事件

    　　公司发布2021 年第三季度业绩报告，2021 年Q3 单季度公司实现营收24.73 亿元，环比Q2 增长2.61%；实现归属母公司股东的净利润为6.16 亿元。

    　　毛利率环比提升，研发费用创单季度历史新高2021 年Q3 单季度公司实现销售毛利率37.86%，创公司历史新高，环比Q2 增加1.59 个百分点，作为国内领先的IDM 和代工企业有望延续较高的产能利用率和盈利水平，公司不断加大研发投入，在MOSFET、IGBT 以及第三代化合物半导体等高端产品领域不断取得技术突破，基于自身MOSFET 资源，贴近电机、电池和电源市场终端应用，不断丰富MOS 合封模块以及方案产品种类和扩大客户基数，通过IGBT 模块产品不断加强其综合竞争实力，不断拓展工业和白电领域客户。2021 年Q3 单季度公司研发费用为2.20 亿元，创单季度历史新高，占营收的比例为8.90%。

    　　SiC 系列产品布局完善，化合物半导体未来可期根据公司半年报，2020 年全球SiC 和GaN 功率半导体的销售收入达到8.54 亿美元，在混合动力和电动汽车、电源和光伏逆变器等需求的推动下，未来十年保持两位数的年均复合增长率，到2021 年市场预计超过10 亿美元，并在2029 年超过50 亿美元。依据天眼查信息，2020 年12 月1 日，华为哈勃投资投资SiC 外延晶片供应商瀚天天成，依据华润微9 月份投资者关系活动信息，公司积极布局碳化硅产业链，投资并持有瀚天天成3.2418%的股权。公司不断加强在第三代化合物半导体领域的研发投入，逐渐完善SiC 和GaN 系列产品的布局。

    　　升级代工工艺，0.11 um BCD 技术平台技术性能达标公司近年来持续推动先进BCD、MEMS、特色器件和高性能模拟特色工艺技术能力提升，增强技术差异化，持续以打造高性能、高压功率、高可靠性的BCD 工艺技术为核心。2021 年上半年公司0.18um BCD 工艺平台综合技术能力进一步提升，客户推广成效显著，各门类产品量产能力快速提升，0.11um BCD 技术平台技术性能达标，获得主流客户认可，SOI-BCI 工艺平台成功推向市场，典型产品进入量产阶段，MEMS 技术继续保持产业化优势，8 英寸硅麦克风工艺产品规模化生产，良率稳步提升。公司自主研发的600V 高压驱动IC 工艺平台广泛应用于电机驱动、智能功率模块IPM 等产品。

    　　投资建议

    　　我们维持此前盈利预测，预计2021~2023 年公司营收分别为90.50 亿元、105.00 亿元、126.00 亿元，预计实现归属于母公司股东净利润分别为21.41 亿元、23.40 亿元、26.08 亿元，预计EPS 分别为1.62 元/股、1.77 元/股、1.98 元/股，对应2021 年10 月26 日收盘价70.02 元的PE 分别为43.17倍、39.50 倍、35.45 倍。鉴于公司在MOSFET 领域的领先地位及未来IGBT/第三代化合物半导体等新产品突破，成长空间足，我们给予一定的估值溢价，维持“买入”评级。

    　　风险提示

    　　半导体行业存在周期性，新产品推出低于预期，与国际厂商存在技术差距等。