中微公司(688012)股票信息|查股网

◆最新指标 (2024年11月股权激励后)◆

每股收益(元) :1.4670	目前流通(万股) :62236.37
每股净资产(元) :30.1148	总股本(万股) :62236.37
每股公积金(元) :22.1805	营业收入(万元) :550719.46
每股未分配利润(元) :6.9064	营收同比(%) :36.27
每股经营现金流(元) :0.4299i	净利润(万元) :91297.97
净利率(%) :16.56	净利润同比(%) :-21.28
毛利率(%) :42.22	净资产收益率(%) :4.96

◆上期主要指标◆

◇2024中期◇

每股收益(元) :0.8400	扣非每股收益(元) :0.7778
每股净资产(元) :29.2512	扣非净利润(万元) :48323.02
每股公积金(元) :21.9414	营收同比(%) :36.46
每股未分配利润(元) :6.2803	净利润同比(%) :-48.48
每股经营现金流(元) :0.6147	净资产收益率(%) :2.85
毛利率(%) :41.32	净利率(%) :14.97

◆ 公司概要 ◆

证监会行业：行业：	制造业->专用、通用及交通运输设备->专用设备制造业专用设备入选理由：公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从65纳米到14纳米、7纳米和5纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。公司MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓基LED设备制造商。公司主要为集成电路、LED外延片、功率器件、MEMS等半导体产品的制造企业提供刻蚀设备、MOCVD设备、薄膜沉积设备及其他设备。另，公司注册地址为：上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号。	所属地域:	上海
主营业务：
题材概念:	沪自贸区入选理由：公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从65纳米到14纳米、7纳米和5纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。公司MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓基LED设备制造商。公司主要为集成电路、LED外延片、功率器件、MEMS等半导体产品的制造企业提供刻蚀设备、MOCVD设备、薄膜沉积设备及其他设备。另，公司注册地址为：上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号。、沪深300 入选理由：公司为沪深300指数成分股、增持回购入选理由：公司公告股东有增持或者回购行为、融资融券入选理由：公司是融资融券标的个股、中证100 入选理由：公司为中证100成分股，是从沪深300指数样本股中挑选规模最大的100只股票组成的样本股、集成电路入选理由：公司的ICP刻蚀设备在涵盖逻辑、DRAM、3DNAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的50多个客户的生产线上量产，并持续进行更多刻蚀应用的验证。ICP刻蚀设备中的PrimoNanova系列产品在客户端安装腔体数近三年实现>100%的年均复合增长。公司ICP技术设备类中的8英寸和12英寸深硅刻蚀设备PrimoTSV200E、PrimoTSV300E在晶圆级先进封装、2.5D封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场继续获得重复订单的同时，在12英寸的3D芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证，并在欧洲客户12英寸微机电系统芯片产线上获得认证的机会，这些新工艺的验证为公司PrimoTSV300E刻蚀设备拓展了新的市场。在追求更高性能的同时，根据国内对成熟制程和新兴特殊器件的工艺需求，公司开发了PrimoMetalAl刻蚀设备，并在实验室搭建了Alpha机台，开始和客户合作开发铝线刻蚀工艺。、半导体入选理由：公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从65纳米到14纳米、7纳米和5纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。公司MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓基LED设备制造商。公司主要为集成电路、LED外延片、功率器件、MEMS等半导体产品的制造企业提供刻蚀设备、MOCVD设备、薄膜沉积设备及其他设备。另，公司注册地址为：上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号。、 MSCI中国、芯片概念入选理由：公司的ICP刻蚀设备在涵盖逻辑、DRAM、3DNAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的50多个客户的生产线上量产，并持续进行更多刻蚀应用的验证。ICP刻蚀设备中的PrimoNanova系列产品在客户端安装腔体数近三年实现>100%的年均复合增长。公司ICP技术设备类中的8英寸和12英寸深硅刻蚀设备PrimoTSV200E、PrimoTSV300E在晶圆级先进封装、2.5D封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场继续获得重复订单的同时，在12英寸的3D芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证，并在欧洲客户12英寸微机电系统芯片产线上获得认证的机会，这些新工艺的验证为公司PrimoTSV300E刻蚀设备拓展了新的市场。在追求更高性能的同时，根据国内对成熟制程和新兴特殊器件的工艺需求，公司开发了PrimoMetalAl刻蚀设备，并在实验室搭建了Alpha机台，开始和客户合作开发铝线刻蚀工艺。、中芯国际概念入选理由：公司2020年投资青岛聚源芯星股权投资合伙企业（有限合伙）3亿元而间接持有中芯国际股票，截止2022年6月末，青岛聚源芯星股权投资合伙企业持有中芯国际0.5%的股权。、 MLED 入选理由：公司用于蓝光照明的PRISMOA7、用于深紫外LED的PRISMOHiT3、用于Mini-LED显示的PRISMOUniMax等产品持续服务客户。截止2023年，公司持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位。其中PRISMOUniMax产品自2021年6月正式发布以来，凭借其高产量、高波长均匀性、高良率等优点，受到下游客户的广泛认可，在Mini-LED显示外延片生产设备领域处于国际领先。公司于2022年推出了用于氮化镓功率器件生产的MOCVD设备PRISMOPD5，已付运至国内外领先客户，并取得了重复订单。同时，公司也紧跟市场发展趋势，布局行业前沿，针对Micro-LED应用的专用MOCVD设备开发顺利，实验室初步结果实现了优良的波长均匀性能，并付运样机至国内领先客户开展生产验证。公司也启动了应用于碳化硅功率器件外延生产设备的开发，公司取得较大的技术进展，实现了优良的工艺结果，正与多家领先客户开展商务洽谈，预计2024年第一季度将开展客户端生产验证。、大基金概念入选理由：中微公司第一大股东上海创投的持股比例为15.10%，第二大股东巽鑫投资的持股比例为13.08%。巽鑫投资成立于2014年12月15日，注册资本1170000.00万元，主营业务为实业投资，投资管理，投资咨询和财务咨询。企查查数据显示：巽鑫投资股东为国家集成电路产业投资基金股份有限公司，持股比例100%。、半导体设备入选理由：公司的ICP刻蚀设备在涵盖逻辑、DRAM、3DNAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的50多个客户的生产线上量产，并持续进行更多刻蚀应用的验证。ICP刻蚀设备中的PrimoNanova系列产品在客户端安装腔体数近三年实现>100%的年均复合增长。公司ICP技术设备类中的8英寸和12英寸深硅刻蚀设备PrimoTSV200E、PrimoTSV300E在晶圆级先进封装、2.5D封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场继续获得重复订单的同时，在12英寸的3D芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证，并在欧洲客户12英寸微机电系统芯片产线上获得认证的机会，这些新工艺的验证为公司PrimoTSV300E刻蚀设备拓展了新的市场。在追求更高性能的同时，根据国内对成熟制程和新兴特殊器件的工艺需求，公司开发了PrimoMetalAl刻蚀设备，并在实验室搭建了Alpha机台，开始和客户合作开发铝线刻蚀工艺。、先进封装入选理由：公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从65纳米到14纳米、7纳米和5纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。公司MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓基LED设备制造商。公司主要为集成电路、LED外延片、功率器件、MEMS等半导体产品的制造企业提供刻蚀设备、MOCVD设备、薄膜沉积设备及其他设备。另，公司注册地址为：上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号。。
风格概念:	基金重仓入选理由：公司前十大股东或者前十大流通股东中证券投资基金个数超过3个及以上，或者十大流通股东中证券投资基金累计持股比例超过50% 、大盘入选理由：公司总市值排名在前150名、百元股入选理由：公司当前股价超过了100元。

◆控盘情况◆

	2024-09-30	2024-06-30	2024-03-31	2024-02-29

股东人数 (户)	37230	36600	36158	38854
人均持流通股(股)	16688.3	16975.6	17127.0	15938.6
人均持流通股 (去十大流通股东)	8155.1	8531.8	8568.8	7974.1

点评:

2024年三季报披露，前十大股东持有31777.45万股，较上期增加864.65万股，占总股本比51.16%，主力控盘强度较高。
截止2024年三季报合计284家机构，持有40983.98万股，占流通股比65.96%；其中279家公募基金，合计持有17685.22万股，占流通股比28.46%。
股东户数37230户，上期为36600户，变动幅度为1.7213%
由于不同基金 、上市公司报表公布时间各有不同，在基金、上市公司报表披露期间，数据会有所变动。基金在一、三季报不披露全部持仓，因此中报/年报统计更为准确。

◆概念题材◆

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【高端半导体设备及泛半导体设备制造商】公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从65纳米到14纳米、7纳米和5纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。公司MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓基LED设备制造商。公司主要为集成电路、LED外延片、功率器件、MEMS等半导体产品的制造企业提供刻蚀设备、MOCVD设备、薄膜沉积设备及其他设备。另，公司注册地址为：上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号。
更新时间：2024-09-03 09:58:46

【大股东权益变动】2024年9月，公司近日收到公司5%以上股东上海创投通知，国资监管机构决定将上海科创集团持有的上海浦东科创集团有限公司46%股权无偿划转给上海市浦东新区国有资产监督管理委员会。后续上海创投与浦东新产投不再是一致行动关系。公司无控股股东、实际控制人，本次权益变动不会导致公司无控股股东、实际控制人状态发生变化，不会影响公司的治理结构和持续经营。
更新时间：2024-09-03 09:58:43

【董事长提议3亿元-5亿元回购股份】2024年2月，公司董事长尹志尧先生提议通过集中竞价交易方式进行股份回购。回购的股份拟在披露回购结果暨股份变动公告的12个月后采用集中竞价交易方式出售。回购股份的资金总额：不低于人民币30,000万元（含），不超过人民币50,000万元（含）。回购股份的价格：不高于公司董事会审议通过回购方案决议前30个交易日公司股票交易均价的150%，具体以董事会审议通过的回购方案为准。回购期限：自公司董事会审议通过本次回购股份方案之日起3个月内。
更新时间：2024-03-19 14:31:22

【ICP 刻蚀设备】公司的ICP刻蚀设备在涵盖逻辑、DRAM、3DNAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的50多个客户的生产线上量产，并持续进行更多刻蚀应用的验证。ICP刻蚀设备中的PrimoNanova系列产品在客户端安装腔体数近三年实现>100%的年均复合增长。公司ICP技术设备类中的8英寸和12英寸深硅刻蚀设备PrimoTSV200E、PrimoTSV300E在晶圆级先进封装、2.5D封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场继续获得重复订单的同时，在12英寸的3D芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证，并在欧洲客户12英寸微机电系统芯片产线上获得认证的机会，这些新工艺的验证为公司PrimoTSV300E刻蚀设备拓展了新的市场。在追求更高性能的同时，根据国内对成熟制程和新兴特殊器件的工艺需求，公司开发了PrimoMetalAl刻蚀设备，并在实验室搭建了Alpha机台，开始和客户合作开发铝线刻蚀工艺。
更新时间：2024-03-19 14:31:16

【薄膜沉积设备研发】公司新开发出4款薄膜沉积产品。公司首台CVD钨设备付运到关键存储客户端验证评估，已通过客户现场验证，满足金属互联钨制程各项性能指标，并获得客户重复量产订单。公司在CVDW设备基础上，进一步开发出新型号HAR（高深宽比）W钨设备及ALDW钨设备，这两项设备均为高端存储器件的关键设备，目前已通过客户现场验证，满足存储器件中的高深宽比金属互联应用中各项性能指标。中微公司钨系列薄膜沉积产品可覆盖存储器件所有钨应用，并已全部通过客户现场验证。同时公司已完成多家逻辑和存储客户对CVD/HAR/ALDW钨设备的验证，并取得了客户订单，为进一步积累市场优势打下基础。同期，公司开发的应用于高端存储和逻辑器件的ALD氮化钛设备也在稳步推进，实验室测试结果显示，设备的薄膜均一性和产能均表现出世界领先水平。
更新时间：2024-03-19 14:31:13

【MOCVD 设备】公司用于蓝光照明的PRISMOA7、用于深紫外LED的PRISMOHiT3、用于Mini-LED显示的PRISMOUniMax等产品持续服务客户。截止2023年，公司持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位。其中PRISMOUniMax产品自2021年6月正式发布以来，凭借其高产量、高波长均匀性、高良率等优点，受到下游客户的广泛认可，在Mini-LED显示外延片生产设备领域处于国际领先。公司于2022年推出了用于氮化镓功率器件生产的MOCVD设备PRISMOPD5，已付运至国内外领先客户，并取得了重复订单。同时，公司也紧跟市场发展趋势，布局行业前沿，针对Micro-LED应用的专用MOCVD设备开发顺利，实验室初步结果实现了优良的波长均匀性能，并付运样机至国内领先客户开展生产验证。公司也启动了应用于碳化硅功率器件外延生产设备的开发，公司取得较大的技术进展，实现了优良的工艺结果，正与多家领先客户开展商务洽谈，预计2024年第一季度将开展客户端生产验证。
更新时间：2024-03-19 14:31:10

【CCP 刻蚀设备】公司CCP刻蚀设备中双反应台PrimoD-RIE、PrimoAD-RIE、PrimoAD-RIEe，单反应台PrimoHD-RIE等产品已广泛应用于国内外一线客户的生产线。双反应台PrimoSD-RIE，单反应台PrimoHD-RIE+，PrimoHD-RIEe，PrimoUD-RIE逐渐得到市场认可。截至2023年底，公司累计生产付运超过2800个CCP刻蚀反应台，同时在手订单充裕。公司已有的刻蚀产品已经对28纳米以上的绝大部分CCP刻蚀应用和28纳米及以下的大部分CCP刻蚀应用形成较为全面的覆盖。针对28纳米及以下的逻辑器件生产中广泛采用的一体化大马士革刻蚀工艺，公司开发的可调节电极间距的CCP刻蚀机PrimoSD-RIE已进入国内领先的逻辑芯片制造客户开展现场验证，目前进展顺利。在存储器件制造工艺中，公司的成熟产品可以覆盖存储器件制造中的绝大部分应用。
更新时间：2024-03-19 14:31:06

【巽鑫投资】中微公司第一大股东上海创投的持股比例为15.10%，第二大股东巽鑫投资的持股比例为13.08%。巽鑫投资成立于2014年12月15日，注册资本1170000.00万元，主营业务为实业投资，投资管理，投资咨询和财务咨询。企查查数据显示：巽鑫投资股东为国家集成电路产业投资基金股份有限公司，持股比例100%。
更新时间：2024-03-19 14:31:03

【气体净化设备】子公司中微惠创利用分子筛的吸附原理，开发制造了平板显示领域气体净化设备。设备可根据客户的要求灵活配置不同处理规模的系统，提供给客户可靠、稳定、安全和节能的净化解决方案。此外，中微惠创与德国DAS环境专家有限公司继续开展战略合作，双方在半导体行业尾气处理设备领域展开紧密的合作，目前已经批量生产制造净化设备，并顺利地应用在各个客户端，共同推动环保科技行业的发展。
更新时间：2024-03-19 14:23:52

【分布式生态工业互联网平台】子公司中微汇链以区块链创新理念和技术为基础，并结合多年来在中微公司积累沉淀的最佳业务管理实践经验，面向半导体等高科技制造行业与企业，提供适配新型工业化发展趋势的数字化产品与服务。不仅协助企业全面提升研发、制造、交付管理能力，还助力企业融入产业生态，全面参与产业协作体系。以创新数字化手段推动本土制造产业培育更多“专精特新”中小企业和单项冠军企业。目前，平台场景应用数量已超70个，可订阅微服务超400个。2023年获得中国产业区块链企业100强、《2023年中国产业区块链创新案例》等奖项；服务案例入选《工赋引擎-上海市工业互联网创新发展实践案例集》；并参与制定《区块链服务基于区块链的去中心化标识（DID）技术要求》、《区块链服务数字孪生开发平台技术规范》、《面向高端装备制造行业的云原生白皮书》等多项数字化领域团体标准。
更新时间：2024-03-19 14:22:59

【竞得上海睿励6.7575%股权】2023年5月，公司以挂牌价格人民币5,790.21万元取得国家集成电路产业投资基金持有的睿励科学仪器（上海）有限公司6.7575%股权。标的公司经营范围：研制、生产半导体设备，销售自产产品，提供相关的技术服务。公司本次通过上海联合产权交易所竞购睿励科学仪器（上海）有限公司6.7575%股权系出于公司战略发展的需要，有利于进一步促进公司产业链延伸，有利于公司培育新的业务增长点，促进公司健康发展。
更新时间：2023-05-19 15:19:45

【间接参股中芯国际】公司2020年投资青岛聚源芯星股权投资合伙企业（有限合伙）3亿元而间接持有中芯国际股票，截止2022年6月末，青岛聚源芯星股权投资合伙企业持有中芯国际0.5%的股权。
更新时间：2022-09-05 15:56:15

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◆成交回报(单位:万元)◆

交易日期:2022-10-10 披露原因:跌幅达15%的证券

当日成交量(万手):18.46 当日成交额(万元):168523.94 成交回报净买入额（万元）:-29545.28

买入金额最大的前5名
营业部或交易单元名称	买入金额(万元)	卖出金额(万元)
沪股通专用	19875.88	30372.14
华泰证券股份有限公司总部	3862.62	0
机构专用	2364.28	0
机构专用	1714.90	0
机构专用	1710.99	0
买入总计: 29528.67 万元

卖出金额最大的前5名
营业部或交易单元名称	买入金额(万元)	卖出金额(万元)
沪股通专用	19875.88	30372.14
机构专用	0	9561.28
机构专用	0	8913.91
机构专用	0	5202.68
瑞银证券有限责任公司上海花园石桥路证券营业部	0	5023.94
卖出总计: 59073.95 万元

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证监会行业：行业：	制造业->专用、通用及交通运输设备->专用设备制造业专用设备入选理由：公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从65纳米到14纳米、7纳米和5纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。公司MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓基LED设备制造商。公司主要为集成电路、LED外延片、功率器件、MEMS等半导体产品的制造企业提供刻蚀设备、MOCVD设备、薄膜沉积设备及其他设备。另，公司注册地址为：上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号。	所属地域:	上海
主营业务：
题材概念:	沪自贸区入选理由：公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从65纳米到14纳米、7纳米和5纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。公司MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓基LED设备制造商。公司主要为集成电路、LED外延片、功率器件、MEMS等半导体产品的制造企业提供刻蚀设备、MOCVD设备、薄膜沉积设备及其他设备。另，公司注册地址为：上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号。、沪深300 入选理由：公司为沪深300指数成分股、增持回购入选理由：公司公告股东有增持或者回购行为、融资融券入选理由：公司是融资融券标的个股、中证100 入选理由：公司为中证100成分股，是从沪深300指数样本股中挑选规模最大的100只股票组成的样本股、集成电路入选理由：公司的ICP刻蚀设备在涵盖逻辑、DRAM、3DNAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的50多个客户的生产线上量产，并持续进行更多刻蚀应用的验证。ICP刻蚀设备中的PrimoNanova系列产品在客户端安装腔体数近三年实现>100%的年均复合增长。公司ICP技术设备类中的8英寸和12英寸深硅刻蚀设备PrimoTSV200E、PrimoTSV300E在晶圆级先进封装、2.5D封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场继续获得重复订单的同时，在12英寸的3D芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证，并在欧洲客户12英寸微机电系统芯片产线上获得认证的机会，这些新工艺的验证为公司PrimoTSV300E刻蚀设备拓展了新的市场。在追求更高性能的同时，根据国内对成熟制程和新兴特殊器件的工艺需求，公司开发了PrimoMetalAl刻蚀设备，并在实验室搭建了Alpha机台，开始和客户合作开发铝线刻蚀工艺。、半导体入选理由：公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从65纳米到14纳米、7纳米和5纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。公司MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓基LED设备制造商。公司主要为集成电路、LED外延片、功率器件、MEMS等半导体产品的制造企业提供刻蚀设备、MOCVD设备、薄膜沉积设备及其他设备。另，公司注册地址为：上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号。、 MSCI中国、芯片概念入选理由：公司的ICP刻蚀设备在涵盖逻辑、DRAM、3DNAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的50多个客户的生产线上量产，并持续进行更多刻蚀应用的验证。ICP刻蚀设备中的PrimoNanova系列产品在客户端安装腔体数近三年实现>100%的年均复合增长。公司ICP技术设备类中的8英寸和12英寸深硅刻蚀设备PrimoTSV200E、PrimoTSV300E在晶圆级先进封装、2.5D封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场继续获得重复订单的同时，在12英寸的3D芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证，并在欧洲客户12英寸微机电系统芯片产线上获得认证的机会，这些新工艺的验证为公司PrimoTSV300E刻蚀设备拓展了新的市场。在追求更高性能的同时，根据国内对成熟制程和新兴特殊器件的工艺需求，公司开发了PrimoMetalAl刻蚀设备，并在实验室搭建了Alpha机台，开始和客户合作开发铝线刻蚀工艺。、中芯国际概念入选理由：公司2020年投资青岛聚源芯星股权投资合伙企业（有限合伙）3亿元而间接持有中芯国际股票，截止2022年6月末，青岛聚源芯星股权投资合伙企业持有中芯国际0.5%的股权。、 MLED 入选理由：公司用于蓝光照明的PRISMOA7、用于深紫外LED的PRISMOHiT3、用于Mini-LED显示的PRISMOUniMax等产品持续服务客户。截止2023年，公司持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位。其中PRISMOUniMax产品自2021年6月正式发布以来，凭借其高产量、高波长均匀性、高良率等优点，受到下游客户的广泛认可，在Mini-LED显示外延片生产设备领域处于国际领先。公司于2022年推出了用于氮化镓功率器件生产的MOCVD设备PRISMOPD5，已付运至国内外领先客户，并取得了重复订单。同时，公司也紧跟市场发展趋势，布局行业前沿，针对Micro-LED应用的专用MOCVD设备开发顺利，实验室初步结果实现了优良的波长均匀性能，并付运样机至国内领先客户开展生产验证。公司也启动了应用于碳化硅功率器件外延生产设备的开发，公司取得较大的技术进展，实现了优良的工艺结果，正与多家领先客户开展商务洽谈，预计2024年第一季度将开展客户端生产验证。、大基金概念入选理由：中微公司第一大股东上海创投的持股比例为15.10%，第二大股东巽鑫投资的持股比例为13.08%。巽鑫投资成立于2014年12月15日，注册资本1170000.00万元，主营业务为实业投资，投资管理，投资咨询和财务咨询。企查查数据显示：巽鑫投资股东为国家集成电路产业投资基金股份有限公司，持股比例100%。、半导体设备入选理由：公司的ICP刻蚀设备在涵盖逻辑、DRAM、3DNAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的50多个客户的生产线上量产，并持续进行更多刻蚀应用的验证。ICP刻蚀设备中的PrimoNanova系列产品在客户端安装腔体数近三年实现>100%的年均复合增长。公司ICP技术设备类中的8英寸和12英寸深硅刻蚀设备PrimoTSV200E、PrimoTSV300E在晶圆级先进封装、2.5D封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场继续获得重复订单的同时，在12英寸的3D芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证，并在欧洲客户12英寸微机电系统芯片产线上获得认证的机会，这些新工艺的验证为公司PrimoTSV300E刻蚀设备拓展了新的市场。在追求更高性能的同时，根据国内对成熟制程和新兴特殊器件的工艺需求，公司开发了PrimoMetalAl刻蚀设备，并在实验室搭建了Alpha机台，开始和客户合作开发铝线刻蚀工艺。、先进封装入选理由：公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从65纳米到14纳米、7纳米和5纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。公司MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓基LED设备制造商。公司主要为集成电路、LED外延片、功率器件、MEMS等半导体产品的制造企业提供刻蚀设备、MOCVD设备、薄膜沉积设备及其他设备。另，公司注册地址为：上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号。。
风格概念:	基金重仓入选理由：公司前十大股东或者前十大流通股东中证券投资基金个数超过3个及以上，或者十大流通股东中证券投资基金累计持股比例超过50% 、大盘入选理由：公司总市值排名在前150名、百元股入选理由：公司当前股价超过了100元。

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