投资要点

    　　刻蚀设备领军企业，ICP开启放量，迈向工艺全覆盖。2020-2023年刻蚀设备分别实现营收12.9/20.0/31.5/47.0亿元，营收年均增长大于50%，24H1刻蚀设备收入为26.98亿元，同比+56.68%，收入占比78.26%。公司的等离子体刻蚀设备已批量应用在国内外一线客户从65纳米到14纳米、7纳米和5纳米及更先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线，针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，CCP和ICP刻蚀设备的销售增长和在国内主要客户芯片生产线上市占率均大幅提升。24H1刻蚀设备新增订单39.4亿元，同比+50.7%，其中ICP开启放量。工艺覆盖方面，超高深宽比掩膜、超高深宽比介质刻蚀、晶圆边缘Bevel刻蚀等进展顺利。

    　　MOCVD设备从蓝绿光LED市场出发，拓展碳化硅和氮化钾基功率器件市场。2020-2023年MOCVD设备分别实现营收4.96/5.03/7.00/4.62亿元，收入波动主要系终端市场波动影响。24H1 MOCVD设备实现收入1.52亿元，同比-49.04%，主要因为公司在蓝绿光LED生产线和Mini-LED产业化中保持绝对领先的地位，该终端市场近两年处于下降趋势。公司紧跟MOCVD市场发展机遇，积极布局用于碳化硅和氮化钾基功率器件应用的市场，并在Micro-LED和其他显示领域的专用MOCVD设备开发上取得良好进展，已付运和将付运几种MOCVD新产品进入市场。

    　　薄膜设备启动放量，刻蚀+薄膜+量检测合计覆盖约33%集成电路设备。24H1 LPCVD新增订单1.68亿元，新产品开始启动放量。薄膜沉积设备研发方面，公司目前已有多款新型设备产品进入市场，其中部分设备已获得重复性订单，其他多个关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进。公司钨系列薄膜沉积产品可覆盖存储器件所有钨应用，并已完成多家逻辑和存储客户对 CVD/HAR/ALD W 钨设备的验证，取得了客户订单。公司 EPI 设备已顺利进入客户验证阶段，以满足客户先进制程中锗硅外延生长工艺的电性和可靠性需求。公司通过投资布局了光学检测设备板块，并计划开发电子束检测设备，将不断扩大对多种检测设备的覆盖。

    　　目前在研项目涵盖六类设备，20多个新设备开发，加码研发助力三维发展。公司显著加大研发力度，以尽快补短板，实现赶超。公司目前在研项目涵盖六类设备，20多个新设备的开发，24H1公司研发投入9.70亿元，较上年同期的4.60亿元增加约5.10亿元，同比大幅增长110.84%。公司继续瞄准世界科技前沿，持续践行三维发展战略，聚焦集成电路关键设备领域，扩展在泛半导体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会，公司在刻蚀设备、薄膜沉积设备、MOCVD 设备等设备产品研发、市场布局、新业务投资拓展等诸多方面取得了较大的突破和进展，产品不断获得海内外客户的认可，为公司持续 健康发展提供了有力支撑。

    　　中国大陆未来四年将保持每年300+亿美元晶圆厂设备投资，国产替代加速推进。从半导体设备细分产品的国产化率来看，国产化率最高的为去胶设备，已达90%以上；热处理、刻蚀设备、清洗设备国产化率已达到20%左右；CMP、PVD设备国产化率已达到10%左右；量检测设备、涂胶显影设备正逐步实现从0到1的突破。随着海外出口限制层层加码，半导体设备国产化进程加速推进。根据SEMI，2023年全球集成电路前段设备市场约为950亿美元，其中中国大陆成为全球最大的集成电路设备市场，占比达到35%，在政府激励措施和芯片国产化政策的推动下，中国大陆未来四年将保持每年300亿美元以上的投资规模，继续引领全球晶圆厂设备支出。2022年刻蚀设备/薄膜设备/量检测设备在晶圆制造环节半导体设备投资占比分别约为23%/22%/13%，未来随着先进工艺需求提升，这三类设备需求量及价值量将进一步攀升，目前公司覆盖约33%集成电路设备，随着研发项目的不断推进，集成电路设备覆盖度有望继续提升。

    　　盈利预测： 我们预计公司2024-2026 年营业收85.18/121.69/161.82 亿元， 归母净利润15.12/26.77/37.26亿元，对应2024/2025/2026年的PE分别为97/55/39倍。

    　　风险提示：下游客户扩产不及预期的风险，员工股权激励带来的公司治理风险，政府支持与税收优惠政策变动的风险，供应链风险，行业政策变化风险，国际贸易摩擦加剧风险，知识产权风险，人才资源风险，投资风险，研发投入不足导致技术被赶超或替代的风险。