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						有研半导体材料股份有限公司第四届董事会第三十二次会议决议公告 
　　本公司及董事会全体成员保证公告内容的真实、准确和完整，没有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏。
　　有研半导体材料股份有限公司第四届董事会第三十二次会议于2010年9月28日在公司会议室召开，会议应到董事9名，实到董事8名，独立董事张克东因公出未能出席本次会议。董事会会议通知已于2010年9月23日以传真、电子邮件方式送达全体董事。本次会议的召开符合《公司法》、《公司章程》及有关法律、法规的规定。会议审议了如下决议：
　　一、审议通过了《关于公司向中国银行股份有限公司北京西城支行申请一年期人民币流动资金贷款以及贸易融资综合授信额度7000万元的议案》
　　同意票8票，反对票0票，弃权票0票。
　　二、审议通过了《关于公司向招商银行申请一年期人民币综合授信额度8000万元的议案》
　　同意票8票，反对票0票，弃权票0票。
　　三、审议通过了公司《关于前次募集资金使用情况的说明》
　　该项议案需提交公司股东大会审议。
　　该议案具体内容详见本公告附件。
　　同意票8票，反对票0票，弃权票0票。
　　四、审议通过了《关于召开公司2010年第一次临时股东大会的议案》
　　同意票8票，反对票0票，弃权票0票。
　　该议案具体内容详见当日《上海证券报》及上海证券交易所网站www.sse.com.cn.
　　特此公告。
　　有研半导体材料股份有限公司董事会
　　2010年9月30日
　　附件
　　有研半导体材料股份有限公司
　　关于前次募集资金使用情况的说明
　　一、前次募集资金的数额和资金到位时间
　　有研半导体材料股份有限公司经中国证券监督管理委员会证监发行字［1999］2号文、3号文、4号文批准，于1999年1月21日至2月5日向二级市场投资者以定价配售方式首次向社会公开发行人民币普通股6,500万股，每股面值1元，每股发行价格人民币8.54元，共计募集资金人民币55,510万元，扣除发行费用人民币1,360万元，实际募集资金人民币54,150万元。该募集资金已于1999年2月5日全部到位，并经北京兴华会计师事务所有限公司【1999】京会兴字63号验资报告予以验证。
　　二、前次募集资金的实际使用情况
　　（一）募集资金实际使用情况
　　序号	项目名称	实际投资金额(万元)	完工程度（%）
　　1999年度	2000年度	2001年度	合  计
　　1	年产30吨直径4、5英寸区熔硅单晶生产线技术改造项目	4,416.10	371.00	25.20	4,812.30	100
　　2	年产50吨6英寸轻掺杂直拉硅单晶生产线技术改造项目	4,397.40	377.10	161.80	4,936.30	100
　　3	年产50吨直径5、6英寸重掺直拉硅单晶生产线技术改造项目	4,786.20	246.40	293.30	5,325.90	100
　　4	年产200万片6英寸线切割硅片生产线技术改造项目	5,645.60	174.30	161.20	5,981.10	100
　　5	直径5、6英寸硅单晶抛光片和超净清洗工艺技术改造项目	4,944.40	99.70	93.00	5,137.10	100
　　6	大直径硅单晶抛光片产业化项目	2,983.70	173.80	140.70	3,298.20	100
　　7	发光二极管(LED)用直径2英寸水平砷化镓抛光片生产厂	194.50	3,130.50		3,325.00	100
　　8	国泰半导体材料有限公司65%股权		11,700.00		11,700.00
　　9	项目配套流动资金		7,583.40	2,050.70	9,634.10
　　合计		27,367.90	23,856.20	2,925.90	54,150.00
　　（二）项目效益情况
　　上述募集资金项目部分系技术改造项目，形成完整产业链，自前次募集资金开始投入以后，公司主营业务收入有了较大幅度的提高，各年度的主营业务收入及毛利如下：
　　年度	2001年度	2002年度	2003年度	2004年度	2005年度	2006年度	合计
　　主营业务收入	10,836	12,083	19,669	28,795	32,430	49,027	152,840
　　毛利	3,037	-398	2, 533	4,395	5,382	7,240	20,191
　　三、前次募集资金实际使用情况的对照
　　（一）前次募集资金实际使用情况与招股说明书的对照情况
　　1、募集资金投资项目和投资数额与招股说明书的对照：
　　单位：人民币万元
　　项　　　　　　 目	金　　　　额
　　承诺投资项目	实际投资项目	承诺投资	实际投资	差异额
　　年产30吨直径4、5英寸区熔硅单晶生产线技术改造项目	年产30吨直径4、5英寸区熔硅单晶生产线技术改造项目	4,995.0	4,812.3	182.7
　　年产50吨6英寸轻掺杂直拉硅单晶生产线技术改造项目	年产50吨6英寸轻掺杂直拉硅单晶生产线技术改造项目	4,873.8	4,936.3	-62.5
　　年产50吨直径5、6英寸重掺直拉硅单晶生产线技术改造项目	年产50吨直径5、6英寸重掺直拉硅单晶生产线技术改造项目	4,873.8	5,325.9	-452.1
　　年产200万片6英寸线切割硅片生产线技术改造项目	年产200万片6英寸线切割硅片生产线技术改造项目	4,994.0	5,981.1	-987.1
　　直径5、6英寸硅单晶抛光片和超净清洗工艺技术改造项目	直径5、6英寸硅单晶抛光片和超净清洗工艺技术改造项目	4,996.0	5,137.1	-141.1
　　大直径硅单晶抛光片产业化项目	大直径硅单晶抛光片产业化项目	2,135.0	3,298.2	-1,163.2
　　光纤用四氯化锗产业化项目		4,814.0	　	4,814.0
　　发光二极管(LED)用直径2英寸水平砷化镓抛光片生产厂	发光二极管(LED)用直径2英寸水平砷化镓抛光片生产厂	4,998.0	3,325.0	1,673.0
　　发光二极管(LED)用直径2英寸磷化镓晶片生产厂		4,987.0	　	4,987.0
　　电力增容基础设施改造工程项目		4,900.0	　	4,900.0
　　国泰半导体材料有限公司65%股权	　	11,700.0	-11,700.0
　　项目配套流动资金	项目配套流动资金	7583.4	9,634.1	-2,050.7
　　合          计	54,150.0	54,150.0
　　2001年2月14日公司第一届董事会第十六次会议决议并经2001年3月20日召开的2001年第一次临时股东大会决议通过：拟出资11,700万元与香港凯辉控股有限公司（ULTIMATE VICTORY HOLDINGS LIMITED）共同组建北京国泰半导体材料有限公司，该公司注册资本18,000万元，座落于北京市林河工业开发区（3个北方微电子生产基地之一），建设6英寸区熔硅单晶生产基地和重掺砷硅单晶生产基地。原计划投资的光纤用四氯化锗产业化项目、发光二极管(LED)用直径2英寸磷化镓晶片生产厂由于市场变化、原材料、设备引进等方面的问题使其难以达到原有的赢利水平，因而予以放弃；原计划投资的电力增容基础设施改造项目由于国家政策支持亦不再实施。原计划投资项目金额与拟投资项目金额之差补充公司流动资金。
　　年产50吨6英寸轻掺杂直拉硅单晶生产线技术改造项目、年产50吨直径5、6英寸重掺直拉硅单晶生产线技术改造项目、年产200万片6英寸线切割硅片生产线技术改造项目、直径5、6英寸硅单晶抛光片和超净清洗工艺技术改造项目、大直径硅单晶抛光片产业化项目等大直径硅单晶生产线项目实际投资额比计划投资额超支-2,806万元，主要原因系设备价格上涨、汇率变动等因素所致。
　　发光二极管(LED)用直径2英寸水平砷化镓抛光片生产厂项目实际投资额比计划投资额节约1,673万元，主要原因系公司优化设备投资、市场及技术等变化所致。
　　2、募集资金使用时间与招股说明书对照：
　　承诺投资项目	实际投资项目	计划投入时间	实际投入时间
　　年产30吨直径4、5英寸区熔硅单晶生产线技术改造项目	年产30吨直径4、5英寸区熔硅单晶生产线技术改造项目	1999年	1999年-2000年
　　年产50吨6英寸轻掺杂直拉硅单晶生产线技术改造项目	年产50吨6英寸轻掺杂直拉硅单晶生产线技术改造项目	1999年-2000年	1999年-2001年
　　年产50吨直径5、6英寸重掺直拉硅单晶生产线技术改造项目	年产50吨直径5、6英寸重掺直拉硅单晶生产线技术改造项目	1999年-2000年	1999年-2001年
　　年产200万片6英寸线切割硅片生产线技术改造项目	年产200万片6英寸线切割硅片生产线技术改造项目	1999年-2000年	1999年-2001年
　　直径5、6英寸硅单晶抛光片和超净清洗工艺技术改造项目	直径5、6英寸硅单晶抛光片和超净清洗工艺技术改造项目	1999年	1999年-2001年
　　大直径硅单晶抛光片产业化项目	大直径硅单晶抛光片产业化项目	1999年-2000年	1999年-2001年
　　光纤用四氯化锗产业化项目		1999年-2000年
　　发光二极管(LED)用直径2英寸水平砷化镓抛光片生产厂	发光二极管(LED)用直径2英寸水平砷化镓抛光片生产厂	1999年-2000年	1999年-2000年
　　发光二极管(LED)用直径2英寸磷化镓晶片生产厂		1999年-2000年
　　电力增容基础设施改造工程项目		1999年
　　国泰半导体材料有限公司65%股权		2000年
　　项目配套流动资金	项目配套流动资金	1999年-2000年	1999年-2001年
　　注：部分项目由于市场变化性，略有延迟，但均在2001年底完成。
　　（二） 前次募集资金实际使用情况与公司定期报告披露信息的对照
　　1、与1999年年度报告披露信息的对照
　　单位：万元
　　项目名称	年报披露金额	实际使用金额	差异额
　　年产30吨直径4、5英寸区熔硅单晶生产线技术改造项目	4,416.1	4,416.1
　　年产50吨6英寸轻掺杂直拉硅单晶生产线技术改造项目	4,397.4	4,397.4
　　年产50吨直径5、6英寸重掺直拉硅单晶生产线技术改造项目	4,786.2	4,786.2
　　年产200万片6英寸线切割硅片生产线技术改造项目	5,645.6	5,645.6
　　直径5、6英寸硅单晶抛光片和超净清洗工艺技术改造项目	4,944.4	4,944.4
　　大直径硅单晶抛光片产业化项目	2,983.7	2,983.7
　　发光二极管(LED)用直径2英寸水平砷化镓抛光片生产厂	194.5	194.5
　　合计	27,367.9
　　27,367.9
　　2、与2000年年度报告披露信息的对照
　　单位：万元
　　项目名称	年报披露金额	实际使用金额	差异额
　　年产30吨直径4、5英寸区熔硅单晶生产线技术改造项目	4,787.1	4,787.1
　　年产50吨6英寸轻掺杂直拉硅单晶生产线技术改造项目	4,774.5	4,774.5
　　年产50吨直径5、6英寸重掺直拉硅单晶生产线技术改造项目	5,032.6	5,032.6
　　年产200万片6英寸线切割硅片生产线技术改造项目	5,819.9	5,819.9
　　直径5、6英寸硅单晶抛光片和超净清洗工艺技术改造项目	5,044.1	5,044.1
　　大直径硅单晶抛光片产业化项目	3,157.5	3,157.5
　　发光二极管(LED)用直径2英寸水平砷化镓抛光片生产厂	3,325.0	3,325.0
　　国泰半导体材料有限公司65%股权	11,700.0	11,700.0
　　项目配套流动资金	7,583.4	7,583.4
　　合计	51,224.1	51,224.1
　　3、与2001年年度报告披露信息的对照
　　单位：万元
　　项目名称	年报披露金额	实际使用金额	差异额
　　年产30吨直径4、5英寸区熔硅单晶生产线技术改造项目	4,812.3	4,812.3
　　年产50吨6英寸轻掺杂直拉硅单晶生产线技术改造项目	4,936.3	4,936.3
　　年产50吨直径5、6英寸重掺直拉硅单晶生产线技术改造项目	5,325.9	5,325.9
　　年产200万片6英寸线切割硅片生产线技术改造项目	5,981.1	5,981.1
　　直径5、6英寸硅单晶抛光片和超净清洗工艺技术改造项目	5,137.1	5,137.1
　　大直径硅单晶抛光片产业化项目	3,298.2	3,298.2
　　发光二极管(LED)用直径2英寸水平砷化镓抛光片生产厂	3,325.0	3,325.0
　　国泰半导体材料有限公司65%股权	11,700.0	11,700.0
　　项目配套流动资金	9,634.1	9,634.1
　　合计	54,150.0	54,150.0
　　四、董事会说明
　　综上所述，公司对前次募集资金投资项目的投资总额为54,150万元，全部募集资金已于2001年底前使用完毕。招股说明书所承诺的项目以及按程序决策并披露的变更项目均已建成并投入使用。为保证前次募集资金科学、合理地投入使用，在募集资金使用过程中，公司根据市场环境和经营条件的变化，及时调整部分募集资金投入方向，以保证募集资金的使用更符合公司经营实际的需要。
　　自前次募集资金开始投入后，公司主营业务收入有了较大幅度的提高，但由于募集资金投入后公司所处的半导体行业市场持续低迷，公司内部管理和决策水平有限，致使业主营业务利润与预期收益有所差异。随着2003年以后行业的逐步复苏，公司不断调整产品结构，提高产品质量，使募集资金项目在近几年中的经营效益持续增长。
　　公司董事会认为，前次募集资金的使用和项目的实施为公司的产业规模和产业方向奠定了一定基础。通过经营班子努力，前次募集资金项目正逐步提高盈利规模和盈利水平，为公司未来持续发展提供有利支持。
　　有研半导体材料股份有限公司董事会
　　2010年9月28日