公司2021Q3 延续同比高增长，维持“买入”评级公司发布定期报告，2021Q3 实现营收24.73 亿元，同比增长35.44%，环比增长2.60%；实现归母净利润6.16 亿元，同比增长117.26%，环比下降7.74%。2021Q3，公司在手订单饱满，产能利用率维持高位，延续较高的同比增速。受益行业持续高景气，公司实现37.86%的产品毛利率，环比提升1.59 个pct。2021Q3 公司管理费用及研发费用率分别环比提升2.35 及2.83 个pct，致使公司销售净利率环比下滑2.77 个pct 至24.60%。我们下调盈利预测，预计公司2021-2023 年归母净利润为22.79/25.06/28.69 亿元（原值为24.43/27.40/30.82 亿元），对应EPS 为1.73/1.90/2.17 元，当前股价对应PE 为36.0/32.7/28.6 倍。公司作为功率半导体行业龙头企业，具有国内领先的晶圆产能规模，产品种类齐全，有望深度受益功率半导体行业国产化替代加速进程，对公司维持“买入”评级。

    　　强化IGBT 产品实力，完善硅基功率器件布局公司通过8 英寸IGBT 技术平台开发和产品系列化研发，提升产品性能与可靠性；通过IGBT 芯片模块化，延伸产品价值链，扩展客户的选型空间。随着IGBT 产品实力的增强，公司硅基功率半导体布局得以完善，国内龙头地位进一步夯实。

    　　积极开发SiC 及GaN 器件，有望受益第三代半导体的快速发展据公司公告，公司自主研发的第一代650V、1200V SiC JBS 产品实现量产和销售；新一代650V SiC JBS 产品实现技术突破，综合性能达到业界先进水平；公司平面型1200V SiC MOSFET 产出工程样品，静态技术参数达到国外对标样品水平，正进行可靠性优化。公司第一代650V 硅基氮化镓Cascode 器件样品静态参数达到国外对标水平；自主研发的第一代650V 硅基氮化镓E-mode 器件实现器件功能，工艺开发进行中。未来随着第三代半导体衬底工艺水平和制造良率的提升，产品成本有望持续下降，市场规模有望快速扩大。公司积极投入研发，产品研发及产业化成果显著，有望建立先发优势并深度受益行业发展。

    　　风险提示：产线建设不及预期；行业竞争加剧，毛利率下滑；行业需求下滑。