开展对另一项重要的第三代半导体材料GaN相应器件产品的研发。2021年12月3日公司在互动平台披露：根据公司2021年7月9日披露的《关于公司与HuLu公司签订＜合作协议＞的公告》，出于公司长远发展需要，为加速实现公司在第三代半导体领域的产能规划，公司拟与合作伙伴合作建设一条月产能5000片的6英寸碳化硅生产线。

2024年3月，公司将“碳化硅单晶研发项目”及“光储一体化能源利用项目”预计达到可使用状态的时间延期一年至2025年3月，项目原定的实施主体、实施地点、募集资金用途及投资规模等其他事项保持不变；将“年产1,000吨高端精密硬质合金棒型材智能制造项目”预计达到可使用状态的时间延期至2025年12月。

公司成功掌握国际领先的超大尺寸蓝宝石晶体生长技术，实验室研发完成1000kg级超大尺寸蓝宝石晶体，并实现300Kg级及以上蓝宝石晶体、4英寸及以上尺寸蓝宝石晶片的规模化量产，实现技术和规模双领先。公司掌握6-8英寸碳化硅材料的生长及加工技术，并建设实施年产25万片6英寸及5万片8英寸碳化硅衬底的产业化项目，加速推进大尺寸碳化硅衬底材料的产业化进程。公司研发高纯石英坩埚、钨丝金刚线等产品，通过和核心耗材联合创新方式进一步提升综合竞争力。对半导体阀门、磁流体、专用风机、尾气处理装置等核心零部件进行研发，并建设规模化产能，自主解决部分设备零部件的供应链短板。公司高品质大尺寸石英坩埚在规模和技术水平上均达到了行业领先水平，在半导体和光伏领域取得了较高的市场份额；同时，公司在金刚线领域实现了差异化的技术突破，碳钢及钨丝金刚线进入规模化量产并实现批量销售。

2022年7月31日公司在互动易平台披露：公司在碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）材料及制造方面同样具有技术储备，但在8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）方面的技术储备与竞争力方面更为突出；公司GaN业务正常发展中，正在不断拓展产品品类、完善产业链环节；除不断迭代手机快充产品（如近期公司子公司聚能创芯克服高频应用下的串扰、EMI等问题，充分利用氮化镓的高频特性优势，基于全套自研氮化镓器件，推出了两款300KHz高频氮化镓快充的参考设计，实现更小尺寸、更优性能、更具竞争力）外，正积极为智能家电、5G基站、数据中心、新能源汽车、光伏逆变器等领域储备相关技术及产品。

2021年8月3日公司在互动平台披露：公司有生产碳化硅，基本都使用在公司密封产品中。

2023年3月3日公司在互动易平台披露：公司有与基本半导体相关公司合作碳化硅项目，主要是针对碳化硅芯片及模块在电机控制器的相关应用及测试研究，以期共同完成碳化硅模块在新能源汽车上的推广。

2022年8月12日公司在互动易平台回复“公司碳化硅产业做的怎么样”，答“公司项目相关产品的研发工作正常进行中”。