IGBT概念股龙头股&IGBT板块成分股

近年来，公司管理层积极落实功率半导体研发、设计和销售，产品市场定位为光伏逆变器、储能和车规级市场，实现公司多层次收入，2022年公司已完成部分MOSFET、IGBT和IGBT模块等功率半导体方面的研发，进一步在数字能源，物联网等领域扩充产品线，搭建半导体产业生态。

2024年6月5日公司在互动易平台披露：公司控股子公司福赛宏仁生产的新能源三电嵌件主要涉及电驱、电控IGBT模块，电流传感器等产品，应用于新能源汽车领域电控、电机、电池等“三电”技术领域，围绕嵌入式注塑成型工艺提供产品技术解决方案。

公司IGBT功率模块部件产品系IGBT功率模块中的框架及盖板（不含芯片），为多个功率模块或功率电子模块的功率器件提供物理防护、提供电气绝缘和大电流传输功能，达到车规级标准，搭载芯片后可直接应用于新能源电驱控制器逆变器、IGBT功率模块和驱动电桥，实现电能和机械能的转换。

功率控制包含IGBT、MOSFET（包含SiC）芯片及模组：中低压MOSFET产品覆盖车载、工控、消费多个领域，电压平台覆盖12V~200V,高压MOSFET多次外延及深沟槽工艺两个平台，产品应用于OBC、充电桩、光伏等领域。持续推动IGBT晶圆产品产能上量至8万片/月，8英寸产线总产能上量至17万片/月；12英寸晶圆产品设计产能1万片/月（等效8英寸产能2.25万片/月）；SiCMOSFET已大规模进入量产，出货至年底已上量5000片/月以上，3年时间已开发三代产品，第二代芯片产品进入量产，助力国产新能源汽车快速发展。

2023年2月7日公司在互动平台披露：公司目前主要开发了IGBT功率半导体相关的晶圆、辅料及相关工装的贴装及组装设备，公司将持续积累相关应用技术、积极拓展半导体相关设备的业务。

公司与合肥经开区管委会签署《投资协议书》在经开区内投资博敏陶瓷衬板及IC封装载板产业基地项目，该项目投资总额约50亿元人民币，建设IGBT陶瓷衬板及IC封装载板生产基地，主要从IGBT陶瓷衬板，以及针对存储器芯片、微机电系统芯片、高速通信市场及MiniLED领域的封装载板产品。2023年6月29日，公司在合肥设立了全资子公司合肥博睿智芯微电子有限公司，注册资本5亿元。

公司为了应对激烈的市场竞争，不断加大新产品研发力度，逐步实现从面向消费类电子市场为主调整为面向新能源、工业、汽车等新领域为主，具体情况如下：8英寸生产线：2023年IGBT和FRD等新工艺平台产品通过了国内头部车企客户的可靠性认证，实现了稳定量产，公司产品正式进入车规级市场。MOS、BCD等工艺平台持续稳定量产，良率保持在98%以上；12英寸生产线：2023年内完成首款高密度功率器件产品的可靠性认证，良率持续提升；第二款产品完成样品开发并提交客户可靠性验证，正在小批量流水；6英寸SiC生产线：本年度SiC基业务板块稳步发展，1200VSiCMOS器件产品已产出合格样品，各项参数合格，提交客户验证。

公司推出了最先进一代的SplitGateTrenchMOSFET技术和产品，显著降低了导通电阻以及反转电容，降低器件开关损耗，产品涵盖30V/40V导通内阻覆盖0.75mΩ-40mΩ、60-80V产品导通内阻覆盖2mΩ-10mΩ等系列，广泛应用于电机、电源管理、PD接口等领域；IGBT采取业界领先的Trench+FieldStop技术，具有极大的电流密度和优异的抗冲击能力，产品涵盖600V产品覆盖电流5A-100A，1200V产品覆盖电流15-75A和1350V专为电磁加热优化的15/25A的RC-IGBT等系列，应用于变频家电、工业变频、储能逆变、汽车等领域，同时公司借助自有MCU+IGBT资源，开发了整套户外电源方案；公司的新一代CSPMOS，采取专利设计，具有性能优良（短路过流、雪崩过压、抗机械压力等能力强）、可靠性好的优势；同时采取专利工艺，降低对材料和设备的要求，实现国产自主，突破8寸线产能限制，可在12寸线上生产，该产品覆盖导通内阻1.8mΩ-20mΩ全系列，满足常见单节锂电池保护功能。公司功率器件芯片实现量产出货，出货数量近亿颗，实现销售收入近1000万元，预计2023年将有较大幅度增长；同时丰富了公司的产品线，提升了公司一站式整体解决方案的能力。

公司还为客户提供相关的配套设备。智能在线监控系统基于智能算法无损评价焊接状态的变化，可有效检测超声波焊接过程中虚焊和过焊等焊接不良问题；运用自动化系统技术设计的胎面提升机等轮胎成型机改造装置，能够更好地实现轮胎生产线的自动化运转；针对锂电池生产设计的电芯折弯装置和极耳裁切设备，用于软包电池生产中的模组装配工序；等离子除尘设备可实现自动多次往返移动吹扫，主要用于IGBT功率模块的除尘。

公司在二极管/晶体管、ESD和中低压MOSFET等传统产品线保持一向稳健的市场表现，为公司贡献了稳定的现金流，有力支撑了公司在中高压MOSFET、IGBT、GaN、SiC和更多的模拟IC产品的研发。在三代半领域，公司实现了GaN产品D-M系列产品工业和消费领域的销售，同时E-M产品通过所有测试认证，于2024年开始销售，奠定了安世在GaN领域的行业地位；公司实现了SiC整流管的工业消费级的量产和MOSFET的工业消费级的测试验证，为2024年SiC工业和消费的量产打下了坚实的基础，SiC MOSFET产品线的建立，让公司进入三代半1200V高压市场，拓展新的增长空间。公司实现了IGBT模组平台和产品的测试认证，PMIC系列产品的测试认证并实现量产，这标志公司半导体业务的BCD平台和产品线正式进入市场，开拓了新的蓝海。此外，2023年荷兰政府批准公司半导体业务收购NOWI公司，将在IoT应用方面为公司带来新的增长空间。在投入研发的同时，公司通过与行业合作伙伴合作提升产品创新能力，发挥协同作用，推动技术能力升级，确保产品的长期稳定供应，为公司在三代半领域的持续发展拓展更大空间。

森未科技IGBT器件系列产品全面采用沟槽栅+场截止技术，覆盖600-1700V以及低、中、高频应用领域，对标全球IGBT龙头英飞凌的同类芯片产品。其中，模块提供多种封装形式，H类、D类、F类、B类等，可实现与国际主流厂商的PINTOPIN替换；单管提供TO-220F、TO-247、TO-247plus、TO-264等多种封装形式。产品应用于工业变频、高频感应加热、特种电源、新能源汽车、新能源发电市场。报告期，森未科技已成功发布多款第七代沟槽栅+场截止技术产品，具备更低损耗、更高性能、更高密度，成功应用在充电桩，光伏逆变器等市场；积极布局第三代功率半导体，成功发布SiCSBD产品，并向车用SiCMosfet系列产品延展。

在汽车电子领域，公司设有专门的汽车电子事业中心，通过整合集团车规市场，销售，技术，生产等优势资源，搭建汽车芯片封装整体解决方案平台，站在客户视角，充分理解客户，满足客户需求，以此规划和运营汽车电子业务，依托多年持续耕耘的封装技术，积极与Tire1/OEM厂商建立战略伙伴关系，并制定多样化产品路线图，为客户提供更多样，更有价格竞争力的车规芯片封测解决方案，持续扩大业务版图，实现在汽车电子领域的迅速拓展，产品类型已覆盖智能座舱、智能网联、ADAS、传感器和功率器件等多个应用领域。公司已加入国际AEC汽车电子委员会，是中国大陆第一家进入的封测企业。公司海内外六大生产基地工厂全部通过IATF16949认证（汽车行业质量管理体系认证）。本报告期，公司于上海临港成立合资公司长电汽车电子，并进一步联合产业基金二期、上海国资经营公司、上海基金二期等向长电汽车电子增资至48亿元，在上海临港新片区加速打造大规模高度自动化的生产车规芯片成品的先进封装基地。

芯微泰克项目自2022年11月开始动工建设，2023年5月完成主体厂房封顶，12月27日实现投产通线。2024年以来，已有十多家客户在芯微泰克进行IGBT、SGT、特种功率及IC等产品的背道工艺试样验证，芯微泰克已于今年3月份开始批量生产，其一期产能规划为6英寸晶圆5万片/月、8英寸晶圆1.5万片/月。

公司目前生产的汽车电子类产品目前主要应用于新能源汽车电子智能网联化系统及三电系统领域，如ECU载体、电磁阀、传感器组件、各类功能性电机刷架，包括天窗刷架、摇窗刷架、座椅刷架等、电子真空泵组件、电子水泵组件、IGBT功能承载模块、薄膜电容载体等产品。在汽车电子业务方面，公司成熟掌握了精密模具开发、高复杂度的多次镶嵌注塑成型工艺和自动化装配技术，如成功开发并量产定制化IGBT功能承载模块，传统塑胶中集成了160多个金属元器件，全自动化生产，与车规级半导体相配套，并首次切入新能源汽车高压业务领域。展望未来，公司将重点围绕新能源汽车电子三电领域积极开发高度集成化的电子部品，不断开拓市场，提高市场竞争能力。

2023年，公司转换TGBT(创新型 IGBT产品)竞争策略，加大TGBT大功率产品研发投入力度，积极拓展除微型逆变器及储能之外的其他光储、电站应用场景，并配合终端IGBT模块厂商进行电站、新能源汽车主驱的客户导入、产品验证工作，获得最终客户的好评。公司E系列高速TGBT产品被批量应用于60kHz频率电源系统，实现高速IGBT领域的国产替代。L系列TGBT实现了极低的Vcesat，对国外的超低VcesatIGBT实现了替代。此外，公司TGBT产品在300KW以上的大功率储能应用领域亦进入认证阶段。公司研发的基于TGBT技术的高速大电流功率器件600/650VHybrid-FET开发成功，出货量迅速增加，其高性能得到了市场的认可。公司1200V第二代TGBT技术在效率与成本方面都得到了进一步提升，开发出1200V100A、140A和150A单管产品，可以替换国际领先的1200V产品。

公司集研发、生产、销售于一体，专业致力于功率半导体硅片、芯片及器件设计、制造、封装测试等中高端领域的产业发展。公司主营产品主要分为三大板块，具体包括材料板块（单晶硅棒、硅片、外延片）、晶圆板块（5吋、6吋、8吋等各类电力电子器件芯片）及封装器件板块（MOSFET、IGBT、SiC系列产品、整流器件、保护器件、小信号及其他产品系列等）。产品广泛应用于汽车电子、清洁能源、5G通讯、安防、工业、消费类电子等诸多领域，为客户提供一站式产品、技术、服务解决方案。公司注册地址为江苏扬州维扬经济开发区。

公司与奥迪签署合作谅解备忘录，共同开发面向中国市场的多款全新智能电动车型；与通用汽车整合优势资源，在上汽通用新设软件及数字化中心；与清陶能源成立合资公司，加快推进半固态及全固态电池的技术研发和产业化落地。公司还与OPPO、地平线等企业在“生态域”、大算力芯片等领域，继续深化战略合作，并与湖南大学、上海大学等共建“重点实验室”，在整车先进制造技术、智能网联汽车网络安全等领域深入开展校企合作。公司参与投资了上汽英飞凌汽车功率半导体(上海)有限公司。

2021年12月20日公司在互动平台上披露：IGBT作为功率半导体器件被广泛应用于电力电子行业，目前公司生产的部分产品（如变频器、有源滤波装置）也涉及IGBT。2020年8月3日公司在互动平台上披露：公司IGBT产品主要为电力电子产品中的高压变频器。

公司建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地，拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术。公司生产的全系列高可靠性IGBT产品打破了轨道交通和特高压输电核心器件由国外企业垄断的局面，目前正在解决我国新能源汽车、新能源发电装备的核心器件自主化问题。2023年，公司IGBT模块交付在轨交、电网领域市场份额大幅领先，占有率国内第一，新能源市场快速突破，根据NE时代统计数据，公司2023年新能源乘用车功率模块装机量达100.55万套市占率12.5%，排名第三,集中式光伏IGBT模块市占率快速提升，组串式模块实现批量供货，超精细沟槽7.5代STMOS+产品效率提升明显，达到国际领先水平，5MWIGBT制氢电源助力国内首个万吨级绿电制氢项目成功产氢，第三代1200VSiCMOSFET芯片达到国内先进水平，半导体三期项目迅速推进，宜兴产线已完成主体工程封顶。另，公司IGBT器件在柔性直流输电工程有应用。

公司提供半导体全制程耗材解决方案和封装一站式材料完整解决方案和产品矩阵。公司现有产品主要由晶圆加工过程材料和半导体封装制程材料组成，包括：应用于晶圆制造CMP工序的胶带产品、应用于功率晶圆背金工艺的FRD 6寸的研磨胶带、应用于晶圆划片PO/PVC基材UV减粘胶、应用在QFN引线框架保护的耐高温胶带、应用于先进封装模封用途的ETFE离型膜及模具清洁的Cleanning Rubber等。公司已布局产品有：①布局先进封装材料，包括bump类BG胶带，封装ETFE离型膜、DAF膜、CMP过程材料；②被动元器件材料，包括可替代传统热减粘胶带的冷剥离胶带等。2023年内，公司的产品组合已完善，客户导入进展顺利，2024年有望进入高速增长期。2022年，公司半导体材料业务主要产品包括：①晶圆加工过程材料；②半导体封装制程材料；③IGBT散热电路板材料等。

公司主要取得的研发成果如下：（1）SiC二极管研发成功并实现小批量供货；（2）第六代IGBT芯片，实现了多个电流电压规格的拓展，助力了多款模块产品的迭代；（3）第七代IGBT芯片，实现了25A小批量交付、完成了150A、200A的拓展；（4）第七代FRED芯片，成功开发了一款75A规格，产品小批量应用于光伏领域；（5）成功开发了一款低温度变化率、低恢复损耗的100A1000VFWD芯片，产品小批量应用于光伏领域；（6）成功开发了一款三相六单元750V400AIGBT模块，产品批量应用于电动汽车领域；（7）成功开发了一款HPD封装820A750V三相半桥灌封IGBT模块，产品批量应用于电动汽车领域；（8）成功开发了一款双BOOST1200V50AIGBT模块产品批量应用于光伏领域；（9）成功开发了一款T型三电平1200V80AIGBT模块，通过工控领域客户单体测试认证。

相比于去年同期，2023年变动较大。随着整体经济环境的变化以及季节气温的回暖等，2023年内光伏储能海外市场的需求出现部分下滑，同时国内外IGBT产品供应商的产能增加，市场的供需关系发生一定变化。面对市场现状，公司一方面保持与阳光电源、固德威、德业股份、上能电气、锦浪科技、正泰电源等头部客户的紧密合作，及时了解市场波动及客户需求情况，提供更具性价比的合作方案；另一方面加强新产品的开发，积极推动更多大电流单管IGBT和模块产品的放量进度，在保证光伏储能领域的国产IGBT单管龙头地位的同时，推动公司的IGBT模块产品在光伏储能领域的快速推广。预计2024年光伏储能需求会有所回暖，将有力支撑公司业绩的进一步向好。

公司在功率半导体领域围绕着装备的国产化和自动化进行布局，一方面不断丰富功率模块的各类测试设备，匹配功率模块研发和产线测试需求；另一方面借助自动化的配套能力提升公司产品竞争力，向封测装备领域延展。功率半导体测试及智能制造装备产品线包括IGBT动态测试系统、IGBT静态测试系统、功率器件热特性测试系统以及自动化测试工作站、自动化封测产线整体解决方案等。

2020年3月27日公司在互动平台披露：公司所拥有的专利名称为“一种用于 IGBT 并联均流电路的滤波电感”，主要应于逆变器产品的研发、生产。逆变器是把直流电能（电池、蓄电瓶）转变成定频定压或调频调压交流电的转换器，广泛应用于汽车、轮船和飞机等交通工具上，为交流电器提供电源，也可以在无电或停电情况下与其他发电设备一起为用户提供交流电源，还可以应用于消防应急电源、便携大容量移动电源上。 该专利技术，主要是采用两个磁芯串联产生较高的电感值，满足对大电感值的使用需求。通过磁芯的互感作用，实现了IGBT并联电路的均流，提高了IGBT的工作可靠性，避免器件损坏，从而提高可靠性，为大功率逆变器提供稳定输出保障。

2020年8月，公司及全资子公司福建平潭元初投资有限公司（简称“平潭元初”）与上海众挺智能科技有限公司（简称“众挺智能”）签署了《合资协议书》，各方将就IGBT芯片及模组生产项目以合资公司的形式开展合作。本项目产品包括DISCRETE、IPM、PIM等封装的工业级、车规级IGBT及使用碳化硅及氮化镓材料的IGBT（最前沿的IGBT半导体材料技术），还可根据客户需求定制各类工业级及车规级IGBT，重点应用于高端制造、新能源（风电、光伏发电）、轨道交通、新能源汽车、国防军工等领域。本项目一期工程计划投资3条生产线，预计投资额为4.5亿元人民币。第一条生产线预计在合资公司设备到厂后6个月实现量产。

2022年，市场结构持续升级，产品在头部车企以及多家Tier1企业实现大批量供货，汽车领域的销售额占比由2021年2.9%增长至22%；加强光伏、储能、充电桩、UPS等优质工控市场的推广力度，各市场领域获得头部客户验证并实现量产，工控市场销售额占比由21%增长至43%；工业焊机、UPS、充电桩、光伏、工控和汽车电子市场销售占比达到85%；消费领域的销售额占比由2021年22%下降至15%。IGBT模块2022年实现量产，公司推出多款变频器模块并实现量产，同时，推出650V/450A光伏模块，在多家光伏客户送样验证。

公司主营业务是以IGBT和SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售。公司总部位于浙江嘉兴，在上海、重庆、欧洲设有子公司，并在国内和欧洲均设有研发中心。公司长期致力于IGBT、快恢复二极管、MOSFET等功率芯片的设计和工艺及IGBT、SiC MOSFET等功率模块的设计、制造和测试，公司的产品广泛应用于工业控制和电源、新能源、新能源汽车、白色家电等领域。IGBT被称为电力电子行业里的“CPU”，广泛应用于新能源、新能源汽车、电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子等领域。2023年，公司生产的应用于主电机控制器的车规级IGBT模块持续放量，合计配套超过200万套新能源汽车主电机控制器。公司在车用空调，充电桩，电子助力转向等新能源汽车半导体器件份额进一步提高。

新材料业务为单晶硅产品的研发、生产和销售，主要产品包括光伏级的直拉单晶硅棒及硅片，半导体级的区熔单晶硅棒及硅片。其中，光伏级单晶硅片包括G12、G12R、M10等多种规格，下游客户主要是行业内主流的电池及组件企业；半导体级区熔单晶硅棒及硅片包括5吋以下、6吋、8吋等规格，区熔单晶硅产品可满足IGBT、可控硅等大功率电子器件的应用需求。2023年内，公司乐山、乌海的拉晶基地以及无锡的切片基地均平稳运行。募投项目方面，公司稳步推进乐山二期的实施。2023年12月，公司为进一步降低募集资金投资风险，保证募投项目最终顺利完成并符合公司未来发展目标，公司决定将募投项目的预计投产时间延期至2024年12月。截至目前，乐山二期的单晶炉已全部安装完毕，其他配套设备的安装也在有序推进中，乐山二期项目达产后，公司硅片总产能将超过40GW，可全部用于生产N型硅片。2023年，公司销售光伏单晶硅片约31亿片，其中N型硅片的出货比例不断增长，产品规格也更加多元化，以更好地满足客户需求。

公司是集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的IDM型国家级高新技术企业。公司拥有4英寸、5英寸、6英寸与8英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线，芯片加工能力每年400万片，封装资源每年24亿支，模块每年2,400万块。公司拥有160余项专利，核心技术国内领先，达到国际同行业先进水平。目前已形成以IPM和PM模块、宽禁带半导体、IGBT、MOS、FRD、SBD、SCR及BJT等为营销主线的系列产品，覆盖了功率半导体器件的全部范围，广泛应用于新能源汽车、光伏、变频、工业控制、消费类电子等战略性新兴领域。

2023年报披露，4500V/3000A IGBT在张北延庆换流站挂网，1700V及1200V IGBT器件在客户端实现批量应用，1200V碳化硅器件在光伏、充电桩等领域规模化应用。国内首套海上风电柔直控保系统在江苏如东投入运行。完成德国北海海上风电柔性直流输电项目换流阀和耗能装置样机试制。自主研制的12MW海上全功率风电变流器应用于百万千瓦级大容量风机粤电阳江青洲海上项目，首批机组实现一次性上电并网成功。瑞腾系列产品推广至27家网省公司。新型台区智能融合终端、新一代智能新能源全景监控终端、移动式边缘计算装置实现推广应用。

2023年，公司IGBT（包括IGBT器件和PIM模块）的营业收入已达到14亿元，较去年同期增长140%以上。基于公司自主研发的V代IGBT和FRD芯片的电动汽车主电机驱动模块，已在比亚迪、吉利、零跑、广汽、汇川、东风、长安等国内外多家客户实现批量供货；公司用于汽车的IGBT器件（单管）、MOSFET器件（单管）已实现大批量出货，公司用于光伏的IGBT器件（成品）、逆变控制模块、SiC MOS器件也实现批量出货。同时，公司应用于汽车主驱的IGBT和FRD芯片已在国内外多家模块封装厂批量销售，并在进一步拓展客户和持续放量过程中。公司已完成第Ⅲ代平面栅SiC-MOSFET技术的开发，性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。基于公司自主研发的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块，已通过部分客户测试，已在2024年一季度开始实现批量生产和交付，预计全年应用于汽车主驱的碳化硅PIM模块的销售额将达到10亿元人民币。公司正在加快汽车级IGBT芯片、SiC-MOSFET芯片和汽车级功率模块（PIM）产能的建设。

2022年2月15日公司在互动平台披露：比亚迪半导体已成为国内自主可控的车规级IGBT领导厂商。同时，在工业级IGBT领域，比亚迪半导体的产品下游应用包括工业焊机、变频器、家电等，将为其带来新的增长点。

公司主营功率半导体器件的研发、制造、销售及服务，主要产品为大功率晶闸管、整流管、IGBT、电力半导体模块、脉冲功率开关等功率半导体器件，广泛应用于电气控制系统和工业电源设备，包括冶金铸造、电机驱动、电机节能、大功率电源、网络能源、智能电网、轨道交通、新能源等行业和领域。公司采用垂直整合（IDM）一体化的经营模式，具备自主技术的芯片设计、制程、封装、测试完整产业链及研发中心；产品销售采取直营销售和区域经销相结合的模式，营销渠道通畅，市场地位稳定。另，公司注册地址为湖北省襄阳市襄城区胜利街162号。

IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极结型晶体管)和MOS(金属-氧化物场效应晶体管)组成的复合全控型-电压驱动式功率半导体器件,融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，BJT饱和压降低及载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，被称为是电力电子装置的“CPU”，高效节能减排的主力军。

2022年7月6日公司在互动易平台披露：公司与英飞凌经过长达两年的测试合作，率先成熟使用英飞凌最新推出的 750 V车规级分立式IGBT EDT2器件。该产品符合车规级半导体分立器件应力测试标准AECQ101，相比650V的IGBT分立器件具有更高的电流密度、超低饱和压降和出色的并联性能，进一步提高了公司现有方案的可靠性，增强驱动系统产品的竞争力。

2021年8月5日公司在互动平台披露，公司的IGBT产品从2019年开始向客户供货，现已完成31款型号的研发，受客户产品试验认证等影响，目前仍处于小批量供货阶段。公司暂时没有计划开发车规级IGBT产品，公司IGBT产品目前应用领域为特种行业。2022年5月9日公司在互动平台披露，公司IGBT芯片可应用于新能源车。

公司控股的无锡维赛公司主营大功率半导体功率器件与集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销。该公司开发和生产的主导产品为半导体功率器件和功率集成电路：高低压MOSFET、第五代大功率IGBT(600V—6500V)芯片及模块、光控大功率发射级关断晶闸管(ETO，4500V/4000A)等领域。

2021年12月20日公司在互动易平台披露：公司有自主研发MOSFET及IGBT等部分产品。

2022年5月26日公司在互动平台披露，公司半导体区熔产品被广泛应用于IGBT产品方向。国内市场占有率超过80%，国外市场占有率超过18%，位居全球第二。2021年12月14日公司在互动平台披露，公司半导体材料业务以全系列的产品覆盖面为客户提供优质的解决方案，提升自身能力与品牌形象，有序的推动公司产品对IGBT、MEMS、Sensor、BCD、PMIC、CIS、Logic、Memory等各类芯片的覆盖。公司半导体区熔产品被广泛应用于IGBT产品方向，2020年以来抓住了Power、IGBT由8英寸向12英寸转型机会，实现重点项目突破并量产，已成为该领域国内领先和国际先进的供应商，公司产品所做的IGBT产品在车规级还是工业级的市场均有覆盖，产品能够应用于高铁、新能源汽车、工业装备等方面。