投资要点

    　　AI 数据中心功率翻倍，SiC 需求空间持续打开AI 服务器机柜算力迭代驱动单机柜功率密度快速攀升，直接拉动功率半导体需求扩容，而SiC 凭借高耐高压、低损耗特性，在高功率场景的渗透率有望加速提升：以英伟达GPU 为例，其Rubin 系列GPU 实际功耗已从A100 的400W 跃升至700W+，2025 年中全球头部功率半导体厂商也已密集布局800V 供电方案，印证高功率场景技术升级趋势；随着AI 服务器机柜功耗抬升，能耗效率成为数据中心降本提效核心约束，SiC 在电源单元交直转换环节可实现能耗降低、冷却体积缩小与功率密度提升，在PFC 电路中可减少元器件用量并推动功率密度提升、优化能量转换效率，SiC 需求空间持续打开。

    　　以价换量巩固龙头地位，技术领先抢占大尺寸窗口尽管价格竞争激烈，公司的市场地位持续巩固。2024 年全球导电型碳化硅衬底材料市场占有率，天岳先进稳居全球前三。目前，碳化硅衬底行业正处于尺寸升级的关键发展阶段。衬底向大尺寸发展已成必然趋势，公司是全球少数能够实现8 英寸碳化硅衬底量产、也是率先推出12 英寸碳化硅衬底的公司。公司有望凭借在大尺寸衬底的先发优势和技术积累，有望进一步抢占市场份额。

    　　积极拓展AR 与AI 新应用，打开长期成长天花板公司积极拓展碳化硅在新兴领域的应用，打开长期增长空间。1）AR 眼镜：碳化硅材料因其高折射率和轻量化优势，有望成为下一代AR 眼镜光波导镜片的理想材料，实现更优显示效果。2）AIDC：随着AI 算力需求爆发，数据中心能耗问题凸显。碳化硅功率器件可显著提升服务器电源效率，在英伟达等巨头推动数据中心向800V 高压架构演进的趋势下，碳化硅有望成为关键材料。3）先进封装：单晶SiC 的热导率比硅高出2-3 倍，是中介层的理想材料，这一特性有望为CoWoS 封装提供新的散热解决方案。

    　　投资建议

    　　我们预计公司2025-2027 年分别实现收入16.15/20.26/25.42 亿元，实现归母净利润分别为0.34/1.77/3.74 亿元，维持“增持”评级。

    　　风险提示

    　　产品开发不及预期；市场竞争加剧；市场需求不及预期。