事件描述

    　　2025 年公司实现营业收入123.85 亿元，同比+36.62%；归母净利润21.11 亿元；扣非净利润15.50 亿元，同比+11.64%。其中25Q4 实现营收43.22 亿元，归母净利润9.00 亿元，扣非净利润6.63 亿元，单季业绩创历史新高。公司拟以发行股份及支付现金方式，收购杭州众硅科技64.69%股权，进军CMP 赛道。

    　　事件评论

    　　刻蚀设备基石稳固，先进制程出货与验证创新高。2025 年刻蚀设备收入达98.32 亿元，同比+35.12%。CCP 刻蚀设备：2025 年CCP 刻蚀设备累计装机量超过5000 反应台，连续十年保持大于 30%的年平均复合增长率，公司已有的刻蚀产品已经对绝大部分CCP 刻蚀应用形成较为全面的覆盖。ICP 刻蚀：公司的ICP 刻蚀设备在涵盖逻辑、DRAM、3D NAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的50 多个客户的生产线上量产，并继续验证更多ICP 刻蚀工艺，2025 年，ICP 刻蚀设备在客户端的累计安装数达到1800 个反应台，近9 年年均增长大于100%。

    　　薄膜沉积设备迎来爆发式增长。2025 年薄膜沉积设备实现收入5.06 亿元，同比大幅增长224.23%。为先进存储和逻辑器件开发的LPCVD、ALD 等十多款导体和介质薄膜设备顺利进入市场，性能完全达到国际领先水平，其中LPCVD 设备累计出货量已突破300 个反应台。减压外延设备EPI 已顺利付运客户端进行成熟制程量产验证，先进制程已进入工艺验证和客户验证阶段；常压外延设备已完成开发，进入工艺验证阶段。

    　　高研发投入驱动新技术研发与验证全面开花。2025 年研发投入高达37.44 亿元，同比+52.65%，占营收比重达30.23%，高研发投入取得了积极的成果。刻蚀设备：逻辑领域已运用在国际知名客户3nm、3nm 以下器件中若干关键步骤的加工；在3D NAND 芯片制造环节已应用于200 层以上的量产。MOCVD 设备：已在全球氮化镓基LED MOCVD市场中占据领先地位。薄膜沉积设备： 12 英寸低压薄膜沉积设备可以用于先进逻辑电路接触孔填充工艺，以及200 层以上3DNAND 的多个工艺。

    　　拟15.76 亿控股众硅科技，布局“干法+湿法”设备平台。公司拟通过发行股份及支付现金方式购买杭州众硅64.69%股权。众硅是国内少数掌握12 寸高端CMP 设备核心技术并实现量产的企业，属于湿法工艺核心设备，通过本次交易，中微将成为具备“刻蚀+薄膜沉积+量检测+湿法”四大前道核心工艺能力的厂商，显著提升了公司在先进制程中为客户提供系统级整体解决方案的能力。

    　　投资建议：公司凭借高研发投入和投资并购，正稳步迈入多样化、平台化和规模化的发展新阶段。暂不考虑众硅科技并表，预计公司2026 年营收与利润将持续受益于薄膜设备放量与刻蚀市占率提升，维持“买入”评级。

    　　风险提示

    　　1、限制政策进一步加剧的风险；

    　　2、半导体景气度不及预期的风险；

    　　3、公司在新工艺和新产品验证进度不达预期的风险。