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东微半导(688261)股票综合信息查询

 
沪深个股板块DDE历史数据查询:    
 
◆最新指标 (2025年10月股权激励后)◆
每股收益(元)        :0.3961
目前流通(万股)     :12209.66
每股净资产(元)      :24.0608
总 股 本(万股)     :12257.50
每股公积金(元)      :18.8057
营业收入(万元)     :96362.32
每股未分配利润(元)  :3.9219
营收同比(%)        :41.60
每股经营现金流(元)  :-1.7293i
净利润(万元)       :4855.01
净利率(%)           :4.24
净利润同比(%)      :58.46
毛利率(%)           :16.54
净资产收益率(%)    :1.66
◆上期主要指标◆◇2025中期◇
每股收益(元)        :0.2300
扣非每股收益(元)  :0.0794
每股净资产(元)      :23.8510
扣非净利润(万元)  :972.70
每股公积金(元)      :18.8928
营收同比(%)       :46.79
每股未分配利润(元)  :3.7521
净利润同比(%)     :62.80
每股经营现金流(元)  :-1.4968
净资产收益率(%)   :0.95
毛利率(%)           :16.00
净利率(%)         :3.60
◆ 公司概要 ◆

证监会行业:

行业:

制造业->电气、电子及通讯->计算机、通信和其他电子设备制造业

电子设备

入选理由:公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业,产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力,集中优势资源聚焦新型功率器件的开发,是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一,并在应用于工业级及汽车级领域的超级结MOSFET、中低压功率器件等产品领域实现了国产化替代,产品获得工业和车载重要客户认可。

所属
地域:

主营业务:
题材概念: 5G
入选理由:公司产品在汽车、工业、消费等应用领域均衡发展,报告期内车规级、工业级领域营业收入占比逾79%。应用领域包括5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、新能源汽车车载充电机、UPS和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能等。
储能
入选理由:公司批量出货给客户A、新明海科技、三晶电气、麦田能源、艾罗网络、德业科技、古瑞瓦特、固德威等公司。
充电桩
入选理由:直流充电桩领域是公司基础应用方向,公司与国内各主要的充电桩电源模块厂商均建立了广泛深入的合作关系,持续批量出货给客户A、特来电、通合电子、汇川技术、麦格米特、永联科技、安德普电源、英飞源、优优绿能、阳光电源等公司,保持在该市场的主导地位。作为高性能电源的核心器件,超级结MOSFET 在数据中心服务器电源等领域的业务继续保持增长,继续批量出货给客户 A、维谛技术、超聚变数字、欧陆通、长城科技、中恒电气、中兴康讯、铂科电子等应用于服务器电源、通信电源和基站电源领域的公司。
半导体
入选理由:在第三代半导体领域,公司的SiC MOSFET、Si2C MOSFET、SiC SBD已经实现规模化量产,性能指标和同类型竞品对比优势明显。同时,公司第四代SiC MOSFET产品技术平台完成研发。公司持续在第三代半导体领域投入研发,同步推进高性能SiC JFET、GaN HEMT等器件的开发工作。
华为概念
入选理由:截止2023年末,哈勃投资持有公司466.31万股,持股比例4.94%。哈勃投资由华为投资控股有限公司持有100%的股权。
芯片概念
入选理由:在前期工业和车用单管类SiC MOSFET开发成功的基础上,公司已经启动主驱模块芯片的开发,为未来切入SiC主驱模块领域做好技术储备。公司在算力和车载模块的研发成果显著,搭载公司SiC MOSFET芯片的塑封模块已实现了成倍的功率密度增长,目前可靠性考核结果理想,预计第三季度有序投放头部客户作为下一代技术方案进行推广。另,2024年7月4日公司在互动平台披露:公司产品可用于AI服务器,公司为AI服务器电源设计的高功率密度超级结芯片已经实现批量出货。
IGBT概念
入选理由:公司的TGBT产品是基于新型的Trident Gate Bipolar Transistor(简称Tri-gate IGBT)器件结构的重大原始创新,该自主专利技术为基础的TGBT产品系列已经进入稳定的量产交付阶段,性能达到了国际先进的七代IGBT芯片性能。2024年,公司推出了性能更为优化的650V-1200V系列产品,多款高速TGBT产品批量供应于新能源车载充电器领域。基于950V平台产品的330KW功率模块已经批量用于国内一线厂商的光伏发电方案;下半年新研发出多款1200V短路性能优良的规格型号,已经通过部分工业电机及光伏逆变类客户验证并进入批量交付阶段。
第三代半导体
入选理由:在第三代半导体领域,公司的SiC MOSFET、Si2C MOSFET、SiC SBD已经实现规模化量产,性能指标和同类型竞品对比优势明显。同时,公司第四代SiC MOSFET产品技术平台完成研发。公司持续在第三代半导体领域投入研发,同步推进高性能SiC JFET、GaN HEMT等器件的开发工作。
碳化硅
入选理由:在第三代半导体领域,公司的SiC MOSFET、Si2C MOSFET、SiC SBD已经实现规模化量产,性能指标和同类型竞品对比优势明显。同时,公司第四代SiC MOSFET产品技术平台完成研发。公司持续在第三代半导体领域投入研发,同步推进高性能SiC JFET、GaN HEMT等器件的开发工作。
比亚迪概念
入选理由:新能源汽车是公司一直以来的重点应用方向。公司高压超级结MOSFET产品继续批量出货给比亚迪、铁城信息、英搏尔、欣锐科技、汇川技术、阳光电源、陆巡科技、英威腾等公司应用于车载电子领域。公司多次获得比亚迪全资子公司弗迪动力有限公司颁发的“优秀供应商”荣誉称号、英博尔公司颁发的“优秀合作伙伴奖”等。
功率半导体
入选理由:公司功率器件产品技术领先,体现在功率器件的仿真、设计、工艺实现、封装测试及应用测试等全流程工序。公司产品以高工艺制造难度的超级结MOSFET产品、性能优良极具竞争力的中低压屏蔽栅MOSFET产品、独创单胞结构性能优良的TGBT产品以及紧跟国内外领先技术水平的SiCMOSFET产品、算力电源功率模块为主。功率模块领域,公司布局了拥有模块领域丰富开发经验的团队,在算力服务器电源、车载OBC、主驱电控以及车载热管理系统等应用领域,设计了多款塑封模块,并已逐步量产。公司将会持续在功率模块领域投入研发,为客户提供更高功率密度电源的模块解决方案。
风格概念: 中盘
入选理由:东微半导 2026-02-13收盘市值120.27亿元,全市场排名1743
增持回购
入选理由:公司公告股东有增持或者回购行为
融资融券
入选理由:东微半导 2026年2月13日融资净买入-2220.10万元,当前融资余额:35086.35万元
◆控盘情况◆
 
2025-09-30
2025-06-30
2025-03-31
2024-12-31
股东人数    (户)
12628
11878
11820
11615
人均持流通股(股)
9668.7
10315.8
10366.5
7104.2
人均持流通股
(去十大流通股东)
4578.9
4899.1
4923.2
4202.8
点评:
2025年三季报披露,前十大股东持有6440.34万股,较上期增加1.48万股,占总股本比52.55%,主力控盘强度较高。
截止2025年三季报合计7家机构,持有2907.97万股,占流通股比23.82%;其中2家公募基金,合计持有0.41万股,占流通股比0.00%。
股东户数12628户,上期为11878户,变动幅度为6.3142%
由于不同基金 、上市公司报表公布时间各有不同,在基金、上市公司报表披露期间,数据会有所变动。基金在一、三季报不披露全部持仓,因此中报/年报统计更为准确。
◆概念题材◆

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【高性能功率器件半导体企业】公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业,产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力,集中优势资源聚焦新型功率器件的开发,是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一,并在应用于工业级及汽车级领域的超级结MOSFET、中低压功率器件等产品领域实现了国产化替代,产品获得工业和车载重要客户认可。
更新时间:2026-02-11 15:23:01

【主驱模块芯片开发】在前期工业和车用单管类SiC MOSFET开发成功的基础上,公司已经启动主驱模块芯片的开发,为未来切入SiC主驱模块领域做好技术储备。公司在算力和车载模块的研发成果显著,搭载公司SiC MOSFET芯片的塑封模块已实现了成倍的功率密度增长,目前可靠性考核结果理想,预计第三季度有序投放头部客户作为下一代技术方案进行推广。另,2024年7月4日公司在互动平台披露:公司产品可用于AI服务器,公司为AI服务器电源设计的高功率密度超级结芯片已经实现批量出货。
更新时间:2026-02-11 15:22:33

【直流充电桩、服务器电源领域】直流充电桩领域是公司基础应用方向,公司与国内各主要的充电桩电源模块厂商均建立了广泛深入的合作关系,持续批量出货给客户A、特来电、通合电子、汇川技术、麦格米特、永联科技、安德普电源、英飞源、优优绿能、阳光电源等公司,保持在该市场的主导地位。作为高性能电源的核心器件,超级结MOSFET 在数据中心服务器电源等领域的业务继续保持增长,继续批量出货给客户 A、维谛技术、超聚变数字、欧陆通、长城科技、中恒电气、中兴康讯、铂科电子等应用于服务器电源、通信电源和基站电源领域的公司。
更新时间:2026-02-11 15:20:34

【IGBT领域】公司的TGBT产品是基于新型的Trident Gate Bipolar Transistor(简称Tri-gate IGBT)器件结构的重大原始创新,该自主专利技术为基础的TGBT产品系列已经进入稳定的量产交付阶段,性能达到了国际先进的七代IGBT芯片性能。2024年,公司推出了性能更为优化的650V-1200V系列产品,多款高速TGBT产品批量供应于新能源车载充电器领域。基于950V平台产品的330KW功率模块已经批量用于国内一线厂商的光伏发电方案;下半年新研发出多款1200V短路性能优良的规格型号,已经通过部分工业电机及光伏逆变类客户验证并进入批量交付阶段。
更新时间:2026-02-11 15:19:49

【产品应用领域】公司产品在汽车、工业、消费等应用领域均衡发展,报告期内车规级、工业级领域营业收入占比逾79%。应用领域包括5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、新能源汽车车载充电机、UPS和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能等。
更新时间:2026-02-11 15:18:35

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◆成交回报(单位:万元)◆

交易日期:2026-01-05 披露原因:涨幅达15%的证券

当日成交量(万手):12.29 当日成交额(万元):115084.93 成交回报净买入额(万元):13942.19

买入金额最大的前5名
营业部或交易单元名称买入金额(万元) 卖出金额(万元)
机构专用14055.790
沪股通专用5238.730
高盛(中国)证券有限责任公司上海浦东新区世纪大道证券营业部4586.950
招商证券股份有限公司深圳深南大道车公庙证券营业部2431.720
华安证券股份有限公司北京东三环中路证券营业部2231.070
买入总计: 28544.26 万元

卖出金额最大的前5名
营业部或交易单元名称买入金额(万元) 卖出金额(万元)
沪股通专用04544.08
机构专用03096.09
申万宏源证券有限公司上海浦东新区靖海路证券营业部02617.42
国信证券股份有限公司上海漕溪北路证券营业部02301.33
招商证券股份有限公司上海陆家嘴东路证券营业部02043.15
卖出总计: 14602.07 万元

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