东芯股份(688110)股票信息|查股网

◆最新指标 (2024年一季报)◆

每股收益(元) :-0.1000	目前流通(万股) :27653.67
每股净资产(元) :7.7454	总股本(万股) :44224.98
每股公积金(元) :7.2720	营业收入(万元) :10624.22
每股未分配利润(元) :-0.3938	营收同比(%) :-14.21
每股经营现金流(元) :-0.1576i	净利润(万元) :-4450.46
净利率(%) :-45.41	净利润同比(%) :-29.50
毛利率(%) :12.09	净资产收益率(%) :-1.28

◆上期主要指标◆

◇2023末期◇

每股收益(元) :-0.6900	扣非每股收益(元) :-0.7387
每股净资产(元) :7.9252	扣非净利润(万元) :-32669.17
每股公积金(元) :7.2664	营收同比(%) :-53.70
每股未分配利润(元) :-0.2932	净利润同比(%) :-265.13
每股经营现金流(元) :-0.6823	净资产收益率(%) :-8.20
毛利率(%) :11.89	净利率(%) :-56.64

◆ 公司概要 ◆

证监会行业：行业：	制造业->计算机、通信和其他电子设备制造业电子设备入选理由：公司是目前中国大陆少数能够同时提供NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。公司致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及服务。公司设计研发的1xnmNANDFlash、48nmNORFlash均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。公司产品在网络通讯领域应用广泛，包括电信级设备、家用ONT、WiFi及随身MiFi，5GCPE等均有业务的拓展。工业方面拓展了包括电力电子系统，电表集抄器，工业打印机等下游客户。物联网领域公司已经导入国内领先的头部手机品牌客户的穿戴式产品。公司荣获国家工信部颁发的第四批工信部“专精特新小巨人企业”。	所属地域:	上海
主营业务：
题材概念:	安防入选理由：公司是目前中国大陆少数能够同时提供NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。公司致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及服务。公司设计研发的1xnmNANDFlash、48nmNORFlash均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。公司产品在网络通讯领域应用广泛，包括电信级设备、家用ONT、WiFi及随身MiFi，5GCPE等均有业务的拓展。工业方面拓展了包括电力电子系统，电表集抄器，工业打印机等下游客户。物联网领域公司已经导入国内领先的头部手机品牌客户的穿戴式产品。公司荣获国家工信部颁发的第四批工信部“专精特新小巨人企业”。、苹果三星入选理由：公司进一步优化产业链结构，加深与中芯国际与力积电两家国际一流大厂的合作范围与深度，公司与战略合作伙伴中芯国际在高可靠性、低功耗存储芯片的特色工艺平台上开展了多年的深度技术合作，与此同时也在测试模型和测试向量上加大研发投入，提高了晶圆的产品良率和生产效率。公司与宏茂微、华润安盛、南茂科技、ATSemicon等境内外知名封测厂建立了稳定的合作关系，可以为客户提供多样化的芯片封装选择。公司控股子公司Fidelix Co.,Ltd.在 SLC Nand Flash、NOR Flash 也有一定的技术积累与知识产权。Fidelix 专注于利基型存储器市场，是三星、LG、日本瑞萨等国际知名公司的长期稳定供应商。、 5G 入选理由：公司的SLCNANDFlash凭借产品品类丰富、功耗低、可靠性高等特点，可以满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。公司开发的SLCNANDFlash产品使用温度范围可达到-40℃-105℃，部分已经通过AEC-Q100的验证；凭借高可靠性被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备及移动终端等领域，通过了联发科、瑞芯微、国科微、博通等行业内主流平台厂商的认证。公司自主设计的SPINORFlash存储容量覆盖64Mb至1Gb，符合-40℃-85℃/105℃的工业标准，并支持多种数据传输模式，已经完成了从65nm至48nm的制程推进。公司研发的DDR3(L)具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛。公司推出的LPDDR1和LPDDR2系列，适用于移动互联网中的智能终端、可穿戴设备等产品。公司在研的LPDDR4x以及PSRAM产品均已为客户提供样品，可用于基带市场和模块类客户。公司积极布局高可靠性工业类应用，依托下游应用领域如5G、物联网、人工智能、机器视觉等市场需求，不断提高产品在网络通讯、物联网、工业控制及监控安防等高端应用领域的渗透率。、物联网入选理由：公司的SLCNANDFlash凭借产品品类丰富、功耗低、可靠性高等特点，可以满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。公司开发的SLCNANDFlash产品使用温度范围可达到-40℃-105℃，部分已经通过AEC-Q100的验证；凭借高可靠性被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备及移动终端等领域，通过了联发科、瑞芯微、国科微、博通等行业内主流平台厂商的认证。公司自主设计的SPINORFlash存储容量覆盖64Mb至1Gb，符合-40℃-85℃/105℃的工业标准，并支持多种数据传输模式，已经完成了从65nm至48nm的制程推进。公司研发的DDR3(L)具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛。公司推出的LPDDR1和LPDDR2系列，适用于移动互联网中的智能终端、可穿戴设备等产品。公司在研的LPDDR4x以及PSRAM产品均已为客户提供样品，可用于基带市场和模块类客户。公司积极布局高可靠性工业类应用，依托下游应用领域如5G、物联网、人工智能、机器视觉等市场需求，不断提高产品在网络通讯、物联网、工业控制及监控安防等高端应用领域的渗透率。、增持回购入选理由：公司公告股东有增持或者回购行为、融资融券入选理由：公司是融资融券标的个股、集成电路入选理由：公司是目前中国大陆少数能够同时提供NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。公司致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及服务。公司设计研发的1xnmNANDFlash、48nmNORFlash均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。公司产品在网络通讯领域应用广泛，包括电信级设备、家用ONT、WiFi及随身MiFi，5GCPE等均有业务的拓展。工业方面拓展了包括电力电子系统，电表集抄器，工业打印机等下游客户。物联网领域公司已经导入国内领先的头部手机品牌客户的穿戴式产品。公司荣获国家工信部颁发的第四批工信部“专精特新小巨人企业”。、智能穿戴入选理由：NANDFlash即数据型闪存芯片，公司NANDFlash产品属于SLCNANDFlash，广泛应用于网络通讯、监控安防、工业控制、机顶盒、打印机、穿戴式设备等。公司聚焦平面型SLCNANDFlash的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，存储容量覆盖512Mb至32Gb，可灵活选择SPI或PPI类型接口，搭配3.3V/1.8V两种电压，可满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。公司NANDFlash产品核心技术优势明显，尤其是SPINANDFlash，公司采用了业内领先的单颗集成技术，将存储阵列、ECC模块与接口模块统一集成在同一芯片内，有效节约了芯片面积，降低了产品成本，提高了公司产品的市场竞争力。公司产品在耐久性、数据保持特性等方面表现稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过10万次，同时可在-40℃-105℃的极端环境下保持数据有效性长达10年，产品可靠性逐步从工业级标准向车规级标准迈进。、半导体入选理由：公司是目前中国大陆少数能够同时提供NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。公司致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及服务。公司设计研发的1xnmNANDFlash、48nmNORFlash均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。公司产品在网络通讯领域应用广泛，包括电信级设备、家用ONT、WiFi及随身MiFi，5GCPE等均有业务的拓展。工业方面拓展了包括电力电子系统，电表集抄器，工业打印机等下游客户。物联网领域公司已经导入国内领先的头部手机品牌客户的穿戴式产品。公司荣获国家工信部颁发的第四批工信部“专精特新小巨人企业”。、华为概念入选理由：华为全资子公司哈勃科技投资有限公司（现已更名为哈勃科技创业投资有限公司）为公司股东，截止2022年末，其持有公司3%的股份。、芯片概念入选理由：公司的SLCNANDFlash量产产品以中芯国际38nm、24nm，力积电28nm的制程为主，公司在28nm及24nm的制程上持续开发新产品，不断扩充SLCNANDFlash产品线，报告期内部分新产品已达到量产标准。公司先进制程的1xnmNANDFlash产品已完成首轮晶圆流片及首次晶圆制造，并已完成功能性验证。公司的NORFlash产品在力积电的48nm制程上持续进行更高容量的新产品开发，目前512Mb、1Gb大容量NORFlash产品都已有样品可提供给客户。另一方面，公司在中芯国际的NORFlash产品制程从65nm推进至55nm，目前该制程产线已完成首次晶圆流片。公司将持续在现有产品的基础上为客户提供更多样化的、高可靠性的产品选择。公司设计研发的LPDDR4x及PSRAM产品均已完成工程样片并已通过客户验证，公司将继续在DRAM领域进行新产品的研发设计，助力公司产品多样性发展。车规产品研发进度方面，公司基于中芯国际38nm工艺平台的SLCNANDFlash以及基于力积电48nm工艺平台的NORFlash均有产品通过AEC-Q100测试，将适用于要求更为严苛的车规级应用环境。、中芯国际概念入选理由：公司进一步优化产业链结构，加深与中芯国际与力积电两家国际一流大厂的合作范围与深度，公司与战略合作伙伴中芯国际在高可靠性、低功耗存储芯片的特色工艺平台上开展了多年的深度技术合作，与此同时也在测试模型和测试向量上加大研发投入，提高了晶圆的产品良率和生产效率。公司与宏茂微、华润安盛、南茂科技、ATSemicon等境内外知名封测厂建立了稳定的合作关系，可以为客户提供多样化的芯片封装选择。公司控股子公司Fidelix Co.,Ltd.在 SLC Nand Flash、NOR Flash 也有一定的技术积累与知识产权。Fidelix 专注于利基型存储器市场，是三星、LG、日本瑞萨等国际知名公司的长期稳定供应商。、大基金概念入选理由：2022年2月，公司在投资者互动平台表示，国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司参与了公司首发战略配售，获配3,296,967股，获配金额9950.25万元，限售12个月。、存储概念入选理由：NANDFlash即数据型闪存芯片，公司NANDFlash产品属于SLCNANDFlash，广泛应用于网络通讯、监控安防、工业控制、机顶盒、打印机、穿戴式设备等。公司聚焦平面型SLCNANDFlash的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，存储容量覆盖512Mb至32Gb，可灵活选择SPI或PPI类型接口，搭配3.3V/1.8V两种电压，可满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。公司NANDFlash产品核心技术优势明显，尤其是SPINANDFlash，公司采用了业内领先的单颗集成技术，将存储阵列、ECC模块与接口模块统一集成在同一芯片内，有效节约了芯片面积，降低了产品成本，提高了公司产品的市场竞争力。公司产品在耐久性、数据保持特性等方面表现稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过10万次，同时可在-40℃-105℃的极端环境下保持数据有效性长达10年，产品可靠性逐步从工业级标准向车规级标准迈进。、专精特新入选理由：公司是目前中国大陆少数能够同时提供NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。公司致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及服务。公司设计研发的1xnmNANDFlash、48nmNORFlash均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。公司产品在网络通讯领域应用广泛，包括电信级设备、家用ONT、WiFi及随身MiFi，5GCPE等均有业务的拓展。工业方面拓展了包括电力电子系统，电表集抄器，工业打印机等下游客户。物联网领域公司已经导入国内领先的头部手机品牌客户的穿戴式产品。公司荣获国家工信部颁发的第四批工信部“专精特新小巨人企业”。、汽车芯片入选理由：公司的SLCNANDFlash量产产品以中芯国际38nm、24nm，力积电28nm的制程为主，公司在28nm及24nm的制程上持续开发新产品，不断扩充SLCNANDFlash产品线，报告期内部分新产品已达到量产标准。公司先进制程的1xnmNANDFlash产品已完成首轮晶圆流片及首次晶圆制造，并已完成功能性验证。公司的NORFlash产品在力积电的48nm制程上持续进行更高容量的新产品开发，目前512Mb、1Gb大容量NORFlash产品都已有样品可提供给客户。另一方面，公司在中芯国际的NORFlash产品制程从65nm推进至55nm，目前该制程产线已完成首次晶圆流片。公司将持续在现有产品的基础上为客户提供更多样化的、高可靠性的产品选择。公司设计研发的LPDDR4x及PSRAM产品均已完成工程样片并已通过客户验证，公司将继续在DRAM领域进行新产品的研发设计，助力公司产品多样性发展。车规产品研发进度方面，公司基于中芯国际38nm工艺平台的SLCNANDFlash以及基于力积电48nm工艺平台的NORFlash均有产品通过AEC-Q100测试，将适用于要求更为严苛的车规级应用环境。。
风格概念:	基金重仓入选理由：公司前十大股东或者前十大流通股东中证券投资基金个数超过3个及以上，或者十大流通股东中证券投资基金累计持股比例超过50% 、中盘入选理由：以总市值为参考标准，公司满足市值介于大盘股与小盘股之间。

◆控盘情况◆

	2024-03-31	2023-12-31	2023-09-30	2023-06-30

股东人数 (户)	22510	19589	23312	24827
人均持流通股(股)	12285.1	14116.9	11773.4	11055.0
人均持流通股 (去十大流通股东)	9476.1	10798.9	9144.3	8626.7

点评:

2024年一季报披露，前十大股东持有22266.93万股，较上期减少72.91万股，占总股本比50.34%，主力控盘强度较高。
截止2024年一季报合计22家机构，持有6454.06万股，占流通股比23.34%；其中17家公募基金，合计持有3412.34万股，占流通股比12.34%。
股东户数22510户，上期为19589户，变动幅度为14.9114%
由于不同基金 、上市公司报表公布时间各有不同，在基金、上市公司报表披露期间，数据会有所变动。基金在一、三季报不披露全部持仓，因此中报/年报统计更为准确。

◆概念题材◆

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【领先的存储芯片设计公司】公司是目前中国大陆少数能够同时提供NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。公司致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及服务。公司设计研发的1xnmNANDFlash、48nmNORFlash均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。公司产品在网络通讯领域应用广泛，包括电信级设备、家用ONT、WiFi及随身MiFi，5GCPE等均有业务的拓展。工业方面拓展了包括电力电子系统，电表集抄器，工业打印机等下游客户。物联网领域公司已经导入国内领先的头部手机品牌客户的穿戴式产品。公司荣获国家工信部颁发的第四批工信部“专精特新小巨人企业”。
更新时间：2024-02-02 08:13:49

【拟设立子公司从事Wi-Fi7芯片研发】2024年2月，公司基于战略规划考虑与业务发展需要，拟新增投入研发力量，从事Wi-Fi7无线通信芯片的研发、设计与销售，凭借多年来在行业内的资源、客户、供应链、经验等方面积累的优势，进一步丰富公司产品品类，以存储为核心，向“存、算、联”一体化领域进行技术探索，拓展行业应用领域，优化业务布局，以期为客户提供更多样化的芯片解决方案。因此，公司拟与自然人荣苏江合资设立“上海一芯通感技术有限公司（具体以市场监督管理部门最终核准的名称为准）”，注册资本为人民币3,000万元，双方股权比例如下：东芯半导体股份有限公司以现金出资人民币2,900万元，占注册资本的96.67%；荣苏江以现金出资人民币100万元，占注册资本的3.33%。上述控股子公司设立后，将根据业务及公司运营的需要，拟分别在广州和北京设立全资子公司和分公司。
更新时间：2024-02-02 08:13:47

【扩大产品线布局】公司的SLCNANDFlash凭借产品品类丰富、功耗低、可靠性高等特点，可以满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。公司开发的SLCNANDFlash产品使用温度范围可达到-40℃-105℃，部分已经通过AEC-Q100的验证；凭借高可靠性被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备及移动终端等领域，通过了联发科、瑞芯微、国科微、博通等行业内主流平台厂商的认证。公司自主设计的SPINORFlash存储容量覆盖64Mb至1Gb，符合-40℃-85℃/105℃的工业标准，并支持多种数据传输模式，已经完成了从65nm至48nm的制程推进。公司研发的DDR3(L)具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛。公司推出的LPDDR1和LPDDR2系列，适用于移动互联网中的智能终端、可穿戴设备等产品。公司在研的LPDDR4x以及PSRAM产品均已为客户提供样品，可用于基带市场和模块类客户。公司积极布局高可靠性工业类应用，依托下游应用领域如5G、物联网、人工智能、机器视觉等市场需求，不断提高产品在网络通讯、物联网、工业控制及监控安防等高端应用领域的渗透率。
更新时间：2023-05-11 10:46:57

【新产品研发】公司的SLCNANDFlash量产产品以中芯国际38nm、24nm，力积电28nm的制程为主，公司在28nm及24nm的制程上持续开发新产品，不断扩充SLCNANDFlash产品线，报告期内部分新产品已达到量产标准。公司先进制程的1xnmNANDFlash产品已完成首轮晶圆流片及首次晶圆制造，并已完成功能性验证。公司的NORFlash产品在力积电的48nm制程上持续进行更高容量的新产品开发，目前512Mb、1Gb大容量NORFlash产品都已有样品可提供给客户。另一方面，公司在中芯国际的NORFlash产品制程从65nm推进至55nm，目前该制程产线已完成首次晶圆流片。公司将持续在现有产品的基础上为客户提供更多样化的、高可靠性的产品选择。公司设计研发的LPDDR4x及PSRAM产品均已完成工程样片并已通过客户验证，公司将继续在DRAM领域进行新产品的研发设计，助力公司产品多样性发展。车规产品研发进度方面，公司基于中芯国际38nm工艺平台的SLCNANDFlash以及基于力积电48nm工艺平台的NORFlash均有产品通过AEC-Q100测试，将适用于要求更为严苛的车规级应用环境。
更新时间：2023-05-11 10:46:53

【NAND Flash】NANDFlash即数据型闪存芯片，公司NANDFlash产品属于SLCNANDFlash，广泛应用于网络通讯、监控安防、工业控制、机顶盒、打印机、穿戴式设备等。公司聚焦平面型SLCNANDFlash的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，存储容量覆盖512Mb至32Gb，可灵活选择SPI或PPI类型接口，搭配3.3V/1.8V两种电压，可满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。公司NANDFlash产品核心技术优势明显，尤其是SPINANDFlash，公司采用了业内领先的单颗集成技术，将存储阵列、ECC模块与接口模块统一集成在同一芯片内，有效节约了芯片面积，降低了产品成本，提高了公司产品的市场竞争力。公司产品在耐久性、数据保持特性等方面表现稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过10万次，同时可在-40℃-105℃的极端环境下保持数据有效性长达10年，产品可靠性逐步从工业级标准向车规级标准迈进。
更新时间：2023-05-11 10:46:43

【MCP】MCP产品是将非易失性代码型闪存芯片通常与易失性存储芯片搭配使用，以共同实现存储与数据处理功能。公司的NANDMCP产品集成了自主研发的低功耗1.8vSLCNANDFlash闪存芯片与低功耗设计的DRAM，凭借设计优势已在紫光展锐、高通、联发科等平台通过认证，被广泛应用于功能手机、MIFI、通讯模块等产品。公司的NANDMCP在提供高可靠性，大容量存储的同时，可以保证客户的长期供应，客户在使用NANDMCP产品时可以减小PCB的布板空间,降低整体系统成本，提高整体集成度和可靠性，适用于PCB布板空间狭小的应用。
更新时间：2023-05-11 10:46:37

【哈勃科技持股】华为全资子公司哈勃科技投资有限公司（现已更名为哈勃科技创业投资有限公司）为公司股东，截止2022年末，其持有公司3%的股份。
更新时间：2023-05-11 10:46:34

【客户资源】公司进一步优化产业链结构，加深与中芯国际与力积电两家国际一流大厂的合作范围与深度，公司与战略合作伙伴中芯国际在高可靠性、低功耗存储芯片的特色工艺平台上开展了多年的深度技术合作，与此同时也在测试模型和测试向量上加大研发投入，提高了晶圆的产品良率和生产效率。公司与宏茂微、华润安盛、南茂科技、ATSemicon等境内外知名封测厂建立了稳定的合作关系，可以为客户提供多样化的芯片封装选择。公司控股子公司Fidelix Co.,Ltd.在 SLC Nand Flash、NOR Flash 也有一定的技术积累与知识产权。Fidelix 专注于利基型存储器市场，是三星、LG、日本瑞萨等国际知名公司的长期稳定供应商。
更新时间：2023-05-11 10:46:31

【大基金二期持股】2022年2月，公司在投资者互动平台表示，国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司参与了公司首发战略配售，获配3,296,967股，获配金额9950.25万元，限售12个月。
更新时间：2023-05-11 10:46:19

【DRAM】DRAM是市场上主要的易失性存储产品之一，通过利用电容内存储电荷的有无来代表二进制比特（bit）来实现数据存储。DRAM具有读写速度快的特点，常被用于系统硬件的运行内存，对系统中的指令和数据进行处理。公司研发的DDR3(L)系列是可以传输双倍数据流的DRAM产品，具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛；公司针对移动互联网和物联网的低功耗需求，自主研发的LPDDR系列产品具有低功耗、高传输速度等特点，适合在智能终端、可穿戴设备等产品中使用。
更新时间：2023-05-11 10:17:49

【NOR Flash】NORFlash即代码型闪存芯片，主要用来存储代码及少量数据。其存储阵列是各存储单元通过并联方式连接组成，在实现按位快速随机读取数据的同时，允许系统直接从存储单元中读取代码执行，因此具有芯片内执行、读取速度快等特点，通常被用于存储相关数据和代码程序，来满足快速启动应用系统的需求。公司自主设计的SPINORFlash存储容量覆盖64Mb至1Gb，并支持多种数据传输模式，普遍应用于可穿戴设备、移动终端等领域。
更新时间：2023-05-11 10:17:17

【拟斥资1亿元-2亿元回购公司股份】2023年5月，公司拟以超募资金通过集中竞价交易方式实施股份回购方案，回购股份后续拟在未来适宜时机全部用于员工持股及/或股权激励计划。按照本次拟回购金额上限人民币20,000万元，回购价格上限元/股进行测算，回购数量约为500万股，回购股份比例约占公司总股本的1.13%；按照本次拟回购金额下限人民币10,000万元，回购价格上限40元/股进行测算，回购数量约为250万股，回购股份比例约占公司总股本的0.57%。本次回购期限：自公司董事会审议通过本次回购股份方案之日起12个月内。
更新时间：2023-05-11 08:13:37

【拟2亿元参与投资道禾产芯基金】2022年10月，为加快东芯股份在集成电路产业的战略布局，整合各方优势资源，探索和发现新的业务增长点，进一步提升公司的持续竞争能力和公司价值，公司拟以自有资金参与投资道禾产芯基金，成为有限合伙人之一。道禾产芯基金的首期规模约为人民币6.02亿元，公司拟以自有资金认缴2亿元，出资比例约为33.22%。本基金主要投资于上海临港新片区及其他地区的集成电路、高端制造等领域。本次参与投资产业基金暨关联交易事项符合公司发展战略，计划布局的领域与公司主营业务具有相关性、协同性。
更新时间：2022-10-28 09:10:10

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主营业务：
题材概念:	安防入选理由：公司是目前中国大陆少数能够同时提供NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。公司致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及服务。公司设计研发的1xnmNANDFlash、48nmNORFlash均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。公司产品在网络通讯领域应用广泛，包括电信级设备、家用ONT、WiFi及随身MiFi，5GCPE等均有业务的拓展。工业方面拓展了包括电力电子系统，电表集抄器，工业打印机等下游客户。物联网领域公司已经导入国内领先的头部手机品牌客户的穿戴式产品。公司荣获国家工信部颁发的第四批工信部“专精特新小巨人企业”。、苹果三星入选理由：公司进一步优化产业链结构，加深与中芯国际与力积电两家国际一流大厂的合作范围与深度，公司与战略合作伙伴中芯国际在高可靠性、低功耗存储芯片的特色工艺平台上开展了多年的深度技术合作，与此同时也在测试模型和测试向量上加大研发投入，提高了晶圆的产品良率和生产效率。公司与宏茂微、华润安盛、南茂科技、ATSemicon等境内外知名封测厂建立了稳定的合作关系，可以为客户提供多样化的芯片封装选择。公司控股子公司Fidelix Co.,Ltd.在 SLC Nand Flash、NOR Flash 也有一定的技术积累与知识产权。Fidelix 专注于利基型存储器市场，是三星、LG、日本瑞萨等国际知名公司的长期稳定供应商。、 5G 入选理由：公司的SLCNANDFlash凭借产品品类丰富、功耗低、可靠性高等特点，可以满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。公司开发的SLCNANDFlash产品使用温度范围可达到-40℃-105℃，部分已经通过AEC-Q100的验证；凭借高可靠性被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备及移动终端等领域，通过了联发科、瑞芯微、国科微、博通等行业内主流平台厂商的认证。公司自主设计的SPINORFlash存储容量覆盖64Mb至1Gb，符合-40℃-85℃/105℃的工业标准，并支持多种数据传输模式，已经完成了从65nm至48nm的制程推进。公司研发的DDR3(L)具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛。公司推出的LPDDR1和LPDDR2系列，适用于移动互联网中的智能终端、可穿戴设备等产品。公司在研的LPDDR4x以及PSRAM产品均已为客户提供样品，可用于基带市场和模块类客户。公司积极布局高可靠性工业类应用，依托下游应用领域如5G、物联网、人工智能、机器视觉等市场需求，不断提高产品在网络通讯、物联网、工业控制及监控安防等高端应用领域的渗透率。、物联网入选理由：公司的SLCNANDFlash凭借产品品类丰富、功耗低、可靠性高等特点，可以满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。公司开发的SLCNANDFlash产品使用温度范围可达到-40℃-105℃，部分已经通过AEC-Q100的验证；凭借高可靠性被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备及移动终端等领域，通过了联发科、瑞芯微、国科微、博通等行业内主流平台厂商的认证。公司自主设计的SPINORFlash存储容量覆盖64Mb至1Gb，符合-40℃-85℃/105℃的工业标准，并支持多种数据传输模式，已经完成了从65nm至48nm的制程推进。公司研发的DDR3(L)具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛。公司推出的LPDDR1和LPDDR2系列，适用于移动互联网中的智能终端、可穿戴设备等产品。公司在研的LPDDR4x以及PSRAM产品均已为客户提供样品，可用于基带市场和模块类客户。公司积极布局高可靠性工业类应用，依托下游应用领域如5G、物联网、人工智能、机器视觉等市场需求，不断提高产品在网络通讯、物联网、工业控制及监控安防等高端应用领域的渗透率。、增持回购入选理由：公司公告股东有增持或者回购行为、融资融券入选理由：公司是融资融券标的个股、集成电路入选理由：公司是目前中国大陆少数能够同时提供NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。公司致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及服务。公司设计研发的1xnmNANDFlash、48nmNORFlash均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。公司产品在网络通讯领域应用广泛，包括电信级设备、家用ONT、WiFi及随身MiFi，5GCPE等均有业务的拓展。工业方面拓展了包括电力电子系统，电表集抄器，工业打印机等下游客户。物联网领域公司已经导入国内领先的头部手机品牌客户的穿戴式产品。公司荣获国家工信部颁发的第四批工信部“专精特新小巨人企业”。、智能穿戴入选理由：NANDFlash即数据型闪存芯片，公司NANDFlash产品属于SLCNANDFlash，广泛应用于网络通讯、监控安防、工业控制、机顶盒、打印机、穿戴式设备等。公司聚焦平面型SLCNANDFlash的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，存储容量覆盖512Mb至32Gb，可灵活选择SPI或PPI类型接口，搭配3.3V/1.8V两种电压，可满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。公司NANDFlash产品核心技术优势明显，尤其是SPINANDFlash，公司采用了业内领先的单颗集成技术，将存储阵列、ECC模块与接口模块统一集成在同一芯片内，有效节约了芯片面积，降低了产品成本，提高了公司产品的市场竞争力。公司产品在耐久性、数据保持特性等方面表现稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过10万次，同时可在-40℃-105℃的极端环境下保持数据有效性长达10年，产品可靠性逐步从工业级标准向车规级标准迈进。、半导体入选理由：公司是目前中国大陆少数能够同时提供NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。公司致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及服务。公司设计研发的1xnmNANDFlash、48nmNORFlash均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。公司产品在网络通讯领域应用广泛，包括电信级设备、家用ONT、WiFi及随身MiFi，5GCPE等均有业务的拓展。工业方面拓展了包括电力电子系统，电表集抄器，工业打印机等下游客户。物联网领域公司已经导入国内领先的头部手机品牌客户的穿戴式产品。公司荣获国家工信部颁发的第四批工信部“专精特新小巨人企业”。、华为概念入选理由：华为全资子公司哈勃科技投资有限公司（现已更名为哈勃科技创业投资有限公司）为公司股东，截止2022年末，其持有公司3%的股份。、芯片概念入选理由：公司的SLCNANDFlash量产产品以中芯国际38nm、24nm，力积电28nm的制程为主，公司在28nm及24nm的制程上持续开发新产品，不断扩充SLCNANDFlash产品线，报告期内部分新产品已达到量产标准。公司先进制程的1xnmNANDFlash产品已完成首轮晶圆流片及首次晶圆制造，并已完成功能性验证。公司的NORFlash产品在力积电的48nm制程上持续进行更高容量的新产品开发，目前512Mb、1Gb大容量NORFlash产品都已有样品可提供给客户。另一方面，公司在中芯国际的NORFlash产品制程从65nm推进至55nm，目前该制程产线已完成首次晶圆流片。公司将持续在现有产品的基础上为客户提供更多样化的、高可靠性的产品选择。公司设计研发的LPDDR4x及PSRAM产品均已完成工程样片并已通过客户验证，公司将继续在DRAM领域进行新产品的研发设计，助力公司产品多样性发展。车规产品研发进度方面，公司基于中芯国际38nm工艺平台的SLCNANDFlash以及基于力积电48nm工艺平台的NORFlash均有产品通过AEC-Q100测试，将适用于要求更为严苛的车规级应用环境。、中芯国际概念入选理由：公司进一步优化产业链结构，加深与中芯国际与力积电两家国际一流大厂的合作范围与深度，公司与战略合作伙伴中芯国际在高可靠性、低功耗存储芯片的特色工艺平台上开展了多年的深度技术合作，与此同时也在测试模型和测试向量上加大研发投入，提高了晶圆的产品良率和生产效率。公司与宏茂微、华润安盛、南茂科技、ATSemicon等境内外知名封测厂建立了稳定的合作关系，可以为客户提供多样化的芯片封装选择。公司控股子公司Fidelix Co.,Ltd.在 SLC Nand Flash、NOR Flash 也有一定的技术积累与知识产权。Fidelix 专注于利基型存储器市场，是三星、LG、日本瑞萨等国际知名公司的长期稳定供应商。、大基金概念入选理由：2022年2月，公司在投资者互动平台表示，国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司参与了公司首发战略配售，获配3,296,967股，获配金额9950.25万元，限售12个月。、存储概念入选理由：NANDFlash即数据型闪存芯片，公司NANDFlash产品属于SLCNANDFlash，广泛应用于网络通讯、监控安防、工业控制、机顶盒、打印机、穿戴式设备等。公司聚焦平面型SLCNANDFlash的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，存储容量覆盖512Mb至32Gb，可灵活选择SPI或PPI类型接口，搭配3.3V/1.8V两种电压，可满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。公司NANDFlash产品核心技术优势明显，尤其是SPINANDFlash，公司采用了业内领先的单颗集成技术，将存储阵列、ECC模块与接口模块统一集成在同一芯片内，有效节约了芯片面积，降低了产品成本，提高了公司产品的市场竞争力。公司产品在耐久性、数据保持特性等方面表现稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过10万次，同时可在-40℃-105℃的极端环境下保持数据有效性长达10年，产品可靠性逐步从工业级标准向车规级标准迈进。、专精特新入选理由：公司是目前中国大陆少数能够同时提供NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。公司致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及服务。公司设计研发的1xnmNANDFlash、48nmNORFlash均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。公司产品在网络通讯领域应用广泛，包括电信级设备、家用ONT、WiFi及随身MiFi，5GCPE等均有业务的拓展。工业方面拓展了包括电力电子系统，电表集抄器，工业打印机等下游客户。物联网领域公司已经导入国内领先的头部手机品牌客户的穿戴式产品。公司荣获国家工信部颁发的第四批工信部“专精特新小巨人企业”。、汽车芯片入选理由：公司的SLCNANDFlash量产产品以中芯国际38nm、24nm，力积电28nm的制程为主，公司在28nm及24nm的制程上持续开发新产品，不断扩充SLCNANDFlash产品线，报告期内部分新产品已达到量产标准。公司先进制程的1xnmNANDFlash产品已完成首轮晶圆流片及首次晶圆制造，并已完成功能性验证。公司的NORFlash产品在力积电的48nm制程上持续进行更高容量的新产品开发，目前512Mb、1Gb大容量NORFlash产品都已有样品可提供给客户。另一方面，公司在中芯国际的NORFlash产品制程从65nm推进至55nm，目前该制程产线已完成首次晶圆流片。公司将持续在现有产品的基础上为客户提供更多样化的、高可靠性的产品选择。公司设计研发的LPDDR4x及PSRAM产品均已完成工程样片并已通过客户验证，公司将继续在DRAM领域进行新产品的研发设计，助力公司产品多样性发展。车规产品研发进度方面，公司基于中芯国际38nm工艺平台的SLCNANDFlash以及基于力积电48nm工艺平台的NORFlash均有产品通过AEC-Q100测试，将适用于要求更为严苛的车规级应用环境。。
风格概念:	基金重仓入选理由：公司前十大股东或者前十大流通股东中证券投资基金个数超过3个及以上，或者十大流通股东中证券投资基金累计持股比例超过50% 、中盘入选理由：以总市值为参考标准，公司满足市值介于大盘股与小盘股之间。

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