锴威特(688693)股票信息|查股网

◆最新指标 (2024年三季报)◆

每股收益(元) :-0.5131	目前流通(万股) :3798.34
每股净资产(元) :13.0912	总股本(万股) :7368.42
每股公积金(元) :11.3416	营业收入(万元) :9249.48
每股未分配利润(元) :0.5928	营收同比(%) :-43.37
每股经营现金流(元) :-0.4898i	净利润(万元) :-3780.95
净利率(%) :-40.88	净利润同比(%) :-273.47
毛利率(%) :44.01	净资产收益率(%) :-3.77

◆上期主要指标◆

◇2024中期◇

每股收益(元) :-0.3810	扣非每股收益(元) :-0.4721
每股净资产(元) :13.3233	扣非净利润(万元) :-3478.94
每股公积金(元) :11.3416	营收同比(%) :-56.76
每股未分配利润(元) :0.8249	净利润同比(%) :-195.77
每股经营现金流(元) :-0.3031	净资产收益率(%) :-2.78
毛利率(%) :42.20	净利率(%) :-48.72

◆ 公司概要 ◆

证监会行业：行业：	制造业->电气、电子及通讯->计算机、通信和其他电子设备制造业->电子器件制造电子设备入选理由：公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，可实现电源开关和电能转换的功能，实现变频、变相、变压、逆变、变流、开关的目的。公司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，始终围绕功率半导体产品不断进行业务开拓和持续创新，主要产品包含功率器件及功率IC两大类。在功率器件方面，公司产品以高压平面MOSFET为主，并在平面MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET（FRMOS）系列产品；在功率IC方面，公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC。此外，在第三代半导体方面，公司的SiC功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。	所属地域:	江苏
主营业务：
题材概念:	增持回购入选理由：公司公告股东有增持或者回购行为、半导体入选理由：公司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展战略，公司目前拥有包括平面MOSFET、功率IC等700余款产品。公司平面MOSFET产品覆盖40V-1500V电压段，已形成低压、中压、高压全系列功率MOSFET产品系列，拥有近500款不同规格的产品；公司在第三代半导体功率器件方面，已推出650V-1700VSiCMOSFET产品系列；功率IC方面，公司基于晶圆代工厂0.5um600VSOIBCD和0.18um40VBCD等工艺自主搭建了设计平台；公司与晶圆代工厂深度合作，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。公司已形成百余款功率IC产品，并完成了多款功率IC所需的IP设计与验证。未来，公司还将进一步实现对各种细分品类功率器件芯片的覆盖，并进一步促进功率IC和第三代半导体功率器件的产品系列化。公司将努力成为一站式、全品类覆盖的高性能功率半导体产品供应商，助力功率半导体国产化替代，推动我国在高可靠领域基础元器件自主可控进程的发展。、小米概念入选理由：凭借产品可靠性高、参数一致性好等特点，公司迅速在细分领域打开市场，产品广泛应用于消费电子、工业控制及高可靠领域。在消费电子领域，公司的平面MOSFET产品主要向包括晶丰明源、必易微、芯朋微、灿瑞科技在内的业内知名IC设计公司销售，产品已应用于包括小米、美的、昕诺飞等众多知名终端客户；在工业控制领域，公司的平面MOSFET已获上能电气、威胜集团等多家知名终端客户应用；在高可靠领域，公司的平面MOSFET已向公司A-1、公司E、单位H等客户形成销售，助力高可靠领域MOSFET产品的国产化替代。、第三代半导体入选理由：在第三代半导体器件方面，公司SiC功率器件产品主要包括SiC MOSFET和SiC SBD（肖特基势垒二极管），SiC MOSFET导通电阻小，开关损耗低，工作温度范围宽，阈值电压一致性好，可广泛用于新能源汽车及配套、工业照明、大功率电源、高可靠领域等，公司产品目前以高可靠领域应用为主。SiC SBD可广泛用于新能源汽车及配套、大功率电源、逆变器、高可靠领域等，公司产品目前以高可靠领域应用为主。公司加大SiCMOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发，2023年与国内晶圆代工厂合作开发了1200V、1700V SiC MOSFET的生产工艺平台，其中1200V SiC MOSFET工艺平台已成功进入中试阶段。、专精特新入选理由：公司是国家高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业、国家鼓励的重点集成电路设计企业、江苏省“科技小巨人企业”“江苏省潜在独角兽企业”、江苏省半导体行业协会理事单位，公司研发中心获“江苏省高可靠性功率器件工程技术研究中心”认证。截至2023年7月13日，公司已积累了10项核心技术，获得71项授权专利（其中发明专利28项，实用新型专利43项，另有2项发明专利已获授予专利通知书，待取得专利证书）和53项集成电路布图设计专有权。、碳化硅入选理由：在第三代半导体器件方面，公司SiC功率器件产品主要包括SiC MOSFET和SiC SBD（肖特基势垒二极管），SiC MOSFET导通电阻小，开关损耗低，工作温度范围宽，阈值电压一致性好，可广泛用于新能源汽车及配套、工业照明、大功率电源、高可靠领域等，公司产品目前以高可靠领域应用为主。SiC SBD可广泛用于新能源汽车及配套、大功率电源、逆变器、高可靠领域等，公司产品目前以高可靠领域应用为主。公司加大SiCMOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发，2023年与国内晶圆代工厂合作开发了1200V、1700V SiC MOSFET的生产工艺平台，其中1200V SiC MOSFET工艺平台已成功进入中试阶段。。
风格概念:	小盘入选理由：按市场个股总市值从小到大排序，公司总市值排名在1500名内、融资融券入选理由：公司是融资融券标的个股。

◆控盘情况◆

	2024-09-30	2024-06-30	2024-03-31	2023-12-31

股东人数 (户)	7309	7084	6373	12271
人均持流通股(股)	4354.3	2470.4	2766.1	1350.7
人均持流通股 (去十大流通股东)	2439.2	2182.1	2481.4	1126.0

点评:

2024年三季报披露，前十大股东持有5046.66万股，较上期减少79.42万股，占总股本比68.48%，主力控盘强度较高。
截止2024年三季报合计4家机构，持有1174.83万股，占流通股比36.91%；其中无公募基金持有该股。
股东户数7309户，上期为7084户，变动幅度为3.1762%
由于不同基金 、上市公司报表公布时间各有不同，在基金、上市公司报表披露期间，数据会有所变动。基金在一、三季报不披露全部持仓，因此中报/年报统计更为准确。

◆概念题材◆

点击下列板块名称，查看个股与板块相关性

【功率半导体】公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，可实现电源开关和电能转换的功能，实现变频、变相、变压、逆变、变流、开关的目的。公司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，始终围绕功率半导体产品不断进行业务开拓和持续创新，主要产品包含功率器件及功率IC两大类。在功率器件方面，公司产品以高压平面MOSFET为主，并在平面MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET（FRMOS）系列产品；在功率IC方面，公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC。此外，在第三代半导体方面，公司的SiC功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。
更新时间：2024-12-17 10:57:32

【拟增资众享科技】2024年12月，根据公司的整体战略布局，聚焦主业发展，发挥产业链协同效益，公司拟按照每1元注册资本2.4元的价格，使用自有资金人民币1,250万元认购众享科技新增的520.4082万元注册资本，占众享科技增资后注册资本总额的51%股权。本次增资完成后，众享科技将成为公司的控股子公司，注册资本变更为人民币1,020.4082万元。众享科技主要产品为电源管理芯片，包括PD快充芯片、AC-DC、DC-DC、POE芯片及PSE芯片，其产品主要应用于智能安防、智能消防、消费类电子等。本次交易是公司基于聚焦主业发展和积极拓展业务布局，有利于公司整合双方的市场、客户、技术、产品、生产以及供应链资源，发挥产业链协同效益，符合公司发展愿景与长期战略规划。
更新时间：2024-12-17 10:57:31

【回购股份方案】2024年12月，公司拟使用首次公开发行普通股取得的超募资金通过集中竞价交易方式进行股份回购，回购股份将在未来适宜时机用于股权激励或员工持股计划。回购股份金额：不低于人民币1,000万元（含），不超过人民币2,000万元（含）。具体回购资金总额以回购结束时实际回购使用的资金总额为准；回购股份资金来源：公司首次公开发行普通股取得的超募资金；回购股份价格：不超过人民币57.66元/股（含）；回购股份期限：自公司董事会审议通过本次回购方案之日起12个月内。
更新时间：2024-12-17 10:55:01

【丰富的产品矩阵】公司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展战略，公司目前拥有包括平面MOSFET、功率IC等700余款产品。公司平面MOSFET产品覆盖40V-1500V电压段，已形成低压、中压、高压全系列功率MOSFET产品系列，拥有近500款不同规格的产品；公司在第三代半导体功率器件方面，已推出650V-1700VSiCMOSFET产品系列；功率IC方面，公司基于晶圆代工厂0.5um600VSOIBCD和0.18um40VBCD等工艺自主搭建了设计平台；公司与晶圆代工厂深度合作，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。公司已形成百余款功率IC产品，并完成了多款功率IC所需的IP设计与验证。未来，公司还将进一步实现对各种细分品类功率器件芯片的覆盖，并进一步促进功率IC和第三代半导体功率器件的产品系列化。公司将努力成为一站式、全品类覆盖的高性能功率半导体产品供应商，助力功率半导体国产化替代，推动我国在高可靠领域基础元器件自主可控进程的发展。
更新时间：2024-05-24 14:00:18

【第三代半导体器件】在第三代半导体器件方面，公司SiC功率器件产品主要包括SiC MOSFET和SiC SBD（肖特基势垒二极管），SiC MOSFET导通电阻小，开关损耗低，工作温度范围宽，阈值电压一致性好，可广泛用于新能源汽车及配套、工业照明、大功率电源、高可靠领域等，公司产品目前以高可靠领域应用为主。SiC SBD可广泛用于新能源汽车及配套、大功率电源、逆变器、高可靠领域等，公司产品目前以高可靠领域应用为主。公司加大SiCMOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发，2023年与国内晶圆代工厂合作开发了1200V、1700V SiC MOSFET的生产工艺平台，其中1200V SiC MOSFET工艺平台已成功进入中试阶段。
更新时间：2024-05-24 14:00:06

【客户情况】凭借产品可靠性高、参数一致性好等特点，公司迅速在细分领域打开市场，产品广泛应用于消费电子、工业控制及高可靠领域。在消费电子领域，公司的平面MOSFET产品主要向包括晶丰明源、必易微、芯朋微、灿瑞科技在内的业内知名IC设计公司销售，产品已应用于包括小米、美的、昕诺飞等众多知名终端客户；在工业控制领域，公司的平面MOSFET已获上能电气、威胜集团等多家知名终端客户应用；在高可靠领域，公司的平面MOSFET已向公司A-1、公司E、单位H等客户形成销售，助力高可靠领域MOSFET产品的国产化替代。
更新时间：2024-05-24 13:57:30

【功率 IC】公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC。公司坚持在高可靠领域芯片国产化替代的战略方向，洞察市场需求导向，进行自主研发和创新，将科技成果与产业深度融合。公司基于晶圆代工厂0.5um600VSOIBCD和0.18um40VBCD等工艺自主搭建了设计平台；公司与晶圆代工厂深度合作，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。公司已形成百余款功率IC产品，并完成了多款功率IC所需的IP设计与验证；公司自主研发了“一种全电压范围多基准电压同步调整电路及高精准过压保护电路”“一种输入失调电压自动修正电路”等核心技术，有效提升了产品参数一致性，增强了产品可靠性。
更新时间：2024-05-24 13:56:49

【功率器件】公司功率器件产品以MOSFET为主，公司已同时具备Si基及SiC基功率器件的设计、研发能力，积累了多项具有原创性和先进性的核心技术，其中3项达到国际先进水平，1项达到国内领先水平。SiC基功率器件方面，公司是国内为数不多的具备650V-1700VSiCMOSFET设计能力的企业之一，产品已覆盖业内主流电压段。
更新时间：2024-05-24 13:54:26

【专精特新】公司是国家高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业、国家鼓励的重点集成电路设计企业、江苏省“科技小巨人企业”“江苏省潜在独角兽企业”、江苏省半导体行业协会理事单位，公司研发中心获“江苏省高可靠性功率器件工程技术研究中心”认证。截至2023年7月13日，公司已积累了10项核心技术，获得71项授权专利（其中发明专利28项，实用新型专利43项，另有2项发明专利已获授予专利通知书，待取得专利证书）和53项集成电路布图设计专有权。
更新时间：2023-10-25 14:59:44

【募资投向】公司募集资金扣除发行等费用后拟投入以下项目：智能功率半导体研发升级项目，投资总额14473.27万元；SiC功率器件研发升级项目，投资总额8727.85万元；功率半导体研发工程中心升级项目，投资总额16807.16万元；补充营运资金，投资总额13000.00万元。
更新时间：2023-07-31 14:15:54

【功率半导体市场规模】功率半导体的应用十分广阔，涉及电路控制和电能转换的产品均离不开功率半导体的使用。根据Omdia的数据及预测，2021年全球功率半导体市场规模为462亿美元（主要包括功率器件、功率IC和功率模组），预计2024年将达到522亿美元。中国的功率半导体行业在国家相关政策支持、国产化替代加速及资本推动等因素合力下，取得了长足的进步与发展。根据Omdia数据及预测，2021年中国功率半导体市场规模为182亿美元，预计2024年将达206亿美元，中国作为全球最大的功率半导体市场，发展前景十分广阔。
更新时间：2023-07-31 14:14:50

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◆成交回报(单位:万元)◆

交易日期:2024-12-20 披露原因:涨幅达15%的证券

当日成交量(万手):6.02 当日成交额(万元):24041.46 成交回报净买入额（万元）:1933.63

买入金额最大的前5名
营业部或交易单元名称	买入金额(万元)	卖出金额(万元)
天风证券股份有限公司浙江分公司	1234.34	0
华鑫证券有限责任公司上海茅台路证券营业部	990.57	0
中国银河证券股份有限公司深圳深业上城证券营业部	934.74	0
华源证券股份有限公司武汉分公司	732.49	0
国泰君安证券股份有限公司总部	500.05	0
买入总计: 4392.19 万元

卖出金额最大的前5名
营业部或交易单元名称	买入金额(万元)	卖出金额(万元)
东方财富证券股份有限公司杭州城星路证券营业部	0	612.56
长城证券股份有限公司北京知春路证券营业部	0	546.54
东吴证券股份有限公司张家港杨舍证券营业部	0	449.76
华西证券股份有限公司义乌商城大道证券营业部	0	429.48
中信证券（山东）有限责任公司青岛西海岸新区庐山路证券营业部	0	420.22
卖出总计: 2458.56 万元

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证监会行业：行业：	制造业->电气、电子及通讯->计算机、通信和其他电子设备制造业->电子器件制造电子设备入选理由：公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，可实现电源开关和电能转换的功能，实现变频、变相、变压、逆变、变流、开关的目的。公司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，始终围绕功率半导体产品不断进行业务开拓和持续创新，主要产品包含功率器件及功率IC两大类。在功率器件方面，公司产品以高压平面MOSFET为主，并在平面MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET（FRMOS）系列产品；在功率IC方面，公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC。此外，在第三代半导体方面，公司的SiC功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。	所属地域:	江苏
主营业务：
题材概念:	增持回购入选理由：公司公告股东有增持或者回购行为、半导体入选理由：公司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展战略，公司目前拥有包括平面MOSFET、功率IC等700余款产品。公司平面MOSFET产品覆盖40V-1500V电压段，已形成低压、中压、高压全系列功率MOSFET产品系列，拥有近500款不同规格的产品；公司在第三代半导体功率器件方面，已推出650V-1700VSiCMOSFET产品系列；功率IC方面，公司基于晶圆代工厂0.5um600VSOIBCD和0.18um40VBCD等工艺自主搭建了设计平台；公司与晶圆代工厂深度合作，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。公司已形成百余款功率IC产品，并完成了多款功率IC所需的IP设计与验证。未来，公司还将进一步实现对各种细分品类功率器件芯片的覆盖，并进一步促进功率IC和第三代半导体功率器件的产品系列化。公司将努力成为一站式、全品类覆盖的高性能功率半导体产品供应商，助力功率半导体国产化替代，推动我国在高可靠领域基础元器件自主可控进程的发展。、小米概念入选理由：凭借产品可靠性高、参数一致性好等特点，公司迅速在细分领域打开市场，产品广泛应用于消费电子、工业控制及高可靠领域。在消费电子领域，公司的平面MOSFET产品主要向包括晶丰明源、必易微、芯朋微、灿瑞科技在内的业内知名IC设计公司销售，产品已应用于包括小米、美的、昕诺飞等众多知名终端客户；在工业控制领域，公司的平面MOSFET已获上能电气、威胜集团等多家知名终端客户应用；在高可靠领域，公司的平面MOSFET已向公司A-1、公司E、单位H等客户形成销售，助力高可靠领域MOSFET产品的国产化替代。、第三代半导体入选理由：在第三代半导体器件方面，公司SiC功率器件产品主要包括SiC MOSFET和SiC SBD（肖特基势垒二极管），SiC MOSFET导通电阻小，开关损耗低，工作温度范围宽，阈值电压一致性好，可广泛用于新能源汽车及配套、工业照明、大功率电源、高可靠领域等，公司产品目前以高可靠领域应用为主。SiC SBD可广泛用于新能源汽车及配套、大功率电源、逆变器、高可靠领域等，公司产品目前以高可靠领域应用为主。公司加大SiCMOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发，2023年与国内晶圆代工厂合作开发了1200V、1700V SiC MOSFET的生产工艺平台，其中1200V SiC MOSFET工艺平台已成功进入中试阶段。、专精特新入选理由：公司是国家高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业、国家鼓励的重点集成电路设计企业、江苏省“科技小巨人企业”“江苏省潜在独角兽企业”、江苏省半导体行业协会理事单位，公司研发中心获“江苏省高可靠性功率器件工程技术研究中心”认证。截至2023年7月13日，公司已积累了10项核心技术，获得71项授权专利（其中发明专利28项，实用新型专利43项，另有2项发明专利已获授予专利通知书，待取得专利证书）和53项集成电路布图设计专有权。、碳化硅入选理由：在第三代半导体器件方面，公司SiC功率器件产品主要包括SiC MOSFET和SiC SBD（肖特基势垒二极管），SiC MOSFET导通电阻小，开关损耗低，工作温度范围宽，阈值电压一致性好，可广泛用于新能源汽车及配套、工业照明、大功率电源、高可靠领域等，公司产品目前以高可靠领域应用为主。SiC SBD可广泛用于新能源汽车及配套、大功率电源、逆变器、高可靠领域等，公司产品目前以高可靠领域应用为主。公司加大SiCMOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发，2023年与国内晶圆代工厂合作开发了1200V、1700V SiC MOSFET的生产工艺平台，其中1200V SiC MOSFET工艺平台已成功进入中试阶段。。
风格概念:	小盘入选理由：按市场个股总市值从小到大排序，公司总市值排名在1500名内、融资融券入选理由：公司是融资融券标的个股。

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