IGBT是指绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor），是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。它是电力电子器件中技术最为先进、市场前景广阔的电子元器件。
注：显示所有成份股披露的最新一期业绩预告