第三代半导体概念股龙头股&第三代半导体板块成分股

2026年5月，公司拟向远山新材料科技有限公司增资4,900万元。本次交易完成后，公司将持有标的公司8.9253%股权。标的公司是一家具备氮化镓（GaN）外延材料与芯片制造自主生产能力的第三代半导体企业，其核心技术源自日本知名第三代半导体专家河合弘治先生，河合先生与日本诺贝尔物理学奖获得者天野浩先生为多年研发合作伙伴，曾共同开发氮化镓前沿技术与产品并发表署名论文。标的公司主营蓝宝石基中高压氮化镓（GaN）外延材料、功率器件及功率模块的研发、生产与销售，重点布局1200V-3000V的高压氮化镓（GaN）极化超级结（PSJ）功率器件。产品可以应用于算力服务器电源、新能源车、光伏储能、机器人等工业级场景。

近年来，公司持续推进产品研发和产业化，不断拓展产品应用范围，并围绕IGBT、第三代半导体等新兴应用领域布局配套产品，取得积极进展。公司紧跟下游应用发展方向，以现有客户和目标客户需求为导向，紧密围绕高性能热固性复合材料业务领域进行新产品、新技术的前瞻性布局，为公司未来业务发展提供新的增长点。公司近年来重点布局的新产品导电银胶在光电半导体领域实现向晶台光电、山西高科等客户的批量销售，在功率半导体领域通过华润华晶、比亚迪等客户验证并实现销售；声表滤波器封装用环氧胶膜、IGBT及半导体环氧树脂封装材料、碳化硅MOSFET环氧灌封料等多个新产品研发项目正在有序推进中。在IGBT、第三代半导体等车规级高端功率模块封装领域，公司是极少数同时布局固态塑封料和液态环氧封装料/有机硅胶/烧结银胶的厂商，多款产品通过行业领先客户测试验证。

2026年3月16日公司微信公众号披露，近日，公司与远山新材料科技有限公司在山东济宁签署战略合作框架协议。双方宣布正式建立全面战略合作伙伴关系，未来将围绕第三代半导体技术在高端电力电子装备领域的应用，开展从技术研发、产业配套到协同发展的全方位深度合作。根据协议，双方将在高压氮化镓功率器件领域展开深度技术交流，重点围绕新风光变频器、储能变频器（PCS）、SST等核心产品对高频、高压元器件的实际需求，共同探索定制化GaN器件及功率模块的研发路径。双方将共同打造“核心芯片+高端装备”的联合品牌效应，依托各自行业影响力，加速推动第三代半导体技术在新型电力系统中的国产化进程。

氮化镓通信基站射频芯片与器件：在通信基站中主要用于移动通信基站发射链路，实现对通信射频信号的功率放大，根据应用场景不同，氮化镓通信基站射频芯片与器件分为大功率基站氮化镓射频芯片及器件和MIMO基站氮化镓射频芯片及器件。碳化硅功率模块及其应用：基于自有先进芯片技术，碳化硅功率系列产品在技术参数、制造成本等方面具有明显的竞争优势，中低压碳化硅功率产品主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，高压碳化硅功率产品瞄准智能电网、动力机车、轨道交通等应用领域，实现对硅基IGBT功率产品的覆盖与替代。

2025年，公司半导体业务聚焦于板级封装（PLP）、MOS三极管、第三代半导体模块三项业务：其中PLP板级封装重点是依托公司内部的高阶HDI制造能力，在此基础上完成氮化镓、碳化硅多芯片合封，具备成本低、散热性能高的优势，主要面向电源芯片领域。

2024年12月26日公司在互动平台披露：公司在半导体分立器件领域聚焦第三代半导体碳化硅设备，通过产品技术支持产业的发展。目前形成了氧化、退火、镀膜和钎焊炉设备等一系列产品，并开始逐步导入到下游行业内领先企业。在具体产品方面，公司持续对高温氧化设备和高温退火设备进行开发与优化，可适用于SiC基半导体器件生产工艺；公司LPCVD设备可满足氮化硅/氧化硅/多晶硅（Poly-Si）/非晶硅（α-Si）薄膜沉积技术的应用需求，并适用于半导体分立器件的生产。

公司全资子公司合肥高纳半导体科技有限责任公司主要从事第三代半导体SiC单晶生长和设备研发、SiC衬底加工、SiC外延生产销售。面向8英寸碳化硅衬底的长晶技术做了方向调整并优化研发的工艺路线，完成新设备（电阻式双温区长晶炉）的调试并投入使用。碳化硅粉料已获得权威第三方检测证明已完全符合相关标准和工艺需求，目前已批次投入使用。

公司目前拥有包括平面MOSFET、功率IC等800余款产品。公司平面MOSFET产品覆盖40V~1700V电压段，已形成低压、中压、高压全系列功率MOSFET产品系列，拥有近500款不同规格的产品；超结MOSFET已完成600~850V产品系列化；SGTMOS已建立40V~100V产品平台；公司在第三代半导体功率器件方面，已推出650V-3300VSiCMOSFET产品系列；功率IC方面，公司基于晶圆代工厂0.5um600VSOIBCD和0.18um40VBCD等工艺自主搭建了设计平台；公司与晶圆代工厂深度合作，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。公司针对高可靠功率电源模块及电机驱动模块提供各功率段的芯片解决方案能力。未来，公司还将进一步实现对各种细分品类功率器件芯片的覆盖，并进一步促进功率IC和第三代半导体功率器件的产品系列化。

公司目前拥有完整的半导体封装测试技术，在金属基板封装、功率器件封装、半导体/IC测试、超薄芯片封装、高可靠焊接、高密度框架封装、应用于半导体封装的机器人自动化生产系统、全集成锂电保护IC、SIP系统级封装等多方面拥有核心技术。公司致力于车规级功率器件、芯片级封装及宽禁带半导体器件等对先进封装工艺攻关研究，为公司的功率型器件如SiC、GaN等第三代半导体及汽车电子的发展储备先进的工艺技术基础。

公司碳化硅单晶炉包含PVT感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等类别产品，下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备：①在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片，可进一步制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，下游应用领域主要包括新能源汽车（主驱逆变器、车载充电机（OBC）、车载电源转换器、充电桩、UPS等）、光伏发电（光伏逆变器）、工业、家电、轨道交通、智能电网、航空航天等；②在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片，可制成HEMT等微波射频器件，下游应用领域主要包括5G通信、卫星、雷达等。

2022年3月，公司拟与北京创镓半导体材料科技合伙企业（有限合伙）共同出资设立观想新芯材料科技有限公司，观想新芯注册资本为10,000万元人民币，其中公司拟占股51%，北京创镓拟占股49%。控股子公司将充分利用公司在装备全寿命周期健康管理、装备数字孪生及高性能传感器综合集成应用等新一代信息技术的优势，以及北京创镓在第三代半导体材料相关设备研制、工艺研发和检验检测等先进技术整合能力，共同实现第三代半导体材料的自主可控。

2024年8月2日公司在互动平台披露，公司所属全资子公司西安西电电力系统有限公司参股（持股36%）的陕西半导体先导技术中心有限公司，其经营范围包括化合物半导体及相关产品等。

6英寸SiC生产线已通线量产并具备交付能力，工艺平台包括：650V/1200VSiCSBD、1200VSiCMOS工艺平台。

2022年8月1日公司在互动平台披露，公司具备封测第三代半导体产品的能力，并已开展相关业务。2023年3月2日公司在互动平台披露，公司2022年已为国际知名汽车电子客户开发的第三代半导体碳化硅产品，具备无铅化、耐高压、高功率等优势，应用于客户新能源车载逆变器等领域，在国内首家通过客户考核并进入量产。

公司的QT-8400系列测试平台，主要用于IGBT及第三代半导体碳化硅和氮化镓功率器件和晶圆测试、车规类碳化硅KGD测试及功率模块的全性能测试，能够满足电动汽车、新能源等工业领域日益增长的测试需求和新的应用场景。目前，该测试平台市场推广效果良好，已在下游客户通过认证并实现批量销售。

2025年度，公司在深耕消费电子、汽车零部件市场的同时，积极推进多领域市场开拓，在航空航天、半导体、新材料、机器人等新兴产业赛道发力并取得进展。消费电子行业在材料应用与工艺路线上持续革新，公司多款新产品顺利推向市场并获得客户高度认可；航空航天及轴承领域，公司高端复合立式磨床订单与交付量稳步提升；半导体领域，公司主要应用于蓝宝石加工的研磨抛光机设备实现批量交货；新材料领域，公司成功研制精密数控龙门平面磨床，有效解决客户高精度磨削需求，并形成成套磨削工艺解决方案；机器人领域，公司的螺旋拉床与机械电动伺服拉床销售取得市场突破。2025年度，公司牵头承担的湖南省重点研发计划“碳化硅基片高效精密加工及其成套技术设备关键技术”项目通过验收；超大型榫槽拉床完成研发和交付。

在第三代半导体领域，长飞先进半导体位于武汉的生产基地主体建筑结构已在二零二四年六月封顶，目前已进入设备安装调试阶段，预计于二零二五年四月底实现量产通线，达产后每年可生产36万片6英寸碳化硅晶圆，可满足约144万辆新能源汽车的制造需求，产能国内领先。而在产品开发进度方面，该公司碳化硅MOSFET产品于二零二五年二月通过AEC-Q101车规认证，比导通电阻（Ronsp）及栅极电荷（Qg）均达到国内领先水平，具备极低的开关损耗和导通损耗，可显著提升逆变器及其他应用终端的性能，为后续车规级产品的市场拓展奠定了坚实的基础。

公司投资9210万元与临芯投资、海南清源鑫共同设立了“嘉兴临澜股权投资合伙企业（有限合伙）”，公司占比98.8197%。合伙企业现持有安徽长飞先进半导体有限公司509.7821万股股份，占总股本的1.6445%。2024年安徽长飞先进成功完成股份制改革；完成芜湖和武汉两大生产基地共计42万片碳化硅晶圆年产能的布局，建成后将成为国内最大、技术最先进的碳化硅器件工厂。

目前公司已实现180nm制程节点半导体掩膜版量产，150nm/130nm已通过客户验证并小批量量产，同时公司已掌握的半导体掩膜版制造技术可以覆盖第三代半导体相关产品，产品已全面应用于IC制造、IC器件、先进封装等领域，满足先进半导体芯片封装、半导体器件、MEMS传感器、射频芯片、硅基OLED等产品应用的需求，为我国半导体行业的发展提供关键的上游材料国产化配套支持。通过投资建设路芯半导体130-28nm半导体掩膜版项目，公司进一步完善在半导体领域的布局。该项目投产后，产品将覆盖MCU（微控制芯片）、SiPh（硅光子）、CIS（互补金属氧化物半导体图像传感器）、BCD（双极-互补-双扩散-金属氧化物半场效应管）、DDIC（显示驱动芯片）、MS/RF（混合射频信号）、Embd.NVM（嵌入式非易失存储器）、NOR/NANDFlash（非易失闪存）等半导体制造相关行业，进一步完善产业链供给、推动国产替代进程。

公司主营业务为微波毫米波相控阵T/R芯片的研发、生产、销售和技术服务，主要向市场提供基于硅基、砷化镓以及第三代半导体氮化镓工艺的系列化产品以及相关的技术解决方案。公司作为国内少数能够提供T/R芯片完整解决方案的企业之一，产品涵盖整个固态微波产品链，包括GaAs/GaN功率放大器芯片、GaAs低噪声放大器芯片、GaAs收发前端芯片、收发多功能放大器芯片、幅相多功能芯片、模拟波束赋形芯片、数控移相器芯片、数控衰减器芯片、功分器芯片、限幅器芯片等十余类高性能微波毫米波相控阵芯片，频率可覆盖L波段至W波段。目前公司产品已批量应用于星载、地面、机载相控阵雷达及卫星通信等领域。随着下游装备小型化、轻量化、高集成、低成本的发展需求，作为相控阵天线系统核心元器件之一的T/R芯片，其性能则直接影响整机的各项关键指标，在集成度、功耗、效率等技术指标也提出了高要求。公司将会继续加大研发投入，满足客户产品高频化、高集成度、轻量化、多功能化的技术需求，并布局行业性前瞻技术研究，保持公司产品先进性水平。

公司持续推进数字隔离芯片的研发布局，推出150Mbps标准数字隔离器以及40Mbps通用数字隔离器，涵盖2/4/6通道系列产品，并打造“隔离+”系列产品，能够与栅极驱动芯片、接口芯片、运算放大器等形成隔离驱动、隔离接口、隔离采样等芯片方案。2025年，公司成功开发全系列SiC隔离栅极驱动芯片，为高性能、高可靠性系统构建重磅驱动解决方案；并推出全系列隔离栅极驱动产品，涵盖光耦兼容型单通道驱动器、逻辑输入型单通道驱动器及双通道驱动器，可广泛应用于光伏逆变器、不间断电源、电机驱动控制、工业电源等高可靠性工业系统，目前已进入多家客户导入阶段。

在功率及能源应用领域，公司聚焦第三代半导体器件/模块和以高性能计算为核心应用市场的封测业务。在新能源发电、储能、工业电源、数据中心包括未来800V高压HVDC架构的整个能源应用中，公司持续提升第三代半导体功率器件及模块技术和产能，已形成开尔文封装形式、顶部及双面散热等新型散热结构，应用无压及有压银烧结，双层DBC等先进工艺；具备多种功率模块开发工艺，可为客户提供定制化服务。公司已具备全链路封测解决方案可以满足800V高压（HVDC）架构的应用需求。公司已完成基于SiP封装技术打造的2.5D垂直VCORE电源模块的封装技术创新及量产。通过垂直集成技术极大提升功率密度和热管理效率，减少配电网络中的电能损耗。同时，为多项控制器、DrMOS提供丰富的封装解决方案，一站式服务于AIGC算力能源及通信电源。

2023年7月24日公司在互动平台披露，公司电源适配器业务发展多年，布局覆盖3瓦-400瓦，产品品类及下游客户众多，应用领域广泛，目前公司已有多个电源适配器产品使用氮化镓技术，正在积极拓展海内外市场。

在第三代半导体领域，公司的SiC MOSFET、Si2C MOSFET、SiC SBD已经实现规模化量产，性能指标和同类型竞品对比优势明显。同时，公司第四代SiC MOSFET产品技术平台完成研发。公司持续在第三代半导体领域投入研发，同步推进高性能SiC JFET、GaN HEMT等器件的开发工作。

公司致力于提供持续拓展且性能卓越的产品组合，探索并持续推进碳化硅产品在多元领域的应用拓展。依托前瞻性的技术布局和强大敏捷的创新能力，公司的产品已成功深入切入新能源与AI两大高增长赛道，这不仅将驱动业绩实现爆发式增长，更将助力公司完成下游应用场景的多元化拓展，进而巩固行业引领地位，把握新一轮发展机遇。公司在碳化硅衬底产品矩阵上超前布局。公司8英寸导电型衬底产品质量和批量供应能力领先，是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的市场参与者之一，持续推动头部客户积极向8英寸转型。2024年11月，公司向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。2024年11月，我们推出业内首款12英寸碳化硅衬底。12英寸碳化硅衬底材料，能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，进一步提升经济效益，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。这标志着我们向大尺寸碳化硅衬底时代迈出了重要一步。

公司控股子公司上海埃延半导体有限公司致力于大硅片及第三代半导体材料衬底外延设备的生产制造以及衬底材料的研发。2024年7月18公司在互动平台披露，公司子公司上海埃延半导体有限公司的半导体设备目前处于样机验证阶段。

公司开发了高压GaN HEMT技术平台、低压GaN HEMT技术平台；高压平面型SiC MOS技术平台、SiC JBS结势垒技术平台；针对IGBT产品，公司开发了通用沟槽型IGBT技术平台、新能源用精细沟槽结构的IGBT技术平台。公司SiC产品，包含SiC SBD系列和SiC MOSFET系列。SiC SBD系列包含650V/1200V/1700V电压档，其中650V SBD产品已在PD客户端出货，1200V SBD产品已在多家大功率系统客户测试验证中，1700V SBD产品陆续产出。SiC MOSFET系列包含650V/1200V/1700V电压档，正在有序开发中，其中1200V产品在充电桩、逆变器等领域均有客户验证测试中，650V产品在PD快充、适配器等客户方案验证中。

公司是全球将晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）专注应用在以影像传感器为代表的传感器领域的先行者与引领者。公司为全球12英寸晶圆级芯片尺寸封装技术的开发者，同时具备8英寸、12英寸的晶圆级芯片尺寸封装技术与规模量产能力。通过整合收购的智瑞达科技资产与技术，并将之与公司既有封装技术的有效融合，具备了从晶圆级到芯片级及模块制造的量产服务能力。通过并购荷兰ANTERYON公司，将光学设计与组件制造能力与公司的业务技术协同整合，形成了光学器件设计制造与一体化的异质集成能力。通过并购整合以色列VisIC公司，有效布局氮化镓功率模块的设计与开发技术能力，为把握三代半导体在新能源汽车领域的产业发展机遇进行技术与产业布局。

公司是国内射频及光电芯片技术的重要突破者。作为国内较早建成6英寸砷化镓射频芯片商业化产线的企业，公司长期专注于HBT、pHEMT、BiHEMT、VCSEL及GaN-on-SiC等先进工艺的研发与量产，构建了布局完善、技术领先的高壁垒核心技术体系。公司是国内少数具备大规模量产能力的化合物半导体射频及光电芯片制造平台，技术与产能均处于全球前列，尤其在VCSEL与GaN-on-SiC工艺上实现了引领性突破：公司目前是中国大陆独家、全球唯二能够稳定量产二维可寻址VCSEL芯片的厂商，该技术已成功应用于高端激光雷达领域；公司是国内唯一稳定供应星载0.15μm E/D-pHEMT双工艺射频芯片的厂商，有效打破了国外垄断。

在功率半导体领域，公司建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地，拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术。公司生产的全系列高可靠性IGBT产品打破了轨道交通和特高压输电核心器件由国外企业垄断的局面，目前正在解决我国新能源汽车、新能源发电装备的核心器件自主化问题。2024年，IGBT模块交付在轨交、电网领域市场份额大幅领先，占有率国内第一，电网市场中标7条线，首次斩获海外柔直项目大批量订单，新能源市场快速突破，根据NE时代统计数据，公司2024年新能源乘用车功率模块装机量达225.6万套，市占率约13.7%，仅次于比亚迪排名第二，新能源发电市场IGBT模块出货量增长迅速，7.5代超精细沟槽栅产品效率和出流能力达到国际领先水平，半导体三期项目宜兴产线成功投产。传感器业务轨交领域市占率持续领先，首次斩获电网订单。

SiCMOSFET芯片：公司首款1200V40mohmSiCMOSFET芯片研制成功，已通过可靠性验证；车规1200V13mohmSiCMOSFET芯片可提供特性样品，可靠性正在评估中；自研SiCSBD芯片：自主研发的SiCSBD（肖特基势垒二极管）芯片已经通过多家终端客户可靠性验证和系统级验证，并在重点客户端通过相应的可靠性和板卡级性能测试，部分产品已形成小批量出货。公司在SiC技术领域也取得了实质性进展，为未来的产品多样化和市场扩展奠定了坚实的技术基础。随着第三代化合物半导体器件的逐步量产和市场推广，公司有望在功率半导体市场中占据更重要的地位。面对第三代半导体器件产业化窗口期，公司将通过技术迭代与产线协同优化，持续提升产品竞争力。未来，随着产线爬坡计划的推进及战略合作伙伴的联合开发，公司将进一步加大在半导体技术研发方面的投入，构建以SiC、GaN为核心，兼顾第四代半导体的多元化技术体系，加速SiC器件在战略新兴领域的产业化导入，并探索机器人、机械臂等成长性应用场景。

公司持续关注半导体行业的国产化进程，以激光器为核心，国内外市场统筹推进、深化合作布局。海外市场方面，持续深化与SHI公司的合作，稳定为其供应碳化硅退火制程的深紫外激光器，凭借可靠的产品性能与稳定的交付能力，进一步巩固双方合作黏性。国内市场方面，加强与国内半导体厂商的合作，为其定制的晶圆缺陷检测的专用激光器，已顺利通过客户验证。

晶体生长设备是用于制备高纯度单晶材料的关键设备，通过直拉法（CZ）、区熔法（FZ）或化学气相沉积（CVD）等工艺，在严格控温、控压及气氛环境下生长半导体级单晶硅、蓝宝石、碳化硅等晶体，广泛应用于集成电路、新能源光伏、半导体照明等领域。其核心在于精准调控晶体生长的温度梯度、提拉速率及杂质浓度，确保晶体结构完整和低缺陷密度，从而提升电子器件的性能与可靠性。随着半导体和新能源产业升级，晶体生长设备向大尺寸晶圆、自动化控制及低能耗方向持续迭代，支撑先进芯片与高效光伏电池的规模化生产需求。公司主要批量销售的晶体生长设备包括：电阻式SiC长晶炉、感应式SiC长晶炉、液相法碳化硅长晶炉、单晶硅生长炉。

2023年4月13日，公司在投资者关系活动记录表中披露，作为国内为数不多的提供全链条解决方案的能源互联网服务商，威胜信息围绕数字电网，在应用层、网络层、感知层都有相关的技术研发，在应用层布局人工智能与源网荷储一体化技术，在网络层布局边缘计算、第五代HPLC芯片技术，在感知层布局智慧感知、第三代半导体技术。另，2021年6月23日中国证券报讯，威胜信息6月23日与湖南三安、北京智芯签订了《碳化硅全产业链关键技术研究及产业化联合实验室共建意向书》，三方拟共建碳化硅联合实验室，拓展“芯”赛道。据介绍，联合实验室将围绕电力、轨道交通、汽车电子等关键领域，开展碳化硅MOSFET应用特性、碳化硅MOSFET芯片及工艺、驱动芯片研究；开展大功率直流电源模块、超级充电桩及源网荷储相关装置等技术研究及应用试点示范，并联合申报碳化硅功率模块科技项目，适时申报和创建国家创新中心。

2024年1月11日，公司在投资者关系活动记录中披露，在第三代半导体领域，公司已积累了较多客户。公司目前了解到的客户的制程要求多为 180nm 及以上，现在公司深圳工厂可以覆盖第三代半导体掩膜版需求。

2026年1月26日公司在互动平台披露，公司为生产第三代半导体材料（包括GaN）的化学气象沉积设备提供配套材料和部件，但未涉及碳化硅、氮化镓材料的生产。

2025年7月24日公司在互动平台披露，公司高压GaN主要应用于AC-DC领域，用于AC-DC控制器的开关管功率管。2021年12月7日公司在互动平台披露，公司在第三代半导体主要从GaN驱动切入，目前已有直接驱动GaN功率管的电源主控芯片产品验证成功推向市场。

2021年6月17日公司在互动平台披露，公司是福州紫荆海峡科技投资合伙企业（有限合伙）的有限合伙人，认购有限合伙份额2500万元人民币，占紫荆资本认缴出资额的2.27%，截至目前实缴份额2500万元人民币。福州紫荆海峡科技投资合伙企业（有限合伙）主要投资领域包括节能环保、先进制造、医疗健康等领域，并通过湖南华业天成创业投资合伙企业（有限合伙）间接持有英诺赛科（苏州）半导体有限公司的股权。

2024年3月，公司将“碳化硅单晶研发项目”及“光储一体化能源利用项目”预计达到可使用状态的时间延期一年至2025年3月，项目原定的实施主体、实施地点、募集资金用途及投资规模等其他事项保持不变；将“年产1,000吨高端精密硬质合金棒型材智能制造项目”预计达到可使用状态的时间延期至2025年12月。

公司专注于研发、制造、销售半导体后道工序的封装测试设备。公司抓紧在手项目的落地，加快半导体设备领域的产品突破和产业化进程，已完成高精度显示芯片倒装键合机、高速共晶固晶机、软焊料固晶机、AOI检测、MiniLED芯片分选机、MiniLED贴膜机、引线框架贴膜和检测设备的研发，并形成销售订单。在半导体材料的细分领域，引线框架生产检测设备上也有布局，已批量交付引线框架贴膜机、引线框架AOI检测机等。公司也在积极调研和拓展倒装封装、系统级封装、面板级封装、晶圆级封装、2.5D/3D封装等先进封装制程和第三代半导体相关高端装备。

公司全塑封的TO247碳化硅 MOSFET芯片封装测试业务持续小批量生产出货。

公司产品研发不断向系列化、前沿化发展，逐步开发了功率MOSFET、IGBT、宽禁带第三代半导体功率器件、IPM模块、ESD、TVS系列产品、功率整流桥、光电耦合器等市场空间广阔的器件类别，SiC/GaN等第三代半导体产品加速布局，高压整流、超低压降技术接近国际水平。

公司产品正硅酸乙酯作主要用于化学气相沉积法（简称LPCVD）构建半导体衬底表面的二氧化硅绝缘层，是第三代半导体材料和新兴半导体产业中重要的前驱体材料之一。

公司构建从元件模块、硬件系统、软件控制到产品应用的自下而上电力电子技术基础架构，打造硬件（电路设计、磁性元器件设计与选型、磁集成、PCBA和组装制造工艺等）、软件（驱动、控制算法、数据通信、远程监控、AUTOSAR BSW/ASW、APP开发、AI大语言模型功能应用等）、结构(外观、内部堆叠、密封、机械应力、散热等设计)、第三代半导体功率器件（GaN HEMT和SiC MOSFET）、材料（新型复合磁材、新型散热材料、电磁干扰吸波材料、塑料类再生材料）等共性技术平台，形成软硬件集成开发优势，在多物理场仿真技术、高频磁性器件和高频驱动技术、EMI的分析与设计、PFC、电路拓扑、集成式平面变压器（6层）、大功率电机驱动与控制（300kW及以上）、高度集成动力域控制、域网络通信（CANFD、车载以太网等）、汽车功能安全认证、智能运维、AI大语言模型辅助电源高效开发、AI人机交互功能模块等方面已形成领先技术和系列产品，并申报和获授权多项专利。

公司成立至今，一直坚持在产品技术创新和研发方面保持高强度的投入，从刚开始的模拟，到数模混合，再到如今的以氮化镓和碳化硅为代表的第三代化合物领域，公司均掌握了相关测试的核心技术，并且已经应用在测设设备上实现批量销售。同时也建立了一套行之有效的研发体系，具备长期持续的研发投入能力。

公司积极布局第三代半导体碳化硅新材料产业，2020年参与北京天科合达半导体股份有限公司增资扩股，并在2021年持续加大了投资力度，目前公司已持有北京天科合达9.09%的股份，成为该公司第二大股东。2024年深圳第三代半导体材料产业园落成揭牌。该产业园是由北京天科合达半导体股份有限公司、深圳市重大产业投资集团等各方共同投资建立，将进一步补强深圳第三代半导体“虚拟全产业链（VIDM）”。公司新材料产业将具备一定规模，形成与新能源产业协同发展的格局。

2026年5月，公司搭载自主可控氧化铝磨料研发生产的SiC衬底抛光液，已成功取得国内客户批量采购订单，标志着公司自研自产磨料体系的抛光液产品正式切入第三代半导体SiC衬底抛光领域，实现了公司在第三代半导体材料市场从0到1的关键性突破，具备重要的里程碑意义。

2025年12月2日公司在互动平台披露，公司密切市场需求变化，并积极布局第三代半导体产品的规模化量产。

2021年7月7日公司在互动平台披露：从公司战略发展来看，公司通过增资入股深圳镓华，后续将借助深圳镓华在氮化镓（GaN）功率器件领域的技术优势，并发挥公司在车联网领域积累的技术和资源，双方共同开拓氮化镓在车联网领域的应用。后续公司会根据公司战略方向、市场情况等多方面考察再评估是否需要继续加大对深圳镓华的投资比例。

2023年11月27日公司在互动平台披露，公司参股企业江苏能华微电子科技发展有限公司主营业务为设计、生产和销售以氮化镓（GaN）为代表的化合物半导体高性能晶圆、器件。

碳化硅装备领域，公司开发了碳化硅长晶及加工设备（研磨、切割、减薄、倒角、抛光、清洗及检测），满足碳化硅衬底规模化产能建设需求的同时，在技术、工艺以及成本方面构筑壁垒，强化公司在碳化硅衬底领域的核心竞争力。基于产业链核心设备的国产化突破，在检测、离子注入、激活、氧化、减薄、退火等工艺环节积极布局产品体系，以高标准研发目标，逐步实现产品产业化市场突破，6-8英寸碳化硅外延设备实现国产替代并市占率领先，率先开发了12英寸碳化硅外延设备。在蓝宝石装备领域，公司开发了长晶、切片、研磨、抛光等系列设备，实现设备、工艺的高度融合，促进联合创新，提升公司蓝宝石材料领域的综合竞争力。

2025年11月4日公司在互动平台披露，公司目前代理的碳化硅产品覆盖MOSFET、MOS以及二极管等多个品类，同时，公司间接持股的芯片设计公司上海芯石，已获取碳化硅领域的IP，并成功开发出相关产品。

2022年8月12日公司在互动易平台回复“公司碳化硅产业做的怎么样”，答“公司项目相关产品的研发工作正常进行中”。

公司持股14.32%的参股公司锴威特于2023年8月18日在科创板成功上市。该公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。在第三代半导体方面，该公司的SiC功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。

第三代SiCMOSFET产品平台完成工艺平台开发，相关产品处于可靠性验证阶段。同时，公司还规划有和传统硅基IGBT/超结MOSFET驱动完全兼容的SiC产品，相关产品已完成工艺设计、产品设计，处于工程验证阶段。已开发完成1200V和650VSiC二极管平台搭建，新增产品20余款，相关产品进入量产阶段，并批量供货给多家行业龙头客户。开发SiC功率模块产品5款，相关产品处于客户验证阶段。100V/200VGaN产品开发中。

公司持有江苏万邦微电子有限公司17.49%股权。万邦微电子官网披露，其是一家从事集成电路和模组的设计研发、测试和技术服务的国家级高新技术企业。自成立以来，公司一直致力于有源相控阵雷达用ASIC芯片的研制生产，为有源相控阵雷达天线阵面的T/R组件、雷达电源、波控板等部件配套国产自主可控的集成电路，在行业内具有领先地位。近年来公司不断推进集成电路产品的国产化进程，已成功研制和生产LDO、DC/DC、运放比较器等多款通用集成电路。2021年4月9日公司在互动平台披露，公司参股子公司江苏万邦微电子有限公司产品类型中部分硅芯片属于第三代半导体产业中的配套芯片。

2020年9月4日公司在互动平台披露，金刚线在晶体硅切割领域技术成熟，也得到了普遍的运用，对于同样属于超硬材料的碳化硅，氮化镓的切片来讲金刚线在技术上具有很高的可行性，公司也正在积极探索金刚石线在高价值硬脆材料切割领域的应用。

公司2022年8月22日在互动平台披露：公司湿法设备可覆盖晶圆制造各个工艺，可应用于第三代化合物半导体SIC碳化硅。截至目前国内几大头部碳化硅产品制造的客户已向公司订购SIC碳化硅相关湿法设备近40台。

2022年8月8日公司互动易披露：第三代半导体产业技术创新战略联盟成立于2015年，公司为发起单位之一，现为理事单位。公司中央研究院对第三代半导体部分基础材料应用进行研发，最终体现在公司的照明显示产品应用上。

2025年4月25日公司在互动平台披露，在第三代半导体材料领域，覆铜陶瓷基板是公司参股公司宁波江丰同芯半导体材料有限公司的主要产品，该产品可以广泛应用于第三代半导体芯片和新型大功率电力电子器件IGBT等领域。

公司全新推出8寸全自动晶圆减薄机，覆盖碳化硅、蓝宝石及硅基半导体三大场景，满足高端芯片制造对晶圆表面质量的严格标准，其中8寸碳化硅减薄机凭借领先技术优势进入客户试用阶段。紧跟 12 寸大硅片技术趋势，公司全新推出12寸全自动晶圆减薄机、12寸晶圆倒角机和12寸晶圆切片机，受到市场高度关注，其中12寸半导体金刚线切片机已进入头部客户试用。同时，公司积极拓展3C切割场景，成功推出GC-MADW18100切片机，凭借显著的技术优势受到客户高度认可并已形成批量订单。公司将围绕泛半导体大硅片“切倒磨”等一体化解决方案，持续优化升级现有产品并积极布局新产品的研发，为市场提供更多优质、高效的设备解决方案。

2024年11月6日公司在互动易平台披露：截止2024年第三季度末，公司直接持有瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司1,258,302股股份，占其总股本比例0.3241%。瀚天天成是一家集研发、生产、销售碳化硅半导体外延晶片的国家级高新技术企业。公司可提供商业化3英寸、4英寸、6英寸和8英寸碳化硅外延晶片。

金刚石砂轮除了传统的用于磁性材料、蓝宝石、光学玻璃等加工的产品外，还包括专用于精密刀具加工的精密金刚石砂轮，和专用于包括第三代半导体碳化硅在内的半导体芯片加工过程中的减薄砂轮、倒角砂轮和CMP-Disk，以及封装过程中使用到的树脂软刀、金属软刀、电镀软刀、硬刀（划片刀）等。2025年报披露，江苏三晶第三代半导体精密制造装备及材料产业化项目，目前基建主体施工已完成并验收合格，争取年内完成全部基建具备搬迁条件，并实现部分搬迁，强化江苏三晶的研发及规模化制造能力，更好满足客户不断升级的核心需求。

2023年11月13日公司在互动平台披露，江苏能华微电子科技发展有限公司为公司参股公司江苏民营投资控股有限公司的参股公司，江苏能华已建立了GaN功率器件生产线。

该业务为高端装备的研发、生产和销售，主要产品包括光伏设备和半导体设备。光伏设备包括单晶硅生长炉、金刚线开方机、金刚线切片机等，主要用于生产光伏硅棒和硅片。半导体设备包括区熔单晶硅炉、碳化硅晶体生长设备、金刚石生长炉等，主要用于生产半导体相关材料。截至2024年12月末，乐山二期的单晶炉等核心生产设备已安装、调试完毕并达到预定可使用状态，公司高端装备生产的金刚石炉、半导体切片机等均已完成交付，钛单晶区熔炉等设备已完成基础研发工作，大尺寸碳化硅生长工艺也在持续提升中。

公司专注于晶体材料专用设备的研发与制造，产品线涵盖从晶体生长到加工的全系列应用设备。这些设备广泛应用于光伏、蓝宝石、压电晶体以及新兴的半导体行业。具体产品包括晶体生长炉、截断机、开方机、硅片研磨机和抛光机等关键设备。公司在晶体材料设备领域的核心竞争力体现在光伏和蓝宝石等晶体的生长设备以及相应的切磨抛加工设备上。近年来，公司将研发重点放在了光伏设备上。推出了最新一代RCZ单晶炉，适用于生产低氧含量的N型电池片，满足了高效太阳能电池的需求。

公司产品可以覆盖半导体产业除设计之外的全制程，经过多年持续努力，公司产品通过了美国排名前二的半导体应用设备厂商的认证并成为其一级供应商，填补了国内超高纯应用材料的空白，依托国家政策，在稳定超高纯应用材料产品品质的同时，对更多产品进行研发，覆盖于半导体制程设备和厂务端所需的真空系统和气体管路系统。公司产品已广泛应用于半导体设备厂商、晶圆制造厂以及光伏、锂电、面板等行业，无论在真空应用还是在UHP应用等级的管道、管件、阀门、腔室、精密零部件等产品被国内外客户广泛认可并大量使用。

公司自成立以来聚焦GaN材料在LED领域的技术研发，并于2020年正式进入GaN电力电子器件领域，产品将主要面向移动消费电子终端快速充电器、其他电源设备、云计算大数据服务器中心、通信及汽车应用等领域。公司外延以及器件的研发制造于2025年内成功实现突破。

晶圆代工厂广芯微电子作为对公司构建长期护城河有重要影响力的核心战略资产，公司在2024年初启动对广芯微电子的控股收购，并于2025年1月初完成股权交易的主要交割事项，广芯微电子已成为上市公司控股子公司，纳入公司合并财务报表范围，公司也成为国内少数控股晶圆代工厂，并在产业链核心环节均实现自主可控的功率半导体企业。广芯微电子项目2023年底开始量产，2024年，产线处于量产爬坡阶段。目前，广芯微电子的产销量在快速提升中，生产的产品主要包括：MOS场效应二极管45-200V全系列共百余款产品已完成开发并批量生产；200-2,000V高压/超高压/特高压DMOS产品线多款产品已完成开发并批量生产；高压BCD产品正在进行验证。体系认证方面，广芯微电子已通过IATF16949汽车行业质量管理体系认证，标志着广芯微电子在质量管理方面符合国际标准，达到了汽车行业供应链的要求，广芯微电子已具备车规极产品生产能力，并开始小批量生产。

公司主营业务是以IGBT、SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售。公司总部位于浙江嘉兴，在上海、浙江、重庆和欧洲均设有子公司，并在国内和欧洲均设有研发中心。公司长期致力于为高能效、绿色化和智能化应用提供全面的半导体及系统解决方案，产品组合覆盖IGBT、SiCMOSFET、GaNHEMT、快恢复二极管等功率半导体器件以及汽车级与工业级MCU、栅极驱动IC芯片等，广泛应用于新能源、新能源汽车、工业控制与电源、白色家电、AI服务器电源、数据中心、机器人及低空/高空飞行器等领域。

公司主要生产导电型碳化硅衬底材料，为半导体器件制造的关键原材料，可广泛应用于功率器件，需求有望随着器件市场规模的增长而取得快速增长。2024年，公司半导体业务主要进行高规格6英寸和8英寸衬底的研发验证工作，小规模生产供货，导致营收下降，而在新工艺参数调试过程中，虽加严成本管控，亏损收窄，但毛利情况仍不理想。审慎起见，2024年度东尼半导体对其存货计提存货跌价损失约1.71亿元。

相控阵是公司新技术创新突破及未来发展的方向之一。公司技术团队结合第三代半导体材料的发展成果，自主研发了一种不同于传统T/R组件的新型相控阵产品，具有尺寸小、重量轻、免维护和低功耗的优点。基于以上优点，公司新型相控阵产品除了可运用于商用卫星领域，还可以应用于精确制导雷达、星载雷达及机载雷达等军事武器装备中，这将进一步扩展公司产品在军事领域中的应用，提高公司的行业地位。

2024年10月18日公司在互动平台披露，子公司顶立科技在第三代半导体用关键材料与装备方面围绕“四高两涂一装备”的技术和产品布局，即高纯碳粉、高纯碳化硅粉、高纯碳纤维隔热材料、高纯石墨、碳化硅涂层石墨基座/盘、碳化钽涂层石墨构件和超高温石墨提纯装备。其生产的特种热工装备广泛应用于半导体材料生产领域，并围绕第三代半导体材料的关键技术难点进行攻关，具备为碳化硅单晶生产企业提供高纯原料及耗材配套的能力。2022年8月1日公司在互动平台披露，子公司顶立科技生产的高纯碳粉少量试用于人造钻石的生产，高纯碳粉产品可用于制备碳化硅单晶材料、锂电池负极材料、人造钻石等。

公司多年来持续围绕电力电子技术进行上下游产业链投资，通过“并购+孵化”不断拓展业务领域。2023年公司新增参股公司9家，对外股权投资（剔除投资后合并报表的控股子公司）总金额为14,615万元；2023年因投资公司估值提升而获得公允价值变动收益、投资收益共2.76亿元。截至目前，公司对外股权投资（剔除投资后合并报表的控股子公司）的公司达到42家，累计对外股权投资金额为5.37亿元，累计获得公允价值重估收益、投资收益等合计6亿元，持续高效投资在获得业务协同的同时，投资收益也开始逐步显现。目前投资已涉及新一代碳化硅半导体材料、AR/VR光学模组、新一代加热陶瓷、工控解决方案、智能装备、纳米材料、射线源、储能、石油开采、新能源汽车热管理、高速高效电机、精密轴承、新能源车分布式动力、液压悬挂系统等方面的企业，其中部分企业已经取得非常好的进展，市场价值提升迅速。

碳化硅作为第三代半导体的核心材料，凭借其优异的物理特性，在新能源汽车、光伏储能、5G通信、AI数据中心等领域展现出广阔的应用前景。公司专注于高品质碳化硅材料的研发与产业化。2025年内，公司持续加大研发投入，在8英寸导电型及半绝缘型晶体生长技术上取得关键突破，关键缺陷位错密度进一步优化至业内第一梯队水平：BPD＜300个/cm2、TSD＜30个/cm2、TED＜1500个/cm2。 相关产品已实现批量稳定生产，部分样品已送至国内头部客户进行测试验证。在半绝缘型产品方面，公司在原有6英寸技术基础上，成功开发并完善了8英寸半绝缘型晶体生长工艺，掌握了高纯半绝缘粉料合成、晶体生长等核心技术，部分样品已送至国内头部客户进行测试验证。2025年内，公司已实现晶体生长环节90%的原材料国产化率，晶片加工环节100%的原材料国产化率。2026年初，公司在碳化硅大尺寸衬底领域取得突破性进展，成功开发出12英寸碳化硅衬底。目前，公司正积极推进12英寸衬底的工艺优化与客户验证准备工作。新能源汽车800V高压平台、AI算力基础设施、光伏储能及AR眼镜等新兴场景对碳化硅材料的需求持续显现。公司坚持在碳化硅领域深耕发展，以高性价比、高国产化率的产品助力下游产业链自主可控，为中国的三代半导体事业添砖加瓦。

公司主要从事开关电源的研发、生产、销售和技术服务，致力于为客户提供高品质、高性价比的LED驱动电源与消费类电子电源。公司作为国内较早上市的电源企业，已成为行业知名品牌，在LED驱动电源与消费电子类电源行业具备良好的口碑，与众多国内外知名品牌企业建立了长期稳定的合作关系。公司积极推动第三代半导体材料应用于电源产品，氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）器件应用占比不断提升，推动产品性能与可靠性全面提升。目前公司光伏发电及储能业务仍处于初步发展阶段，市场整体影响力较小，但凭借国资背景及优秀核心经营团队的加持，顺应“双碳”潮流，把握光储充一体化趋势，强化储能业务的业务能力，力争实现市场影响力进一步扩大。

2025年12月1日公司在互动平台披露，第三代半导体器件的应用有助于电源产品转换效率和功率密度的提升，因此公司在多款产品中应用了相关器件，推进产品转换效率的提升、减少能耗。

公司深耕Ⅲ-Ⅴ族化合物(GaAs、GaN、InP等）半导体领域，构建了从材料外延、芯片设计到工艺制造的全链条自主技术体系。Ⅲ-Ⅴ族化合物具备直接带隙、高电子迁移率、耐高温、抗辐射等优异特性，可适配高频、高功率等高端应用场景，可延伸应用于商业航天核心元器件，亦可用于制造星载相控阵T/R组件、抗辐射射频芯片、航天级砷化镓太阳能电池等核心器件，适配卫星通信、姿态控制、能量供给等关键场景。依托多年的技术沉淀，公司重点布局的Ⅲ-Ⅴ族化合物核心品类已在航天光伏、背光显示、车载照明、数据通信等应用持续深化，同时有望拓展延伸至其他基于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的卫星应用场景，为公司布局商业航天作为第二增长曲线奠定坚实的技术基础。

2021年7月1日公司在互动平台披露，公司有基于氮化镓材料的封测业务。2021年2月有投资者提问：请问贵公司在碳基芯片半导体，也就是第三代有研发投入吗；2021年2月23日公司在互动平台回复：有。

2020年2月26日公司在互动平台披露，子公司淮安光电是行业内极少数具有从衬底切磨抛、PSS、外延片到芯片的完整产业链的公司，公司主要产品为蓝绿光LED芯片，即在蓝宝石衬底上生长制造氮化镓发光二极管，公司在LED芯片相关领域有专利技术。

2025年12月24日公司在互动平台披露：公司目前间接持有粤芯约5.46%的权益。2019年5月公司在互动平台上表示，粤芯半导体采购的是荷兰ASML的光刻机，已于2019年3月中旬搬进粤芯半导体主厂房，目前在做量产前的最后调试准备。光刻机等主设备的顺利进驻，为粤芯半导体量产计划提供了有力保障。2019年9月10日公司在互动平台披露：经了解，粤芯半导体联合中标工信部半导体、芯片、关键零部件等领域的产业技术基础公告服务平台建设项目，情况属实。此建设项目面向第三代半导体碳化硅芯片制造技术，开展“卡脖子”核心装备研制，重点解决高硬度材料的高平整度、低粗糙度高效加工技术等难题。粤芯半导体项目是国内第一座以虚拟IDM (irtuallDM)为营运策略的12英寸芯片厂，是广州第一条12英寸芯片生产线，已列为广东省、广州市重点建设项目。产品包括模拟芯片、图像传感器、电源管理芯片、功率分立器件等，满足物联网、汽车电子、工业控制、5G等应用的模拟芯片需求。

控股子公司铖昌科技作为T/R芯片研发和量产单位的民营企业代表之一，在技术及成本上具有双优势。2025年10月30日公司在互动平台披露，卫星互联网低轨卫星行业发展提速，随着卫星的批量发射和组网应用，该领域将成为铖昌科技营收新的增长点。铖昌科技保持在卫星地面终端领域的领先优势，与产业下游用户合作关系紧密，针对下一代低轨通信卫星以及地面配套设备新研发出多款产品。2025年7月15日公司在互动平台披露，铖昌科技主要向市场提供基于硅基、砷化镓、第三代半导体氮化镓工艺的系列化产品以及相关的技术解决方案。2025年5月15日公司在互动平台披露，铖昌科技作为国内少数能够提供相控阵T/R芯片完整解决方案的企业，目前产品已批量应用于探测、遥感、通信、导航等多个领域。2024年4月8日公司在互动平台披露，铖昌科技对于5G毫米波通信应用进行了毫米波束赋形芯片的研发，相关产品已经多轮迭代开发。

2025年11月16日公司在互动平台披露，公司已形成对砷化镓、磷化铟、氮化镓等材料体系的覆盖，产品广泛应用于车载照明、显示背光、智能终端、安防传感、光通讯五大核心领域。

2025年9月29日公司在互动平台披露，子公司国星半导体拥有深厚技术积累与全链条布局。作为国家级专精特新“小巨人”企业，公司深耕碳化硅、氮化镓等第三代半导体领域十余年，公司关键技术获省技术发明奖一等奖，并协同“芯片+封装”垂直一体化优势，不断提升产品核心竞争力，目前主要产品已进入市场主流梯队。

2022年10月，公司全资子公司平潭瑞旭与金研为政、季思谊、葛梦露、浙江钱塘江金研资产管理有限公司、陈勰签署了“合伙协议”。杭州金研器道股权投资合伙企业（有限合伙）全体合伙人的目标总认缴出资额为4,555万元人民币。平潭瑞旭作为有限合伙人以自有资金认购出资额2,000万元，占认缴出资比例的43.91%。杭州金研器道股权投资合伙企业（有限合伙）作为专项基金，投资国内具备先进核心技术和自主知识产权的高科技半导体及智能制造相关标的公司。

公司在二极管/晶体管、ESD和中低压MOSFET等传统产品线保持一向稳健的市场表现，为公司贡献了稳定的现金流，有力支撑了公司在中高压MOSFET、IGBT、GaN、SiC和更多的模拟IC产品的研发。在三代半领域，公司实现了GaN产品D-M系列产品工业和消费领域的销售，同时E-M产品通过所有测试认证，于2024年开始销售，奠定了安世在GaN领域的行业地位；公司实现了SiC整流管的工业消费级的量产和MOSFET的工业消费级的测试验证，为2024年SiC工业和消费的量产打下了坚实的基础，SiC MOSFET产品线的建立，让公司进入三代半1200V高压市场，拓展新的增长空间。公司去年开始建设的8寸SiC及GaN产线目前已完成设备进场；在模拟芯片产品中，公司围绕AI电源及车规应用两大核心应用场景，近期密集发布系列新产品，并加快客户认证导入；预计2025年底公司将实现超过200颗模拟芯片量产料号。

金博研究院持续开展技术攻关与产品开发，开发的超高纯软毡、高纯固化毡等新产品，已应用于硅基半导体和碳化硅半导体生长等高温热场系统；开发的高性能碳化钽涂层及其制备技术，可满足碳/碳复合材料、石墨等不同碳基材料基底的抗腐蚀涂层制备需求，可广泛应用于单晶硅、碳化硅等高纯晶体制造热场系统。金博研究院已完成第三代半导体碳化硅合成用超高纯碳粉、多款灰分5ppm以下超高纯碳/碳热场、超高纯软毡、硬毡等系列产品的研发与产业化，可广泛应用于半导体晶体生长的高温热场系统，相关产品已在多家碳化硅衬底制造厂商进行验证并应用。

公司在第三代宽禁带半导体领域取得显著进展，SiC和GaN产品均实现重要突破。（1）SiC：碳化硅功率器件及模块产品销售收入实现翻倍以上增长。SiC MOS G3/G4平台Rsp性能达到国际先进水平，已形成650V/750V/1200V系列化产品矩阵，在商用车主驱、大功率快充模块实现批量供货。SiC JBS G3产品稳定交付，广泛应用于光伏逆变、储能、充电桩等领域。针对数据中心和光储系统需求，已完成1700V/2200V电压平台产品的开发与量产。车规级SiCMOS及碳化硅模块研发稳步推进，多款产品实现批量上车应用。GaN：氮化镓外延中心正式启用，产能扩充有序推进。D-mode 650V G5平台多款产品进入量产阶段，关键技术与客户突破成效显著。公司推出的第四代D-mode GaN系列新品，该产品可广泛应用于AI服务器电源、车载充电机（OBC）、激光雷达、机器人关节驱动、高端快充等高增长领域，为中高电压、大电流、高频高效以及对空间和重量敏感的应用场景，提供更高效、更紧凑的能源解决方案。

2026年3月12日公司在互动平台披露，公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截至目前，公司拥有氮化镓和碳化硅相关发明专利5件和实用新型专利6件，此外，公司还有8个发明专利尚在申请受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封测，该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段。

公司持续增加对第三代半导体芯片行业的投入，加大在以SiC为代表的第三代半导体功率器件等产品的研发力度，以进一步满足公司后续战略发展需求。2025年，公司投资的SiC芯片工厂通过IDM模式实现650V/1200V/1700V的SiC MOS产品从第二代升级到第三代。公司在碳化硅尤其是SiC MOS市场份额持续增加，当前各类产品已广泛应用于AI数据中心、新能源汽车、光伏、充电桩、储能、工业电源等领域。

2026年2月27日公司在互动平台披露，聚能创芯于2023年完成融资后不再是公司控股子公司，不再纳入公司合并报表范围；但这并不意味着公司不再关注GaN领域，公司是以新的角色继续关注、支持聚能创芯氮化镓（GaN）业务的发展。

2026年2月10日公司微信公众号披露，公司正式完成对第四代半导体新锐企业“镓创未来”的战略投资。此次投资不仅为镓创未来注入了新的发展动力，也标志着蓝海华腾在第四代半导体领域的探索与实践开启了新的篇章。镓创未来依托西安电子科技大学的技术背景，核心团队拥有十年以上的研发经验，是国内具备氧化镓异质外延片量产能力的企业之一。公司采用自主研发的卤化物气相外延（HVPE）工艺，在碳化硅、蓝宝石等衬底上实现高质量氧化镓外延生长，关键参数达到国际领先水平，为氧化镓功率器件的商业化应用奠定了坚实基础。

2022年8月31日公司在互动平台披露，公司主要是基于参股公司Saphlux研发的第三代半导体做LED的应用开发。2024年4月16日公司在互动平台披露，半极性氮化镓材料被视为下一代氮化镓，据了解，Saphlux的半极性氮化镓材料尚需进一步研发，目前未进入大规模应用阶段。

公司紧跟国家发展战略，专注先进前驱体（包含MO源）、电子特气和光刻胶等三大核心电子材料的研发、生产和销售，产品广泛应用于集成电路、平板显示、LED、第三代半导体、光伏和半导体激光器的生产制造。凭借强大的研发创新实力、领先的生产技术、扎实的品质管理体系以及专业的市场服务能力，各类产品的技术、品质、产能和服务逐步跻身行业前列。

2023年3月31日公司在互动平台披露，在第三代半导体领域，公司牵头筹建了广东省宽禁带半导体材料及器件创新中心并在2016年投资成立东莞南方半导体科技有限公司，现持有其4.67%股份，该参股公司主要承担国家第三代半导体产业南方基地、广东省第三代半导体材料及器件制造业创新中心建设任务。此外，公司也承担了2019年广东省科技厅第三代半导体重大专项中SiC功率器件应用技术研发及产业化课题，将第三代半导体氮化镓、碳化硅功率器件进行实际应用，逐步对公司现有产品的功率器件进行替代升级，实现更好效能。

公司自2010年成立以来，以GaN基蓝绿光LED外延片、芯片为切入点进入光电器件领域，恪守战略定力、奉行长期主义，从零开始到利润领先，打造出稳定优质的“现金牛”业务，形成系统性竞争优势，取得丰硕成果。GaAs基红黄光LED业务从2017年启动规划至2024年落地实施，历经漫长严谨的论证，公司在条件初步成熟时快速开展项目建设，精准把握Mini直显、植物照明、车载照明等蓬勃发展的契机。GaAs基红黄光LED业务预期快速成为公司下一个“现金牛”业务，公司将成功打造双业务矩阵，成为全色系LED芯片领域的引领者。

湖南三安系国内为数不多的碳化硅产业链垂直整合制造平台，产业链包括晶体生长—衬底制备—外延生长—芯片制程—封装测试，产品已广泛应用于新能源汽车、光伏储能、充电桩、AI及数据中心服务器等领域。目前，湖南三安已拥有6吋碳化硅配套产能16,000片/月，8吋碳化硅衬底、外延产能1,000片/月，8吋碳化硅芯片产线正在建设中，拥有硅基氮化镓产能2,000片/月。2025年3月28日公司在互动平台披露：车载充电机、空调压缩机用SiCMOSFET已实现小批量出货，主驱逆变器用SiCMOSFET已在重点新能源汽车客户处导入可靠性验证。

公司已经建立了可持续发展的产品和技术研发体系。多品类的模拟电路、变频控制系统和芯片、MEMS传感器产品、以IGBT、超结MOSFET和高密度沟槽栅MOSFET为代表的功率半导体产品、第三代化合物功率半导体产品（SiC、GaN功率器件）、智能功率模块产品（IPM）、车规级和工业级功率模块产品（PIM）、高压集成电路、美卡乐高可靠性指标的LED彩屏像素管等新技术产品都是公司长期在这个技术研发体系中依靠自身的高强度投入和积累完成的。

参股公司华芯科技建有国内首条6吋化合物半导体生产线，是经国家发改委立项并建设的具有国际先进水平的高性能集成电路制造生产线，开发了成熟稳定的砷化镓有源/无源、氮化镓功率芯片、射频功放芯片、光电感知芯片、碳化硅功率芯片六大工艺制程。产品应用涵盖5G移动通信、雷达探测、新能源汽车及充电桩、光伏、轨道交通、消费类电子、光纤通讯、3D感知等领域。参股公司华芯科技建有高性能集成电路生产线，积极把握高性能、多功能集成电路发展的重要机遇，持续加大技术研发投入，在氮化镓、砷化镓、碳化硅三个新材料芯片方向实现了技术突破，建立了快充芯片、功放芯片、光电感知芯片、新能源芯片等的制造能力。公司在碳化硅、氮化镓第三代半导体芯片制造领域，专利数量排在国内前列,是中国5G联合技术创新中心成员，参与了5G器件标准制定。公司在5G基站功放芯片，GaN（氮化镓）快充芯片，SiC（碳化硅）充电桩芯片性能上处于国内领先地位，并发布了自动驾驶汽车激光雷达5G毫米波芯片工艺制程。

2025年9月19日公司在互动平台披露，砷化镓信道类MMIC已基本铺齐，实现自主可控，可持续批量供货。同时可以根据用户需求开展定制化多功能芯片开发，目前已有成功开发案例，并已进入批产阶段。氮化镓芯片方面，已开发用于机载平台、弹载平台的功放芯片、驱放芯片、开关芯片等，目前正在进行可靠性验证。

公司具有自主可控的功率半导体产品设计和制造技术，建有完整的晶圆制程、芯片制程、封装测试一体化产线。公司拥有半导体技术专利61项（其中发明专利13项）和多项专有技术，近几年主持和参与起草30余项国际标准、国家标准和行业标准。公司被授予三个省级科研平台和一个省级专家工作站，长期保持与科研院所和高校开展产学研合作，持续跟踪碳化硅、氮化镓等第三代宽禁带半导体技术研发和应用。公司大功率半导体器件技术质量水平在国内同业保持领先，大功率半导体脉冲开关技术达到国际领先水平，在国内重大前沿科技项目得到应用。