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C恒运昌(688785)股票综合信息查询

 
沪深个股板块DDE历史数据查询:    
 
◆最新指标 (2026年1月IPO后)◆
每股收益(元)        :1.3527
目前流通(万股)     :1272.77
每股净资产(元)      :32.2992
总 股 本(万股)     :6770.17
每股公积金(元)      :27.5620
营业收入(万元)     :40131.37
每股未分配利润(元)  :3.4898
营收同比(%)        :-5.79
每股经营现金流(元)  :0.5960i
净利润(万元)       :9157.67
净利率(%)           :22.82
净利润同比(%)      :-23.73
毛利率(%)           :48.35
净资产收益率(%)    :12.61
◆上期主要指标◆◇2025中期◇
每股收益(元)        :1.3700
扣非每股收益(元)  :1.2756
每股净资产(元)      :14.7800
扣非净利润(万元)  :6476.31
每股公积金(元)      :9.2316
营收同比(%)       :--
每股未分配利润(元)  :4.2157
净利润同比(%)     :--
每股经营现金流(元)  :-0.1876
净资产收益率(%)   :9.70
毛利率(%)           :49.01
净利率(%)         :22.81
◆ 公司概要 ◆

证监会行业:

行业:

制造业->专用、通用及交通运输设备->专用设备制造业->电子和电工机械专用设备制造

电器机械

入选理由:公司是国内领先的半导体设备核心零部件供应商,主要从事等离子体射频电源系统、等离子体激发装置、等离子体直流电源、各种配件的研发、生产、销售及技术服务,并引进真空获得和流体控制等相关的核心零部件,围绕等离子体工艺提供核心零部件整体解决方案。如果把芯片制造比喻成版画艺术品的高科技复刻,那么产生及控制等离子体的等离子体射频电源系统就是这场高科技复刻的“指挥家”。等离子体射频电源系统通过精确控制电流频率和功率,指挥着半导体制造过程中的等离子体变化,确保在晶圆表面精确、均匀地沉积出薄膜层、精细地刻蚀出复杂图形和去除光刻胶等。等离子体由于具有独特的光、热、电物理特性以及高活性、高能量的特点,为半导体精密制造提供了不可替代的工艺基础。如今等离子体工艺广泛应用于薄膜沉积、刻蚀、离子注入、清洗去胶、键合等芯片制造的重要环节,并随着先进封装技术的发展应用于更多工艺环节中。随着芯片结构的不断复杂化、半导体工艺制程的持续演进,等离子体工艺的关键作用将愈发凸显。

所属
地域:

主营业务:
题材概念: 次新股
入选理由:公司上市日期为2026年1月28日,公司主营:主要从事等离子体射频电源系统、等离子体激发装置、等离子体直流电源、各种配件的研发、生产、销售及技术服务,并引进真空获得和流体控制等相关的核心零部件,围绕等离子体工艺提供核心零部件整体解决方案。
半导体
入选理由:等离子体射频电源系统是半导体设备零部件国产化最难关卡之一,技术壁垒高、研发投入大、研发周期长、生产的“精确复制”要求极高,因而国产化率极低。根据弗若斯特沙利文统计,2024年中国大陆半导体领域等离子体射频电源系统的国产化率不足12%,属于被“卡脖子”最严重的环节之一。公司聚焦于等离子体射频电源系统的技术攻关,历经十年,先后推出CSL、Bestda、Aspen三代产品系列,成功打破了美系两大巨头MKS和AE长达数十年在国内的垄断格局。公司Bestda系列和最新一代产品Aspen系列均已通过验证并量产,其中Bestda系列可支撑28纳米制程,最新一代产品Aspen系列可支撑7-14纳米先进制程,并已达到与MKS、AE次新一代产品同等的性能指标。2023年,公司最新一代的Aspen系列等离子体射频电源和Basalt系列匹配器已经随拓荆科技新一代P系列薄膜沉积设备、中微公司新一代N系列刻蚀设备交付国内头部晶圆厂,目前已经进入晶圆生产的正式验证。
中芯国际概念
入选理由:目前公司是国内极少数实现批量交付半导体级等离子体射频电源系统的企业,公司已实现对拓荆科技、中微公司、北方华创、微导纳米、盛美上海等国内头部半导体设备商的批量供货。除半导体设备企业外,公司也已通过中芯国际、长江存储等国内龙头终端晶圆厂的准入审核。此外,公司还在积极推进其他多款等离子体射频电源、匹配器、远程等离子源的后续验证工作,以期建立更为密切的合作关系。
专精特新
入选理由:截至报告期末,公司拥有已授权发明专利108项,在申请发明专利133项。公司是国家高新技术企业、中国集成电路零部件创新联盟理事单位、国家专精特新重点“小巨人”、国家专精特新“小巨人”、“科创中国”射频开关电源创新基地、广东省2024年制造业单项冠军、广东省射频开关电源工程技术研究中心,并获得第六届中国集成电路创新联盟“IC创新奖”、广东省真空科技进步一等奖、2024年“湾芯奖”之“核心零部件创新奖”、中芯国际“零部件模组战略供应商”、拓荆科技“超卓伙伴奖”和“最佳交付奖”、微导纳米“最佳合作奖”等荣誉。
半导体设备
入选理由:等离子体射频电源系统是半导体设备零部件国产化最难关卡之一,技术壁垒高、研发投入大、研发周期长、生产的“精确复制”要求极高,因而国产化率极低。根据弗若斯特沙利文统计,2024年中国大陆半导体领域等离子体射频电源系统的国产化率不足12%,属于被“卡脖子”最严重的环节之一。公司聚焦于等离子体射频电源系统的技术攻关,历经十年,先后推出CSL、Bestda、Aspen三代产品系列,成功打破了美系两大巨头MKS和AE长达数十年在国内的垄断格局。公司Bestda系列和最新一代产品Aspen系列均已通过验证并量产,其中Bestda系列可支撑28纳米制程,最新一代产品Aspen系列可支撑7-14纳米先进制程,并已达到与MKS、AE次新一代产品同等的性能指标。2023年,公司最新一代的Aspen系列等离子体射频电源和Basalt系列匹配器已经随拓荆科技新一代P系列薄膜沉积设备、中微公司新一代N系列刻蚀设备交付国内头部晶圆厂,目前已经进入晶圆生产的正式验证。
风格概念: 中盘
入选理由:恒运昌 2026-02-06收盘市值246.23亿元,全市场排名859
百元股
入选理由:恒运昌2026-02-06收盘价363.7元,全市场排名第13
融资融券
入选理由:恒运昌 2026年2月5日融资净买入-11347.44万元,当前融资余额:37330.23万元
◆控盘情况◆
 
2026-01-28
2026-01-16
2025-11-14
2025-11-07
股东人数    (户)
16420
23
23
23
人均持流通股(股)
775.1
-
-
-
人均持流通股
(去十大流通股东)
-
-
-
-
◆概念题材◆

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【半导体设备核心零部件】公司是国内领先的半导体设备核心零部件供应商,主要从事等离子体射频电源系统、等离子体激发装置、等离子体直流电源、各种配件的研发、生产、销售及技术服务,并引进真空获得和流体控制等相关的核心零部件,围绕等离子体工艺提供核心零部件整体解决方案。如果把芯片制造比喻成版画艺术品的高科技复刻,那么产生及控制等离子体的等离子体射频电源系统就是这场高科技复刻的“指挥家”。等离子体射频电源系统通过精确控制电流频率和功率,指挥着半导体制造过程中的等离子体变化,确保在晶圆表面精确、均匀地沉积出薄膜层、精细地刻蚀出复杂图形和去除光刻胶等。等离子体由于具有独特的光、热、电物理特性以及高活性、高能量的特点,为半导体精密制造提供了不可替代的工艺基础。如今等离子体工艺广泛应用于薄膜沉积、刻蚀、离子注入、清洗去胶、键合等芯片制造的重要环节,并随着先进封装技术的发展应用于更多工艺环节中。随着芯片结构的不断复杂化、半导体工艺制程的持续演进,等离子体工艺的关键作用将愈发凸显。
更新时间:2026-01-30 13:58:48

【自主可控】等离子体射频电源系统的自主可控对我国半导体产业供应链安全具有重要意义。公司承担了国家半导体产业的基础再造和重大技术装备攻关任务,先后承接3项国家级重大专项课题,包括国家科技重大专项A课题、国家科技重大专项B课题、国家科技重大专项C课题,助力提高我国半导体产业的供应链韧性和安全水平。半导体设备及零部件行业具有“精确复制”的要求,以保障晶圆厂在产能快速扩张下的芯片品质,因此等离子体射频电源系统的量产必须确保高度稳定和可重复的生产工艺,并且需经过精密的校准和严格的测试流程,以保证性能的一致性和长期稳定性。在此严苛要求下,公司已具备成熟的规模化量产能力,公司产品已量产交付拓荆科技、中微公司、北方华创、微导纳米、盛美上海等国内头部半导体设备商,并成为薄膜沉积、刻蚀环节国内头部设备商的战略级供应商。截至2025年6月30日,公司与上述客户已实现百万级收入的自研产品共38款,实现千万级收入的自研产品共24款。
更新时间:2026-01-30 13:58:45

【等离子体射频电源系统】等离子体射频电源系统是半导体设备零部件国产化最难关卡之一,技术壁垒高、研发投入大、研发周期长、生产的“精确复制”要求极高,因而国产化率极低。根据弗若斯特沙利文统计,2024年中国大陆半导体领域等离子体射频电源系统的国产化率不足12%,属于被“卡脖子”最严重的环节之一。公司聚焦于等离子体射频电源系统的技术攻关,历经十年,先后推出CSL、Bestda、Aspen三代产品系列,成功打破了美系两大巨头MKS和AE长达数十年在国内的垄断格局。公司Bestda系列和最新一代产品Aspen系列均已通过验证并量产,其中Bestda系列可支撑28纳米制程,最新一代产品Aspen系列可支撑7-14纳米先进制程,并已达到与MKS、AE次新一代产品同等的性能指标。2023年,公司最新一代的Aspen系列等离子体射频电源和Basalt系列匹配器已经随拓荆科技新一代P系列薄膜沉积设备、中微公司新一代N系列刻蚀设备交付国内头部晶圆厂,目前已经进入晶圆生产的正式验证。
更新时间:2026-01-30 13:58:38

【技术研发】截至报告期末,公司拥有已授权发明专利108项,在申请发明专利133项。公司是国家高新技术企业、中国集成电路零部件创新联盟理事单位、国家专精特新重点“小巨人”、国家专精特新“小巨人”、“科创中国”射频开关电源创新基地、广东省2024年制造业单项冠军、广东省射频开关电源工程技术研究中心,并获得第六届中国集成电路创新联盟“IC创新奖”、广东省真空科技进步一等奖、2024年“湾芯奖”之“核心零部件创新奖”、中芯国际“零部件模组战略供应商”、拓荆科技“超卓伙伴奖”和“最佳交付奖”、微导纳米“最佳合作奖”等荣誉。
更新时间:2026-01-30 13:58:10

【客户情况】目前公司是国内极少数实现批量交付半导体级等离子体射频电源系统的企业,公司已实现对拓荆科技、中微公司、北方华创、微导纳米、盛美上海等国内头部半导体设备商的批量供货。除半导体设备企业外,公司也已通过中芯国际、长江存储等国内龙头终端晶圆厂的准入审核。此外,公司还在积极推进其他多款等离子体射频电源、匹配器、远程等离子源的后续验证工作,以期建立更为密切的合作关系。
更新时间:2026-01-30 13:58:05

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