营收和订单快速增长：24H1 营收同增36%至34.5 亿元，归母净利润同减48%至5.17 亿元，主要因为23H1 投资收益税后净收益约4.06 亿元及24H1 研发费用同增2.76 亿元。24H1 毛利率下滑至41.3%，因公司根据会计准则变化，将预计产品质量保证损失9,478 万元计入营业成本。24H1 公司新增订单同增40%至47.0 亿元，预计前三季超75 亿元，同增超50%；全年将达110-130 亿元，全年付运台数将增长超200%。公司生产专用设备833 腔，同增约420%，对应产值同增约402%至68.7 亿元，为全年出货及确认收入打下基础。发出商品余额6 月末约27.7 亿元，较期初增长19.0 亿元；合同负债余额约25.4 亿元，较期初增长约17.6 亿元。

    　　刻蚀设备持续高增长：营收同增57%至27 亿元，新增订单同增51%至39.4 亿元。

    　　针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，CCP 和ICP 刻蚀设备在国内主要客户芯片生产线上市占率大幅提升。公司大力投入先进芯片制造中关键刻蚀设备研发和验证，针对最关键刻蚀工艺的多款设备已在客户产线验证。公司自主开发的PrimoUD-RIE 已在生产线验证出具有刻蚀≥60:1 深宽比结构的量产能力，公司积极布局超低温刻蚀技术，积极储备更高深宽比结构（≥90:1）刻蚀的前卫技术。多款ICP 设备在先进逻辑芯片、先进DRAM 和3D NAND产线验证推进顺利并陆续取得批量订单。晶圆边缘Bevel 刻蚀设备完成开发，将进入客户验证，TSV 硅通孔刻蚀设备更多应用在先进封装和MEMS 器件生产。

    　　薄膜沉积设备开始贡献：公司新产品LPCVD 设备实现首台销售，上半年收入0.28亿元，新增订单1.68 亿元；已有多款新型薄膜沉积设备产品进入市场，其中部分设备已获重复性订单，其他多个关键薄膜沉积设备研发项目正顺利推进。公司钨系列薄膜沉积产品可覆盖存储器件所有钨应用，并已完成多家逻辑和存储客户验证，取得了客户订单。公司近期已规划多款CVD 和ALD 设备，增加薄膜设备的覆盖率。

    　　公司已形成EPI 设备自主知识产权及创新的预处理和外延反应腔的设计方案，EPI设备已顺利进入客户验证阶段，以满足先进制程中锗硅外延生长工艺的需求。

    　　我们预测公司24-26 年归母净利润分别为14.4、23.1、31.3 亿元（原24-25 年预测为21.1、26.5 亿元，主要调整了毛利率和研发费用率），采用DCF 估值法，给予175.25 元目标价，维持买入评级。

    　　风险提示

    　　研发费用增长影响盈利；晶圆厂扩产进度影响后续新增订单增长；业绩不及预期。