事件：

    　　公司发布2021 年半年报：2021H1 公司实现营收44.55 亿元，同比增长45.44%；归母净利润10.68 亿元，同比增长164.86%。

    　　投资要点：

    　　2021H1 业绩超预期，行业缺货有望推动产业链重塑，国产替代进一步加速。受益于行业景气度提升，公司产能利用率维持高位，叠加国产替代，2021H1 业绩超预期，公司2021Q2 单季度实现营收24.10 亿元，同比增长43.39%，环比增长17.86%；实现归母净利润6.68 亿元，同比增长130.70%，环比增长66.97%；2021H1 公司整体实现毛利率34.06%（同比+6.76pct），其中2021Q2 单季度实现毛利率36.27%（同比+7.99pct，环比+4.80pct）。分业务来看，产品与方案业务板块实现营收20.44 亿元（同比+49.26%），主营业务占比46.17%。具体来看，MOSFET 营收同比增长43%，I GBT 营收同比增长94%，IC 设计业务营收同比增长66%；晶圆制造和封测板块实现营收收入23.83 亿元（同比+42.14%），主营业务占比53.83%。费用方面， 2021H1 公司期间费用率（不含研发）4.17%(-2.45pct)，其中销售、管理、财务费用率分别为1.43%（-0.07pct）、4.66%（-0.78pct）、-1.92%（-1.60pct），管理费用率变动系公司合并报表范围变动且人工成本增加所致，财务费用变动系公司IPO 及定向发行股票募资后利息收入大幅增长。

    　　携手国家大基金加码扩充12 寸产线，晶圆代工和IDM双龙头成长动力充足。公司高度重视研发，2021H1 研发投入2.83 亿元（同比+24.61%），研发成果显著：1）MOSFET：新一代高性能中低压MOSFET 实现关键技术突破，今年已实现量产，上半年累计出货超过300 万颗；2）IGBT：

    　　部分工业用IGBT 产品已实现量产，新能源车用IGBT 样品技术达到国外大厂产品水平；3）第三代半导体：公司自主研发的新一代650V SiCJBS 综合性能达到业界先进水平，多款产品实现量产，主要应用于充电桩、太阳能逆变器、各类电源器等领域，SiC MOSFET 产品研发进入尾声，其产业化准备工作正在有序推进。同时，公司2021M6 公告，拟联合国家大基金二期加码布局12 英寸晶圆产线，产线建成后预计将形成月产3 万片12 寸中高端功率半导体晶圆生产能力，并配套建设12 寸外延及薄片工艺能力。我们认为此次产能扩建，有助于公司把握景气周期和国产替代加速的大趋势，为公司中长期发展注入动能。短期来看，公司受益于此轮景气周期，业绩确定性高；中长期来看，公司有望深度受益于新产品产品放量、下游景气需求以及国产替代大趋势，加速崛起。

    　　盈利预测与投资评级：公司作为国内功率半导体IDM 龙头以及领先的晶圆代工企业，是目前国内少数能够提供-100V 至1500V 范围内低、中、高压全系列MOSFET 产品的企业，并具备600V-6500V IGBT 工艺能力。

    　　公司积极扩充12 寸产线，进一步巩固产能优势。我们认为公司在技术研发、产品客户等多方面具备强大的竞争优势，同时IDM 模式有利于公司确保供应链的稳定，提升公司产品质量的稳定性。随着下游5G、新能源汽车、工控等领域的景气周期，MOSFET、IGBT 等功率器件产品需求不断提升，公司有望充分受益，盈利加速释放。我们上调盈利预测，预计公司2021-2023 年实现归母净利润分别为23.49（+11.00）/27.46（+12.92）/30.80 亿元，对应EPS 分别为1.78/2.08/2.33 元/股，对应当前PE 估值分别为45/39/34 倍，维持“买入”评级。

    　　风险提示：下游需求不及预期风险；产线建设不及预期风险；客户导入不及预期风险。