第三代半导体概念股龙头股&第三代半导体板块成分股

公司全资子公司合肥高纳半导体科技有限责任公司主要从事第三代半导体SiC单晶生长和设备研发、SiC衬底加工、SiC外延生产销售。公司重点研发和生产第三代半导体材料碳化硅晶体，目前有8英寸电阻炉和电感炉10台。公司将继续加快碳化硅晶体的研制工作，力争尽快实现小规模量产，同时进行衬底加工生产线的建设及其研发、验证和小规模量产。公司在碳化硅制程相关设备成立了专门的研发团队，为未来市场化布局核心技术和竞争力。

在第三代半导体器件方面，公司SiC功率器件产品主要包括SiC MOSFET和SiC SBD（肖特基势垒二极管），SiC MOSFET导通电阻小，开关损耗低，工作温度范围宽，阈值电压一致性好，可广泛用于新能源汽车及配套、工业照明、大功率电源、高可靠领域等，公司产品目前以高可靠领域应用为主。SiC SBD可广泛用于新能源汽车及配套、大功率电源、逆变器、高可靠领域等，公司产品目前以高可靠领域应用为主。公司加大SiCMOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发，2023年与国内晶圆代工厂合作开发了1200V、1700V SiC MOSFET的生产工艺平台，其中1200V SiC MOSFET工艺平台已成功进入中试阶段。

公司在功率半导体、芯片级贴片封装、第三代半导体等领域产品丰富。公司拥有先进的半导体自动化生产线，在功率器件、功率IC等产品领域不断拓展产品系列。公司拥有SOT23-X、SOP、TO-252、PDFN5×6、DFN系列、PDFN3×2等多种型号的封装形式，可以高质量实现年产超百亿只半导体器件。公司产品结构多样：封装涉及80多个系列，产品覆盖领域广，对于多层次产品需求，能够充分满足客户一站式的采购要求。同时，公司集成电路产品拥有LDO、AC-DC、DC-DC、锂电保护IC、LED驱动IC等多种类别，覆盖范围广，技术含量高，其中公司利用掌握的全集成锂电保护IC技术，成功将高密度框架封装和多芯片合封技术应用于锂电保护IC产品，不仅有效降低了导通电阻，提高了电流能力，而且通过内部集成MOSFET和控制IC的锂电池保护方案，无需任何外围电路，有效降低了产品成本。此外，公司产品灵活度高，创新性强，可以利用自身技术、设备等优势，满足客户对于个性化的产品需求。

公司生产的碳化硅单晶炉主要应用于6-8英寸碳化硅单晶衬底，具有结构设计模块化、占地小、高精度控温控压、生产工艺可复制性强、高稳定性运行等特点。公司碳化硅单晶炉包含PVT感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等类别产品，下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备：①在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片，可进一步制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，下游应用领域主要包括新能源汽车（主驱逆变器、车载充电机（OBC）、车载电源转换器、充电桩、UPS等）、光伏发电（光伏逆变器）、工业、家电、轨道交通、智能电网、航空航天等；②在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片，可制成HEMT等微波射频器件，下游应用领域主要包括5G通信、卫星、雷达等。

2022年3月，公司拟与北京创镓半导体材料科技合伙企业（有限合伙）共同出资设立观想新芯材料科技有限公司，观想新芯注册资本为10,000万元人民币，其中公司拟占股51%，北京创镓拟占股49%。控股子公司将充分利用公司在装备全寿命周期健康管理、装备数字孪生及高性能传感器综合集成应用等新一代信息技术的优势，以及北京创镓在第三代半导体材料相关设备研制、工艺研发和检验检测等先进技术整合能力，共同实现第三代半导体材料的自主可控。

公司2023年1月20日在互动平台上披露：公司所属全资子公司西安西电电力系统有限公司，持有陕西半导体先导技术中心有限公司36%股权。2019年，为促进电力电子业务发展，经公司批准，同意由西电电力系统与陕西西安电子科大资产经营有限公司、西安高新产业投资有限公司和自然人共同出资设立陕西半导体先导技术中心有限公司。该公司注册资本5000万元，其中，西电电力系统出资2250万元，持股45%。

公司为了应对激烈的市场竞争，不断加大新产品研发力度，逐步实现从面向消费类电子市场为主调整为面向新能源、工业、汽车等新领域为主，具体情况如下：8英寸生产线：2023年IGBT和FRD等新工艺平台产品通过了国内头部车企客户的可靠性认证，实现了稳定量产，公司产品正式进入车规级市场。MOS、BCD等工艺平台持续稳定量产，良率保持在98%以上；12英寸生产线：2023年内完成首款高密度功率器件产品的可靠性认证，良率持续提升；第二款产品完成样品开发并提交客户可靠性验证，正在小批量流水；6英寸SiC生产线：本年度SiC基业务板块稳步发展，1200VSiCMOS器件产品已产出合格样品，各项参数合格，提交客户验证。

2022年8月1日公司在互动平台披露，公司具备封测第三代半导体产品的能力，并已开展相关业务。2023年3月2日公司在互动平台披露，公司2022年已为国际知名汽车电子客户开发的第三代半导体碳化硅产品，具备无铅化、耐高压、高功率等优势，应用于客户新能源车载逆变器等领域，在国内首家通过客户考核并进入量产。

公司半导体自动化测试系统主要覆盖功率半导体和模拟及数模混合集成电路测试系统领域。公司在功率半导体深耕20余年，具有深厚的技术储备和客户基础。经过多年发展，产品种类不断丰富，性能不断提升，目前已成为国内功率器件测试能力和功能模块覆盖面最广的供应商之一，测试产品覆盖功率二极管、MOSFET、IGBT、可控硅以及第三代半导体SiC、GaN等主流及功率模块，并凭借产品的性价比优势以及本土化销售及服务优势，陆续获得国内外知名半导体厂商的认可，与客户建立长期合作关系，品牌知名度和市场份额不断提高，现已占据领先的市场地位。公司模拟及数模混合集成电路测试系统在公司产品线中较新，且集成电路测试系统在客户端验证周期较长。公司自2015年规模销售以来逐步完善产品并拓展客户，目前仍处于产品开拓期。2023年，公司加大了新一代产品QT-8400系列测试系统的市场推广，该测试系统主要面向IGBT、第三代半导体碳化硅、氮化镓芯片和功率模块的电性能测试，下游应用主要集中在新能源、电动汽车、高铁等大功率应用领域。

2022年6月20日公司在互动平台表示，我司的YH2M8432C高精度立式双面研磨(抛光)机可用于阀板、阀片、磨擦片、刚性密封圈、气缸活塞环、油泵叶片等金属零件，以及硅、锗、石英晶体、玻璃、陶瓷、蓝宝石、铁氧体、铌酸锂等非金属硬脆性材料制作的薄片零件的双面研磨和抛光。同时，我司也有用于半导体材料减薄和抛光等工序的研磨抛光设备。

在第三代半导体领域，长飞先进半导体完成了总额约人民币36亿元的股权融资，并启动了年产可达36万片SiC MOSFET晶圆的第三代半导体功率器件研发生产基地项目建设。目前，该公司业务进展顺利，已具备碳化硅产品自主研发及量产能力。其拥有完全自主知识产权的1200VGen3 SiC MOSFET设计及工艺平台，相关产品比导通电阻性能跻身世界先进水平，且该产品良率已达80%，亦处于行业前列。

2024年上半年，公司通过嘉兴临澜股权投资合伙企业（有限合伙）间接持有安徽长飞先进半导体有限公司509.7821万股，2023年末持股比例占长飞先进总股本的1.7239%。长飞先进年产36万片碳化硅晶圆的武汉基地正式迎来主体结构封顶，项目的顺利封顶标志着长飞先进三大基地——芜湖基地、上海技术中心、武汉基地布局初步形成。

2023年，公司自主研发的G11光掩膜版和G8.5光掩膜版获得由四川省经信厅、四川省财政厅颁发的“2022年度四川省重大技术装备国内首批产品”荣誉认定。目前公司已实现180nm及以上制程节点半导体掩膜版量产，满足先进半导体芯片封装、半导体器件、先进指纹模组封装、高精度蓝宝石衬底（PSS）等产品应用。公司通过自主研发，储备了150nm节点半导体掩膜版制造核心技术，同时公司已掌握的半导体掩膜版制造技术可以覆盖第三代半导体相关产品，为我国半导体行业的发展提供关键的上游材料国产化配套支持。

公司在星载领域具有深厚的技术积累和项目配套优势，推出的星载T/R芯片系列产品在多系列卫星中实现了大规模应用，公司芯片的应用提升了卫星雷达系统的整体性能，得到了客户的高度认可。公司不断拓展在星载领域产品应用的卫星型号数量，参与的多个研制项目陆续进入量产阶段。基于公司的技术积累和行业口碑的建立，与客户合作关系日渐巩固，更有效地推进了产品在其他应用领域的拓展。公司的地面领域产品主要以各类型地面雷达T/R芯片为主，其中大型地面雷达具有相控阵阵面大、T/R通道数量多、探测距离远的特点。公司产品第三代半导体GaN功率放大器芯片也已实现规模应用，GaN功率放大器芯片具有体积小、宽禁带、耐高压、耐高温、高功率密度等多方面优势，可满足高功率相控阵雷达的应用场景。2023年内，公司在机载领域拓展进展可观，产品主要以机载通信应用的相控阵天线T/R芯片为主，用于支撑系统感知体系的建立。公司产品已在多个型号装备中逐步进入量产阶段，将为公司带来新的增长空间。

通用电源管理芯片性能要求高、研发投入大，该领域由国外厂商PI、Iwatt、MPS和Onsemi等主导，国内厂商主要包括昂宝电子、芯朋微和必易微等。国产化程度较低，国内有竞争力的厂商数量较少，国产替代的市场空间大。公司在通用光源类照明产品领域通过多年努力和积累，已经拥有众多优质稳定客户和较高市场占有率；在国产化率较低的商业类中大功率照明领域，已取得技术突破并推出相应产品；在兴起时间较短智能照明领域，公司虽起步时间较晚，但产品性能已达到行业领先水平。通用电源领域由国外厂商为主导，公司产品布局较为完整，尤其在快充领域，已实现至65W输出功率全覆盖并在多家客户量产。公司已推出驱动第三代半导体氮化镓器件的电源管理芯片，是通用电源应用领域能够提供多样化电源管理芯片品类及方案的芯片设计企业。产品性能和品质已获得越来越多的知名品牌客户认可，公司在该领域已服务的终端客户主要包括安克创新、奥海、传音控股、帝闻、公牛、坤兴、努比亚、诺基亚、欧陆通、天宝和紫米等。

在功率及能源应用领域，公司与头部用户紧密合作，持续投入资源和技术创新。公司扩大第三代半导体功率器件及模块产能，不断拓展TOLL、TO263-7、TO247-4开尔文封装形式，开发底部、顶部和双面散热等新型散热结构，应用银烧结和DBC等先进工艺。公司聚焦垂直供电模块VCORE，其通过垂直集成技术极大提升功率密度和热管理效率，减少电能损耗，在AIGC服务器电源中炙手可热。公司已在VCORE模块的封装材料、结构、热管理、制造工艺以及技术服务等方面积累了丰富经验。

2022年6月13日公司在互动易平台披露：公司已有多个电源适配器产品使用氮化镓技术，其中有包括联想拯救者系列氮化镓充电器。

公司积极布局基于第三代功率半导体SiC材料的功率器件领域。2023年末，公司已开发出SiC二极管，并发明具有自主知识产权的Si2CMOSFET。其中，Si2CMOSFET已通过客户的验证并实现小批量供货，应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等，实现了对采用传统技术路线的SiCMOSFET的替代，市场前景广阔。报告期内，公司研究开发的基于18V~20V驱动平台的1200VSiCMOSFET完成自主设计流片和可靠性评估工作，同时，基于15V驱动平台的SiCMOSFET已经进入内部验证阶段。公司致力于发展全球客户，目前在欧洲市场进展良好，产品送测认证至电动工具、新能源汽车车载充电机、工业电源、工业控制、家电、工业照明等领域，并实现了批量出货。

公司是一家国内领先的宽禁带半导体材料生产商，目前主要从事碳化硅半导体材料的研发、生产和销售，产品可广泛应用于微波电子、电力电子等领域。宽禁带半导体材料在5G通信、新能源汽车、储能等领域具有明确且可观的市场前景，是半导体产业重要的发展方向。公司已经实现8英寸导电型衬底、6英寸导电型衬底、6英寸半绝缘型衬底、4英寸半绝缘衬底等产品的批量供应，主要客户包括国内外电力电子器件、5G通信、汽车电子等领域知名客户。公司积极优化产能布局。目前已形成山东济南、济宁碳化硅半导体材料生产基地。上海临港智慧工厂已于2023年5月实现产品交付，是公司导电型碳化硅衬底主要生产基地。公司同时在日本设立研发及销售中心，积极开拓海外市场。公司高品质导电型碳化硅衬底产品加速“出海”，获得英飞凌、博世等下游电力电子、汽车电子领域的国际知名企业合作。

公司控股子公司，上海埃延半导体有限公司。埃延半导体致力于大硅片及第三代半导体材料衬底外延设备的生产制造以及衬底材料的研发。公司2023年年报披露：由于受到2022年外部环境及供应链失常的影响，上海埃延出货计划延迟，研发团队首台Demo样机于2022年底装机完成。2023年内，研发团队完成多次内部调试、系统测试。2023年6月，上海埃延生产的首台半导体材料衬底外延设备在上海临港基地下线，标志着公高温气相沉积设备研制在境内技术路径升级和零部件供应链整合完成，进入客户对设备的验证阶段。

第三代半导体650VGaNHEMT产品已初步形成产品系列化，形成110mR~900mR范围，采用DFN5060、DFN8080、TO252、TO220、TO220F等多种封装形式的产品阵容，目前在电源、PD快充适配等领域重点推广，已经通过部分客户的验证，部分客户已进入小批量运行阶段。同时，中低压GaNHEMT产品的改进工作也在有序推进中。

公司加强与以色列VisIC公司的协同整合，努力拓展车用高功率氮化镓技术，充分利用自身先进封装方面的产业和技术能力，为把握三代半导体在新能源汽车领域的产业发展机遇进行技术与产业布局。积极推进公司的市场拓展、技术研发及全球化生产与投资布局，在新加坡成立国际化平台，一方面对公司海外子公司与项目的投资架构进行规划调整，另一方面布局拓展海外市场、研发与生产中心，从而积极打造公司海外业务中心、研发工程中心与投融资平台，以此为基础在周边东南亚国家布局生产与制造基地，以更好贴近海外客户需求，推进工艺创新与项目开发，保持行业持续领先地位。

产品技术在多个创新领域有重大突破，技术水平进入全球第一梯队行列。整合并优化了化合物晶圆通用的铜柱工艺、开发了超突变结变容二极管工艺、超低噪声0.13μmpHEMT工艺、低轨卫星用射频芯片等新工艺和新器件。射频芯片产品开始进入低轨卫星终端客户，并实现大规模出货。开发了二维可寻址VCSEL工艺技术，配合客户打通瞬时功率超万瓦的VCSEL阵列芯片，能充分适应车载雷达的技术指标需求，将是国内首个进入量产的大功率VCSEL技术，成为行业内首家量产二维可寻址激光雷达VCSEL芯片的制造厂商。碳化硅基氮化镓芯片的开发按计划节点顺利推进。在射频和激光领域，积极推进了近20项新技术的开发，并及时支撑客户超过400套研发版的流片验证和磨合，有效支撑客户量产流片。

公司建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地，拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术。公司生产的全系列高可靠性IGBT产品打破了轨道交通和特高压输电核心器件由国外企业垄断的局面，目前正在解决我国新能源汽车、新能源发电装备的核心器件自主化问题。2023年，公司IGBT模块交付在轨交、电网领域市场份额大幅领先，占有率国内第一，新能源市场快速突破，根据NE时代统计数据，公司2023年新能源乘用车功率模块装机量达100.55万套市占率12.5%，排名第三,集中式光伏IGBT模块市占率快速提升，组串式模块实现批量供货，超精细沟槽7.5代STMOS+产品效率提升明显，达到国际领先水平，5MWIGBT制氢电源助力国内首个万吨级绿电制氢项目成功产氢，第三代1200VSiCMOSFET芯片达到国内先进水平，半导体三期项目迅速推进，宜兴产线已完成主体工程封顶。另，公司IGBT器件在柔性直流输电工程有应用。

随着第三代功率半导体器件，如SiC和GaN器件日益成熟并走向市场，功率半导体的技术发展朝着晶圆尺寸更大，芯片功率密度更高，损耗更低，集成度更高以及封装体积更紧凑，高可靠性更高的方向发展。在光伏发电以及电动汽车等产业发展的带动下，国内功率半导体产业得到了蓬勃发展并推动了众多关键技术的突破。在这些领域中，除了IGBT器件得到了广泛的应用和拓展，SiC器件由于高转换效率、高开关频率、高应用结温等自身优势和特点，也越来越多地得到了认可和应用。公司在SiC芯片和封装方面也进行了布局，相关的SiC模块已经批量应用于新能源行业。

2022年2月25日公司在互动易平台披露：公司产品已应用于第三代半导体退火等加工工艺。

2021年11月16日公司在互动平台披露，公司可以提供碳化硅、氮化镓等第三代半导体相关工艺设备。

目前公司已量产250nm工艺节点的6英寸和8英寸半导体芯片用掩膜版，主要应用在IGBT、MOSFET、碳化硅和MEMS等半导体芯片领域。公司将抓住半导体芯片掩膜版国产替代机遇，在重点客户拓展方面取得突破，250nm产品批量交付多家客户；建立了180nm工艺测试平台，180nm产品通过国内重点客户的认证。公司的半导体芯片掩膜版业务收入持续增长。深圳工厂引进的半导体芯片用掩膜版光刻机已量产，在2023年第一季度，配套的检测设备已经投产，而清洗设备亦已进场，目前正在安装调试，预计相关设备投产后将进一步提升半导体芯片用掩膜版等产品的产能，以更好地满足集成电路凸块（ICBumping）、集成电路代工（ICFoundry）、集成电路载板（ICSubstrate）、MinLED芯片、MicroLED芯片、微机电（MEMS）等市场的需求。

2023年4月13日，公司在投资者关系活动记录表中披露，作为国内为数不多的提供全链条解决方案的能源互联网服务商，威胜信息围绕数字电网，在应用层、网络层、感知层都有相关的技术研发，在应用层布局人工智能与源网荷储一体化技术，在网络层布局边缘计算、第五代HPLC芯片技术，在感知层布局智慧感知、第三代半导体技术。另，2021年6月23日中国证券报讯，威胜信息6月23日与湖南三安、北京智芯签订了《碳化硅全产业链关键技术研究及产业化联合实验室共建意向书》，三方拟共建碳化硅联合实验室，拓展“芯”赛道。据介绍，联合实验室将围绕电力、轨道交通、汽车电子等关键领域，开展碳化硅MOSFET应用特性、碳化硅MOSFET芯片及工艺、驱动芯片研究；开展大功率直流电源模块、超级充电桩及源网荷储相关装置等技术研究及应用试点示范，并联合申报碳化硅功率模块科技项目，适时申报和创建国家创新中心。

2023年11月8日公司在互动平台披露，第三代半导体材料主要是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的材料，能够大幅提升电子器件在高压、高频、高功率场景下的工作特性，主要应用于5G基站、新能源汽车和快充等领域。公司开发的高性能非晶、纳米晶系列新产品主要面对高压、高频、大功率的应用场景，是随着第三代半导体发展的而受益的配套功能器件。

2021年12月7日公司在互动平台披露，公司在第三代半导体主要从GaN驱动切入，目前已有直接驱动GaN功率管的电源主控芯片产品验证成功推向市场。可以驱动GaN功率管应用到大功率高效率的电源变换器上的LLC变换器主控芯片正在研发中。公司快充芯片已经占据较大市场份额。

2021年6月17日公司在互动平台披露，公司是福州紫荆海峡科技投资合伙企业（有限合伙）的有限合伙人，认购有限合伙份额2500万元人民币，占紫荆资本认缴出资额的2.27%，截至目前实缴份额2500万元人民币。福州紫荆海峡科技投资合伙企业（有限合伙）主要投资领域包括节能环保、先进制造、医疗健康等领域，并通过湖南华业天成创业投资合伙企业（有限合伙）间接持有英诺赛科（苏州）半导体有限公司的股权。

2024年3月，公司将“碳化硅单晶研发项目”及“光储一体化能源利用项目”预计达到可使用状态的时间延期一年至2025年3月，项目原定的实施主体、实施地点、募集资金用途及投资规模等其他事项保持不变；将“年产1,000吨高端精密硬质合金棒型材智能制造项目”预计达到可使用状态的时间延期至2025年12月。

2022年8月29日公司在互动易平台披露：公司目前是第三代半导体产业技术创新联盟副理事长单位。

碳化硅能够为新能源汽车提供能源转换率更高、体积更小、重量更轻的电机控制器，从而降低整车重量并降低能耗。在电力电子朝着高效高功率密度发展的方向上前进时，器件的低杂散参数、高温封装以及多功能集成封装起着关键性作用。通过减小高频开关电流回路的面积实现低杂散电感是碳化硅封装的一种技术发展趋势。2023年，公司立项了“第三代功率半导体碳化硅芯片塑封封装研发项目”，开发出了基于工业标准TO-247封装的SiCMOSFET器件封装平台和封装技术。

公司专注于核心技术的积累与新产品的开发，扎实推进多个研发项目，取得了从芯片设计（6英寸平面芯片、RFID芯片、HVIC芯片、LVIC芯片、外延FRD、高压TVS等）到新封装开发（CLIPPDFN、DFN8080、DFN3333、倒装LED封装等）、从质量等级提升（消除封装分层、提升车规级可靠性能力）到集成器件开发（RFID、IPM）、从传统半导体器件到第三代功率器件（SiC、GaN）等成果的实现，不断提升公司的技术创新能力。公司在保持和提升在传统领域的优势的同时，紧跟市场方向，积极拓展汽车电子、清洁能源、安防、5G通讯、物联网、人工智能等新兴市场，抓住需求增长的机遇，全力推进替代进口战略，加快渗透，扩大对下游优质客户的覆盖，为公司未来的快速发展奠定坚实基础。

公司产品正硅酸乙酯作主要用于化学气相沉积法（简称LPCVD）构建半导体衬底表面的二氧化硅绝缘层，是第三代半导体材料和新兴半导体产业中重要的前驱体材料之一。

2021年11月23日公司在互动平台表示，公司自主品牌充电器主要为氮化镓充电器。

公司成立至今，一直坚持在产品技术创新和研发方面保持高强度的投入，从刚开始的模拟，到数模混合，再到如今的以氮化镓和碳化硅为代表的第三代化合物领域，公司均掌握了相关测试的核心技术，并且已经应用在测设设备上实现批量销售。同时也建立了一套行之有效的研发体系，具备长期持续的研发投入能力。公司在第3代化合物半导体，尤其是氮化镓领域布局较早，在第三代宽禁带半导体功率模块方面取得了认证，量产，解决了多个GaN晶圆测试的业界难题。

公司积极布局第三代半导体碳化硅新材料产业，2020年参与北京天科合达半导体股份有限公司增资扩股，并在2021年持续加大了投资力度，目前公司已持有北京天科合达9.09%的股份，成为该公司第二大股东。2024年深圳第三代半导体材料产业园落成揭牌。该产业园是由北京天科合达半导体股份有限公司、深圳市重大产业投资集团等各方共同投资建立，将进一步补强深圳第三代半导体“虚拟全产业链（VIDM）”。公司新材料产业将具备一定规模，形成与新能源产业协同发展的格局。

2023年11月13日日公司在互动平台披露，公司有第三代半导体产品的封测加工业务。2022年10月20日公司在互动平台披露，公司第三代半导体已实现小批量生产了。2021年2月7日公司在互动平台披露：公司第三代半导体产品主要为SIC产品。

公司围绕集成电路前段制造中的化学机械抛光（CMP）环节进行布局，致力为客户提供整套的一站式CMP材料及服务。目前，在CMP抛光垫产品方面，公司是国内唯一一家全面掌握CMP抛光垫全流程核心研发技术和生产工艺的CMP抛光垫供应商，确立CMP抛光垫国产供应龙头地位，相关子公司--鼎汇微电子是国家级专精特新小巨人企业，产品深度渗透国内主流晶圆厂，成为部分客户的第一供应商，被多家晶圆厂核心客户评为优秀供应商；在CMP抛光液产品方面，公司全面开展全制程CMP抛光液产品布局，搭配自主研磨粒子在客户端持续推广、导入，逐步形成规模销售；在清洗液产品方面，公司铜制程CMP后清洗液持续稳定获得订单，其他制程抛光后清洗液产品结合整体业务战略安排进行开发验证，持续完善业务布局。

2021年7月7日公司在互动平台披露：从公司战略发展来看，公司通过增资入股深圳镓华，后续将借助深圳镓华在氮化镓（GaN）功率器件领域的技术优势，并发挥公司在车联网领域积累的技术和资源，双方共同开拓氮化镓在车联网领域的应用。后续公司会根据公司战略方向、市场情况等多方面考察再评估是否需要继续加大对深圳镓华的投资比例。

公司参股的江苏能华是一家专业设计、研发，生产、制造和销售以氮化镓（GaN）为代表的复合半导体高性能晶圆、以及用其做成的功率器件、芯片和模块的高科技公司。2022年8月8日公司在互动平台披露，截至目前，公司持有江苏能华6.05%股份。

公司成功掌握国际领先的超大尺寸蓝宝石晶体生长技术，实验室研发完成1000kg级超大尺寸蓝宝石晶体，并实现300Kg级及以上蓝宝石晶体、4英寸及以上尺寸蓝宝石晶片的规模化量产，实现技术和规模双领先。公司掌握6-8英寸碳化硅材料的生长及加工技术，并建设实施年产25万片6英寸及5万片8英寸碳化硅衬底的产业化项目，加速推进大尺寸碳化硅衬底材料的产业化进程。公司研发高纯石英坩埚、钨丝金刚线等产品，通过和核心耗材联合创新方式进一步提升综合竞争力。对半导体阀门、磁流体、专用风机、尾气处理装置等核心零部件进行研发，并建设规模化产能，自主解决部分设备零部件的供应链短板。公司高品质大尺寸石英坩埚在规模和技术水平上均达到了行业领先水平，在半导体和光伏领域取得了较高的市场份额；同时，公司在金刚线领域实现了差异化的技术突破，碳钢及钨丝金刚线进入规模化量产并实现批量销售。

2021年9月30日公司在互动平台披露：公司子公司上海芯石研发团队在功率半导体器件方面具有丰富的研发经验，上海芯石已形成了与产品性能密切相关的IP共计63项，其中碳化硅产品领域5项，并成功开发了600V、1200V、1700V、3300V 的SiC-SBD产品。研发的第三代半导体产品中，已经通过代工方式实现了SiC-SBD产品的小批量销售，SiC-MOSFET目前研发工作已经进行进入尾声，已准备开展产线的投片验证工作,同时也正在开展对另一项重要的第三代半导体材料GaN相应器件产品的研发。2021年12月3日公司在互动平台披露：根据公司2021年7月9日披露的《关于公司与HuLu公司签订＜合作协议＞的公告》，出于公司长远发展需要，为加速实现公司在第三代半导体领域的产能规划，公司拟与合作伙伴合作建设一条月产能5000片的6英寸碳化硅生产线。

公司于2022年8月31日在互动平台披露，公司研发的是金刚石半导体材料，具有超宽带隙特性的第三代半导体材料性能更为优良。其中金刚石集高硬度、超宽带隙、出色的载流子迁移率和优异的导热性能于一身，被科学家们誉为“终极”半导体材料。

2022年8月12日公司在互动易平台回复“公司碳化硅产业做的怎么样”，答“公司项目相关产品的研发工作正常进行中”。

公司持股14.32%的参股公司锴威特于2023年8月18日在科创板成功上市。该公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。在第三代半导体方面，该公司的SiC功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。

1）公司已开发完成1200V 23mohm~75mohm和750V 26 mohmSiC MOSFET系列产品，新增产品12款，相关产品处于小规模销售阶段；2）650V/190mohm E-Mode GaN HEMT产品、650V 460mohm D-Mode GaN HEMT开发完成，新增产品2款，产品各项电学参数指标达到国内领先水平，项目产品通过可靠性考核，100V/200VGaN产品开发中。氮化镓（GaN）是第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高、直接带隙、击穿电场高等性质。

2021年12月20日，江苏万邦微电子有限公司新增股东南京微佰仕创业投资合伙企业(有限合伙)，公司持有的江苏万邦微电子有限公司股权变为17.49%。2019年4月2日公司在互动平台披露：公司子公司江苏万邦微电子有限公司的产品主要有：有源相控阵雷达电源管理芯片、有源相控阵雷达波束控制芯片、有源相控阵雷达阵面TR组件控制芯片、5G基站射频前端、卫星通讯设备射频前端、星载抗辐照波束控制芯片、星载抗辐照电源管理芯片。2020年9月16日公司在互动平台披露：WB1409属于氮化镓功放配套的栅极稳压芯片，和氮化镓功放1:1配套使用。

公司自成立以来，主要从事金刚石线的研发、生产及销售。金刚石线主要用于光伏晶硅、蓝宝石、半导体材料、磁性材料等硬脆材料的切割，其中光伏晶硅的切片环节是金刚线最主要的应用领域，金刚线作为切割硅棒、硅片的易耗品，行业周期与下游光伏行业高度一致。公司以金刚线为起点，不断向产业链上游的关键原材料方面进行延伸，经历多年以来的研发和投入，公司已攻克关键原材料诸如黄丝、碳钢丝母线、钨丝母线、金刚石破碎分选及预处理的核心工艺，在保障供应链安全稳定的同时，大幅降低产品的生产成本，有力推动了公司的降本增效工作。

公司2022年8月22日在互动平台披露：公司湿法设备可覆盖晶圆制造各个工艺，可应用于第三代化合物半导体SIC碳化硅。截至目前国内几大头部碳化硅产品制造的客户已向公司订购SIC碳化硅相关湿法设备近40台。

公司生产的其他产品包括第三代半导体基板材料、碳化硅外延片、LCD用碳纤维复合材料部件等其他产品和对外提供的清洗、加工等服务。2023年报披露，公司控股子公司宁波江丰同芯的主要产品高端覆铜陶瓷基板已初步获得市场认可，可广泛应用于第三代半导体芯片和新型大功率电力电子器件IGBT等领域。控股子公司晶丰芯驰生产的碳化硅外延片产品已经得到多家客户认可，为我国碳化硅产业链的蓬勃发展注入新动能。

2022年8月8日公司互动易披露：第三代半导体产业技术创新战略联盟成立于2015年，公司为发起单位之一，现为理事单位。公司中央研究院对第三代半导体部分基础材料应用进行研发，最终体现在公司的照明显示产品应用上。

公司推出的首款碳化硅金刚线切片机GC-SCDW6500，可实现6寸碳化硅晶片切割，2022年已实现批量销售，助力碳化硅行业开启金刚线切割技术对砂浆切割技术的替代进程。2022年底，公司升级推出GC-SCDW8300碳化硅金刚线切片机可兼容6寸及8寸碳化硅晶片切割，2023年已形成批量订单并获得头部客户高度认可；8英寸半导体切片机已在客户端量产；12英寸半导体切片机样机GC-SEDW812处于客户来料验证阶段，占据行业领先地位；磁材厚片瓦片多线切割机GC-MADW1280R及磁材厚片-直片多线切割机GC-MADW1880，领先行业适配高线速及细线化，大幅提高切割精度和材料利用率，竞争优势显著，获得批量订单；GC-SADW6670蓝宝石切片机持续保持技术领先地位，报告期内维持高市场份额。

2020年9月22日公司在互动平台披露：公司与相关专业机构共同设立的辽宁中德产业股权投资基金合伙企业（有限合伙）对半导体产业有所布局。被投企业中，山东天岳先进材料科技有限公司主要经营产品系碳化硅半导体衬底材料。

金刚石砂轮除了传统的用于磁性材料、蓝宝石、光学玻璃等加工的产品外，还包括专用于精密刀具加工的精密金刚石砂轮，和专用于包括第三代半导体碳化硅在内的半导体芯片加工过程中的减薄砂轮、倒角砂轮和CMP-Disk，以及封装过程中使用到的树脂软刀、金属软刀、电镀软刀、硬刀（划片刀）等。

公司持有江苏民营投资控股有限公司5.21%的股权。另，2022年8月9日公司在互动平台披露，公司参股公司江苏民营投资控股有限公司通过旗下基金投资上海伟测半导体科技股份有限公司，上海伟测半导体科技股份有限公司IPO已于2022年5月26日获上交所科创板上市委审核通过。2021年12月2日公司在互动平台披露，江苏民营投资控股有限公司目前注册资本为100亿元，公司认缴金额为5亿元。苏民投及其相关控股企业投资的华绿生物、虹软科技、确成股份、上能电气等多家企业已成功上市。2020年9月公司在互动平台披露，公司参股子公司江苏民营投资控股有限公司参股了江苏能华微电子科技发展有限公司。

公司半导体设备包括区熔单晶硅炉、碳化硅晶体生长设备、金刚石生长炉等，主要用于生产半导体相关材料。2023年度，公司半导体设备的研发和销售工作也在积极推进中，公司高端设备产品金刚石炉取得少量销售订单。2023年12月25日公司在互动平台披露：公司高端装备业务包括光伏设备和半导体设备，光伏设备包括软轴单晶硅炉、金刚线切片机等；半导体设备包括区熔单晶硅炉、碳化硅晶体生长设备等。公司生产的区熔单晶硅炉是“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”重大专项中硅单晶区熔设备研制的科研成果。

公司目前在进行碳化硅高功率吸波材料的研发，已完成工程样件研制，已结题。碳化硅高功率吸波材料研制成功，可以极大拓展吸波材料耐受功率范围，巩固公司在吸波材料领域的领先地位。

2023年，公司持续推进研发创新，努力攻克核心“卡脖子”技术，结合生产线智能化改造和数字化转型，提升发展新质生产力的能力。加强知识产权投入及保护力度，通过“国家知识产权示范企业”2023年度复审。截至2023年末，公司累计拥有有效专利167项，专利授权持续保持高增长态势。研发方面，完善了高压超级结技术、载流子存储沟槽IGBT技术、中压SGT MOS和SiC MOSFET产品技术、650V GaN HEMT产品技术，完成了900V～1500V高压JMA系列MOSFET开发、300V～500V中高压JMF(R)系列MOSFET产品开发、45V光伏Trench SBD开发、第二代高结温1200V快恢复二极管开发、模块用1800V单象限大触发双台面大方片可控硅开发、1200V～1600V高压二极管产品技术研发等。实现了具有自身特色的多元化功率半导体工艺平台的建设，进一步完善了产品结构，提升产品竞争力。

公司晶体材料专用设备包括晶体生长炉和成套加工设备，应用领域从光伏、蓝宝石、压电晶体逐步扩展到半导体行业，产品类型涵盖了从晶体生长到晶体加工一系列应用设备，包括晶体生长炉、截断机、开方机、硅片研磨机等。蓝宝石和压电晶体设备确保公司在蓝宝石材料、压电材料方面的优势，不对外销售，仅限于自用。公司的晶体设备主要是单晶硅、蓝宝石等晶体的生长设备与切磨抛加工设备，近年来的主力是光伏设备。公司从2010年开始从事光伏单晶炉及相关成套设备的生产制造，由于公司单晶炉最初的设计理念是适用于电子级N型单晶的生长，技术起点高、结构设计先进，配置高端，自动化、集控化程度高，经过这几年来不断的技术迭代和自主创新。今年上半年推出了性价比合适的N型低氧型炉台，在保证大产能的前提下还能保证低的氧含量，未来在TOPCON电池技术不断加持的前提下，单晶炉市场未来可期。同时公司在硅棒加工领域推出了高效的开方机，该产品产出效率及精度高，一推出市场就受到市场的青睐，已接到头部企业的批量订单。

公司“AdvanTorr”产品包括：高真空和超高真空的法兰、管件、钢瓶、传输阀、铝合金与不锈钢闸阀、角阀、腔室、加热带、视窗、无氧铜垫片等。运用面广泛：可以应用于半导体、显示器、LED照明、薄膜太阳能电池、氢能源、锂电、真空镀膜、科研机构等。真空主要应用于薄膜技术：蒸发、溅射、PECVD、MOCVD、ALD等，还有覆盖表面分析技术和离子注入系统。

公司LED芯片产品广泛应用于电视、电脑、手机等消费电子，室内外显示，车用LED及各类照明，紫外、红外等市场。随着Mini/MicroLED技术提升，5G+8K超高清显示市场快速发展以及高端照明市场需求不断拓展，公司产品应用领域不断拓宽，包括MiniLED超高清显示，MicroLED可穿戴设备以及大屏幕显示，会议及影院多功能显示，政务交通指挥中心，中大尺寸消费电子高端背光，智能照明，车用LED及植物照明，紫外消、红外感应等。LED外延片技术含量高，对最终的LED芯片产品的良率、光电性能、品质等影响最大。公司的外延片产品在保证自用的同时，也在积极拓展市场，主要作为国内外对高品质LED外延片有需求的芯片企业的原材料，以及作为科学院所等机构前沿技术开发的基础材料等。

相控阵是公司新技术创新突破及未来发展的方向之一。公司技术团队结合第三代半导体材料的发展成果，自主研发了一种不同于传统T/R组件的新型相控阵产品，具有尺寸小、重量轻、免维护和低功耗的优点。基于以上优点，公司新型相控阵产品除了可运用于商用卫星领域，还可以应用于精确制导雷达、星载雷达及机载雷达等军事武器装备中，这将进一步扩展公司产品在军事领域中的应用，提高公司的行业地位。其他固态发射机产品公司技术除应用于雷达精确制导外，还广泛应用于卫星通信、电子对抗等领域。

公司主营业务是以IGBT和SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售。公司总部位于浙江嘉兴，在上海、重庆、欧洲设有子公司，并在国内和欧洲均设有研发中心。公司长期致力于IGBT、快恢复二极管、MOSFET等功率芯片的设计和工艺及IGBT、SiC MOSFET等功率模块的设计、制造和测试，公司的产品广泛应用于工业控制和电源、新能源、新能源汽车、白色家电等领域。IGBT被称为电力电子行业里的“CPU”，广泛应用于新能源、新能源汽车、电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子等领域。2023年，公司生产的应用于主电机控制器的车规级IGBT模块持续放量，合计配套超过200万套新能源汽车主电机控制器。公司在车用空调，充电桩，电子助力转向等新能源汽车半导体器件份额进一步提高。

公司半导体行业产品为碳化硅半导体材料。公司主要生产导电型碳化硅衬底材料，为半导体器件制造的关键原材料，可广泛应用于功率器件，需求有望随着器件市场规模的增长而取得快速增长，根据Yole数据，2021年全球导电型碳化硅衬底市场规模为3.80亿美元，预计2027年将增长至21.6亿美元。

2023年10月20日公司在互动平台披露，子公司顶立科技在第三代半导体用关键材料与装备方面围绕“四高两涂一装备”的技术和产品布局，即高纯碳粉、高纯碳化硅粉、高纯碳纤维隔热材料、高纯石墨、碳化硅涂层石墨基座/盘、碳化钽涂层石墨构件和超高温石墨提纯装备。目前公司碳化钽产业化项目已建成投产，高纯碳粉已实现小批量生产。2022年8月1日公司在互动平台披露，子公司顶立科技生产的高纯碳粉少量试用于人造钻石的生产，高纯碳粉产品可用于制备碳化硅单晶材料、锂电池负极材料、人造钻石等。2023年2月18日公司在互动平台披露，子公司顶立科技的动力电池回收技术与设备可应用于新能源固态电池回收领域。2023年2月7日公司在互动平台披露，公司生产的精密铜带可用于电池极耳的生产制造，由于钠电池在回收方面与锂电池基本原理相同，子公司顶立科技的锂电池回收技术与设备也基本适用于钠电池回收。

广芯微电子和芯微泰克将联合为广大设计公司提供高性能硅基及碳化硅功率器件定制化代工+超薄片制程全套解决方案。

公司多年来持续围绕电力电子技术进行上下游产业链投资，通过“并购+孵化”不断拓展业务领域。2023年公司新增参股公司9家，对外股权投资（剔除投资后合并报表的控股子公司）总金额为14,615万元；2023年因投资公司估值提升而获得公允价值变动收益、投资收益共2.76亿元。截至目前，公司对外股权投资（剔除投资后合并报表的控股子公司）的公司达到42家，累计对外股权投资金额为5.37亿元，累计获得公允价值重估收益、投资收益等合计6亿元，持续高效投资在获得业务协同的同时，投资收益也开始逐步显现。目前投资已涉及新一代碳化硅半导体材料、AR/VR光学模组、新一代加热陶瓷、工控解决方案、智能装备、纳米材料、射线源、储能、石油开采、新能源汽车热管理、高速高效电机、精密轴承、新能源车分布式动力、液压悬挂系统等方面的企业，其中部分企业已经取得非常好的进展，市场价值提升迅速。

公司在二极管/晶体管、ESD和中低压MOSFET等传统产品线保持一向稳健的市场表现，为公司贡献了稳定的现金流，有力支撑了公司在中高压MOSFET、IGBT、GaN、SiC和更多的模拟IC产品的研发。在三代半领域，公司实现了GaN产品D-M系列产品工业和消费领域的销售，同时E-M产品通过所有测试认证，于2024年开始销售，奠定了安世在GaN领域的行业地位；公司实现了SiC整流管的工业消费级的量产和MOSFET的工业消费级的测试验证，为2024年SiC工业和消费的量产打下了坚实的基础，SiC MOSFET产品线的建立，让公司进入三代半1200V高压市场，拓展新的增长空间。公司实现了IGBT模组平台和产品的测试认证，PMIC系列产品的测试认证并实现量产，这标志公司半导体业务的BCD平台和产品线正式进入市场，开拓了新的蓝海。此外，2023年荷兰政府批准公司半导体业务收购NOWI公司，将在IoT应用方面为公司带来新的增长空间。在投入研发的同时，公司通过与行业合作伙伴合作提升产品创新能力，发挥协同作用，推动技术能力升级，确保产品的长期稳定供应，为公司在三代半领域的持续发展拓展更大空间。

2022年8月31日公司互动易披露：公司主要是基于参股公司Saphlux研发的第三代半导体做LED的应用开发。2023年4月4日公司互动易披露：公司参股的Saphlux有半极性氮化镓材料。

2022年10月，公司全资子公司平潭瑞旭与金研为政、季思谊、葛梦露、浙江钱塘江金研资产管理有限公司、陈勰签署了“合伙协议”。杭州金研器道股权投资合伙企业（有限合伙）全体合伙人的目标总认缴出资额为4,555万元人民币。平潭瑞旭作为有限合伙人以自有资金认购出资额2,000万元，占认缴出资比例的43.91%。杭州金研器道股权投资合伙企业（有限合伙）作为专项基金，投资国内具备先进核心技术和自主知识产权的高科技半导体及智能制造相关标的公司。

公司宽禁带半导体以中高端应用推广为主线，在宽禁带功率器件产品新兴赛道取得了技术和产业化的显著进步。碳化硅以及氮化镓功率产品不断迭代升级与丰富，产业化进程与品牌竞争力大幅提升。碳化硅二极管二代平台已完成650V、1200V全系列化产品开发，覆盖目前主流应用需求，产品在汽车电子OBC、充电桩、储能、光伏、大功率电源方面批量供应；碳化硅二极管三代平台开发进展顺利，Rsp等各项参数达到国际领先产品水平，预计2023年将实现产品系列化。SiCMOS电压覆盖650V/1200V/1700V，在新能源汽车OBC、光伏储能、工业电源等领域通过多个客户测试并批量出货。车规级SiCMOS和SiC模块研发工作进展顺利，已完成多款SiCMOS模块产品出样。碳化硅器件整体销售规模同比增长约2.3倍，投片量逐月稳步增加。氮化镓产品方面，650V和900V级联型氮化镓器件产品推向市场，营收实现快速增长，产品应用以PC电源、电机驱动、照明电源、手机快充为主。公司加快8吋氮化镓工艺优化与产品开发，并同步推进储能电源、光伏逆变器、工业电源、通讯电源的产品开发和规划。

2023年8月27日公司在互动平台披露，公司三代半产品主要分为氮化镓与碳化硅。目前氮化镓主要瞄准墙插快充、LED驱动市场，已在多家客户产品上得以应用，碳化硅主要瞄准充电桩、储能等领域，客户验证周期相对较长，目前出货量正稳步增长中。2022年9月1日公司在互动平台披露，第三代半导体是公司前瞻布局的重要方向之一，一方面，公司积极拓展第三代半导体新赛道，近期公司收购了专业从事半导体分立器件及集成电路研究、开发、生产、销售的风华芯电，以实现公司在半导体领域补链强链，提升自身实力巩固领先优势；另一方面，经过持续的技术创新和潜心研发，公司在第三代半导体领域已成功推出SiC功率分立器件、SiC功率模块和GaN器件三大类产品线路，可为市场提供高品质、高可靠性，多样化的半导体封测业务支持。目前，公司已建立三代半功率器件试产线，小批量产。

兆驰半导体是全行业唯一一家全年满产满销及扣非后较大幅度盈利的芯片厂。2023年内，垂直一体化协同策略持续深入，战略重心倾向高附加值产品，最终实现由“规模”向“规模＆价值”的高质量可持续发展。产能方面，氮化镓芯片扩产项目在2023年4月开始放量，于6月底已经实现产量100万片（4寸片），后续通过提升生产效率，截止12月底，氮化镓产量为105万片（4寸片），公司氮化镓芯片产能居行业第二，产销量居全行业第一；报告期内，砷化镓芯片产量为5万片（4寸片）。LED芯片的扩产为公司提升MiniRGB、MiniBLU、高端照明等高附加值市场份额提供源动力。2023年期间，公司量产MiniRGB芯片尺寸主要为04*08mil（100*200μm）、03*07mil（88*175μm）、03*06mil（70*160μm）、02*06mil（50*150μm），量产的芯片尺寸最终将到02*04mil（50*100μm）。截至目前，公司MiniRGB芯片单月出货量为10000KK组。2023年下半年，公司提升了应用在普通照明市场的LED芯片产品价格，并基于产能释放提升高附加值产品占比，如MiniRGB芯片、背光领域芯片、高毛利照明的产品结构占比。2023年期间，兆驰半导体成功进入三星供应链体系。

2020年2月26日公司在互动平台披露，子公司淮安光电是行业内极少数具有从衬底切磨抛、PSS、外延片到芯片的完整产业链的公司，公司主要产品为蓝绿光LED芯片，即在蓝宝石衬底上生长制造氮化镓发光二极管，公司在LED芯片相关领域有专利技术。

2021年7月1日公司在互动平台披露，公司有基于氮化镓材料的封测业务。2021年2月有投资者提问：请问贵公司在碳基芯片半导体，也就是第三代有研发投入吗；2021年2月23日公司在互动平台回复：有。

公司2021年11月设立全资子公司金博研究院，开展半导体高纯热场材料及相关产品业务。金博研究院基于碳基材料通用底层技术、制备机理与基础装备开发技术开展硅基半导体高纯热场材料、碳化硅半导体高纯热场材料及高纯碳粉等基础科学研究和应用技术开发，全面提升公司碳基材料产品在半导体应用领域的研发创新能力。同时公司以金博研究院为基础，围绕先进碳材料研发及应用，通过吸纳国内外碳基材料领域人才，打造碳基材料专业人才梯队，保持公司技术和研发水平的领先性，不断提升公司的整体核心竞争力，将公司打造成新材料产业化平台型公司。2022年4月，公司与天科合达达成战略合作意向并签署了《战略合作协议》，双方开展技术交流与联合研制，共同研发满足第三代半导体领域应用的热场材料、保温材料与粉体材料，以满足天科合达对相关材料国产化的需求。

公司主要从事半导体光电产品的研发、生产和销售业务，为国内领先的LED芯片、砷化镓太阳能电池外延片供应商。主要产品包括全色系的从紫外到红外的芯片，砷化镓太阳能电池外延片、MiniLED、MicroLED、VCSEL等，凭借均匀性、一致性、可靠性等综合性能方面的领先优势，多项产品性能指标达到国际先进水平。公司产品广泛应用于紫外杀菌、背光、显示屏、通用照明、数码显示、红外安防、电子设备指示灯、交通指示灯，夜景工程、车载照明等众多领域。

2021年8月2日公司在互动平台披露，SiC、GaN等第三代半导体器件的应用有助于电源产品转换效率和功率密度的提升，因此公司在多款产品中应用了相关器件，推进产品转化效率的提升、减少能耗。2020年3月公司在互动平台披露：氮化镓功率器件相比传统硅基半导体能够带来低损耗和高开关频率，公司现阶段主要开展了氮化镓功率器件在超高效电源模块上的应用研究，目前已完成样机开发工作并实现小额销售。公司会根据市场发展情况，积极推进相关产品市场化工作。

2022年内，公司间接持股的粤芯半导体完成B轮战略融资，用于粤芯三期项目建设，目前粤芯已完成股份制改造。另，2019年5月公司在互动平台上表示，粤芯半导体采购的是荷兰ASML的光刻机，已于2019年3月中旬搬进粤芯半导体主厂房，目前在做量产前的最后调试准备。光刻机等主设备的顺利进驻，为粤芯半导体量产计划提供了有力保障。2019年9月10日公司在互动平台披露：经了解，粤芯半导体联合中标工信部半导体、芯片、关键零部件等领域的产业技术基础公告服务平台建设项目，情况属实。此建设项目面向第三代半导体碳化硅芯片制造技术，开展“卡脖子”核心装备研制，重点解决高硬度材料的高平整度、低粗糙度高效加工技术等难题。粤芯半导体项目是国内第一座以虚拟IDM (irtuallDM)为营运策略的12英寸芯片厂，是广州第一条12英寸芯片生产线，已列为广东省、广州市重点建设项目。产品包括模拟芯片、图像传感器、电源管理芯片、功率分立器件等，满足物联网、汽车电子、工业控制、5G等应用的模拟芯片需求。

2022年6月，浙江铖昌科技股份有限公司（股票简称：铖昌科技）正式登陆深交所主板。2019年10月18日公司在互动易平台披露：公司子公司铖昌科技产品优势在于：其主要产品是相控阵核心芯片，具体来说是相阵里面的PA、LA、移相控制多功能芯片等。从产品工艺方面来讲，现有主要涵盖的是氮化镓、砷化镓，硅基等，对铖昌来讲都是很成熟的，也是大量在出货的。铖昌科技具备核心技术优势，拥有较强的军工资质，已经进入快速发展期，铖昌科技与主要客户合作关系稳定，在手订单不断增加。2022年9月5日公司在互动易平台披露：铖昌科技的产品已应用于探测、遥感、通信、导航等领域，同时应用于星载、机载、舰载、车载和地面相控阵雷达中，亦可应用至卫星互联网、5G毫米波通信等场景。并拥有相关技术研发能力且自主可控。2024年4月8日公司在互动易平台披露：铖昌科技对于5G毫米波通信应用进行了毫米波束赋形芯片的研发，相关产品已经多轮迭代开发。

碳化硅是第三代化合物半导体材料。碳化硅因其优越的物理性能：高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率，将是未来最被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。公司碳化硅业务主要为 6 英寸导电型碳化硅衬底片的生产、销售。2023年报披露，公司已完成具有完全自主知识产权碳化硅晶体生长炉开发和定型工作，结合多年生长技术积淀，开发出晶体生长自动化控制软件，生长重复性高。公司根据晶体生长热力学、动力学及流体力学的基本原理，结合计算机辅助计算，设计并优化了晶体生长温场结构，晶体生长稳定性大幅提升。公司已研发出籽晶固定技术，晶体缺陷密度大幅降低，晶体质量稳步提高。2022年3月22日公司在互动易平台披露：公司生产的6英寸碳化硅衬底片可广泛应用于新能源汽车、5G 通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等现代工业领域。

公司及子公司茂硕电子均为国家级高新技术企业，公司秉承“创新技术，产品为王”的理念，自成立以来十分重视研发投入和研发团队建设，奠定了公司在行业内的技术领先地位。公司拥有CNAS资质的检测中心，设有高标准设施的“电功能、安规、电磁兼容、机械、材料耐热/燃、环境、老化、环保检测”八大功能实验室，为产品开发提供了有力的技术保障产品优势开关电源方面，公司坚持“创新技术，产品为王”，贯彻执行“择高而立”“一米宽、万米深”的设计理念，以大客户战略为指引，专注于深耕行业内VIP客户的产品升级及拓展需求，在产品研发方向，目前已经形成了电源适配器产品线、PD充电器产品线及工控电源产品线三大产品领域，主要覆盖网通、机顶盒、安防、显示器/激光投影、音响设备、商务打印机、电机驱动、通讯、工业设备及共享换电定制电源,POE电源共计13个系列的细分领域。研发已经完成开关电源7.5W~750W等一系列标准型及客户定制类产品。产品特点主要体现在设计理念创新、成本优势、客户高度定制化、采用“整合数字电源”(FusionDigitalPower)技术，实现了开关电源中模拟组件与数字组件的优化组合，多专利的数字化控制技术及第三代半导体应用等方面，进一步扩展了公司消费类电源的覆盖领域。

碳化硅肖特基二极管是碳化硅器件之一，具有超快的开关速度，超低的开关损耗，正向压降(Vf)为温度特性，易于并联，可承受更高耐压和更大的浪涌电流，用于电动汽车、消费类电子、新能源、轨道交通等领域，主要产品为塑封碳化硅肖特基二极管器件。

公司持续增加对第三代半导体芯片行业的投入，加大在SiC、GaN功率器件等产品的研发力度，以进一步满足公司后续战略发展需求。2023年，公司与东南大学集成电路学院签约共同建设“扬杰东大宽禁带半导体联合研发中心”，进一步夯实第三代半导体的研发力度。公司已开发上市G1、G2系SiC MOS产品，型号覆盖650V/1200V/1700V13mΩ-1000mΩ，已经实现批量出货。开发FJ、EasyPack等系列SiC模块产品。当前各类产品已广泛应用于新能源汽车、光伏、充电桩、储能、工业电源等领域。车载模块方面，公司自主开发的车载碳化硅模块已经研制出样，目前已经获得多家Tier1和终端车企的测试及合作意向，计划于2025年完成全国产主驱碳化硅模块的批量上车。第三代半导体产品的持续推出，为公司实现半导体功率器件全系列产品的一站式供应奠定了坚实的基础。

公司GaN外延材料业务是指基于自主掌握的工艺诀窍，根据既定技术参数或客户指定参数，通过MOCVD设备生长并对外销售6-8英寸GaN外延材料。公司GaN芯片设计业务是指基于技术积累设计开发GaN功率及微波芯片，向下游客户销售并提供相关应用方案。GaN是第三代半导体材料及器件的一个类别，因其禁带宽度(Eg)大于或等于2.3电子伏特(eV)，又被称为宽禁带半导体材料，与第一、二代半导体材料硅（Si）和砷化镓（GaAs）相比，第三代半导体材料及器件具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子速率等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。

2023年3月3日公司在互动易平台披露：公司有与基本半导体相关公司合作碳化硅项目，主要是针对碳化硅芯片及模块在电机控制器的相关应用及测试研究，以期共同完成碳化硅模块在新能源汽车上的推广。

公司是从事先进电子材料研发、生产和销售的高新技术企业，业务分为先进前驱体材料、电子特气和光刻胶及配套材料三个板块，产品广泛应用于集成电路、平板显示、LED、第三代半导体、光伏和半导体激光器的生产制造。公司深耕电子材料领域多年，业务布局良好，技术领先，种类丰富，多个产品填补了国内技术空白，并持续在先进制程用材料领域进行技术储备，成为国内布局全面、技术领先的电子材料企业。

芯片方面，公司持续深耕高端产品。传统产品领域，通过芯片设计优化开发新的工艺流程，性能持续提升。植物照明领域，通过持续不断的研发投入，超高光效银镜倒装芯片已通过多家客户认证，持续放量。Mini背光领域，通过引入原子层沉积设备，优化深刻蚀工艺、自主研发创新绝缘层优化处理工艺，成功解决Mini高压背光产品高温高湿老化失效等技术难题，成功打入知名品牌的终端市场。MicroLED领域，与国内外头部企业保持密切合作，完善技术储备。车载照明领域，银镜倒装产品通过技术迭代，产品的亮度与可靠性进一步提高，市占率持续提升，随着技术不断创新与积累，公司产品将进一步向前装市场进军。直显RGB产品正在加速客户端验证，将尽快实现批量供货。目前，公司高端LED芯片已处于国内一线水平。

二十多年来，公司坚持走“设计制造一体化”（IDM）发展道路，打通了“芯片设计、芯片制造、芯片封装”全产业链，实现了“从5吋到12吋”的跨越，在功率半导体、MEMS传感器、光电器件和第三代化合物半导体等领域构筑了核心竞争力，已成为目前国内领先的IDM公司。根据集微咨询分析师团队发布的《中国半导体企业100强（2023）》排行榜，士兰微电子荣列“中国半导体企业100强（2023）”第九位。公司注册地址为浙江省杭州市黄姑山路4号。公司预计2024年实现营业总收入120亿元左右（比2023年增长28%左右），营业总成本将控制在113亿元左右（比2023年增长26%左右）。

在高性能集成电路设计与制造领域，已建成由国家发改委立项建设的国内首条6吋化合物半导体生产线，芯片制程涵盖GaAs（砷化镓），GaN（氮化镓），SiC（碳化硅），应用覆盖微波射频及电力电子领域，经过多年发展，已经构建了化合物半导体产业链中最核心的芯片制造能力。公司在5G基站功放芯片，GaN（氮化镓）快充芯片，SiC（碳化硅）充电桩芯片性能上处于国内领先地位，并发布了自动驾驶汽车激光雷达5G毫米波芯片工艺制程，发布了适用于新能源充电桩高效电能转换的SiC（碳化硅）功率芯片制程。公司取得了IATF16949汽车行业质量管理体系认证证书，标志着公司化合物半导体芯片成功获得进入汽车领域的绿色通行证，进一步夯实了产品推广应用基础，为公司参与汽车行业市场竞争提供了有力保障。在科装领域，公司立足核心装备自主可控，突破关键技术瓶颈，攻克诸多卡脖子技术，定制芯片数百款，承担了众多国家级重大科研项目，为航空航天、卫星通讯等核心装备研制及量产提供必要技术支撑，公司的研发实力及芯片制造能力处于行业一流地位。

公司大力扩大芯片研发团队规模，形成设计、封装、测试全流程研发生产能力，集中突破砷化镓/氮化镓射频芯片关键技术，在芯片制造领域与国内流片厂深度合作，打造完整的新型半导体射频芯片产业链，在满足自用的基础上，逐渐扩大对外芯片设计、流片、测试和封装的整体芯片业务；并以5G/6G射频前端芯片和光通讯芯片为突破口，加快民品芯片设计服务拓展。2021年6月19日公司在互动平台披露：公司电子业务主要为军品，公司民品细分领域与其有所不同，主要集中在安防及专网通信领域。

公司具备完整的具有自主知识产权的半导体产品设计和制造技术，以及完整的前道（晶圆制程）技术、中道（芯片制程）技术、后道（封装测试）技术。公司拥有62项专利技术（其中12项发明专利）和多项专有技术，主持和参与起草多项行业标准。公司建有2个省级科研平台，积极开展产学研合作，持续跟踪碳化硅、氮化镓等第三代宽禁带半导体技术研发和应用。公司具有完全自主知识产权的大功率半导体脉冲开关技术达到国际领先水平，在国内重大前沿科技项目得到应用。

2021年12月3日公司在互动平台表示，公司作为半导体功率器件供应商，其产品可广泛应用于光伏领域，涉及光伏业务收入占总收入的比重约15%-20%。公司当前在积极拓展储能领域，目前进展顺利。2021年8月30日公司在互动平台表示，公司当前无碳基半导体，公司依托在半导体领域十几年的技术积累，目前在第三代半导体已有相关技术及产品成果，公司在氮化镓项目研发上与北大有深入合作。

公司主要从事化合物半导体材料与器件的研发、生产及销售，以氮化镓、砷化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等化合物半导体新材料所涉及的外延片、芯片为核心主业。公司作为国内化合物半导体领域的龙头企业，经过多年的发展和沉淀，现已形成深厚的技术积累，所掌握的核心技术与研发能力已达到国际先进水平。在研发和技术创新方面的持续投入，对公司产品性能、生产良率等多方面的提升日益凸显，公司核心竞争力不断增强。公司系化合物半导体领域被《国家集成电路产业发展纲要》列入重大生产力发展布局的集成电路骨干企业，是国家发改委批准的“国家高技术产业化示范工程”企业、工业和信息化部认定的“国家技术创新示范企业”，承担国家科技部、工信部等多项重大专项。