投资要点

    　　2024 年3 月21 日，公司ICP 刻蚀设备Primo Nanova系列第500 台反应腔顺利付运。此前，公司发布了《2023 年年度报告》。

    　　刻蚀设备龙头全年业绩续创新高，累计超四千个反应腔在客户产线量产2023 年公司实现营收62.64 亿元，同比增长32.15%；归母净利润17.86 亿元，同比增长52.67%；扣非归母净利润11.91 亿元，同比增长29.58%；毛利率45.83%，同比提升0.09 个百分点；净利率28.48%，同比提升3.84 个百分点；新增订单约83.6 亿元，同比增长约32.3%。

    　　单季度看，23Q4 公司实现营收22.22 亿元，同比增长30.97%，环比增长46.71%；归母净利润6.26 亿元，同比增长66.14%，环比增长299.11%；扣非归母净利润4.58 亿元，同比增长66.13%，环比增长113.18%。

    　　截至2023 年底，公司累计有4067 个反应腔在客户124 条生产线全面量产，其中CCP 反应腔2857 个，ICP 反应腔648 个，MOCVD 反应腔544 个，LPCVD 反应腔18 个。

    　　涵盖国内95%以上刻蚀应用需求，超高深宽比技术持续精进2023 年公司刻蚀设备实现营收约47.03 亿元，同比增长约49.43%，营收占比约75.09%；新增订单约69.5 亿元，同比增长约60.1%，约占新增订单总额的83.13%。

    　　公司刻蚀设备可涵盖国内95%以上刻蚀应用需求。

    　　CCP 刻蚀设备：2023 年公司CCP 刻蚀设备交付超400 个反应腔，超270 个反应腔进入5nm 及以下产线。逻辑芯片方面，SD-RIE 已在国内领先的逻辑芯片制造客户开展现场验证，同时公司也与多家逻辑芯片制造客户达成现场评估意向；验证成功后公司将实现逻辑芯片CCP 刻蚀工艺全覆盖。存储芯片方面，针对超高深宽比刻蚀需求，公司积极布局超低温刻蚀技术的同时，自研的大功率400kHz 偏压射频的UD-RIE 已在产线验证出具有刻蚀≥60:1 深宽比结构的能力。

    　　ICP 刻蚀设备：2023 年Nanova 单台机订单同比增长超100%，至2024 年3 月21日，Nanova 系列第500 台反应腔顺利付运。Twin-Star 累计安装机台2023 年增长超100%。适用于更高深宽比结构刻蚀的Nanova VE HP 已获批量重复订单。兼顾深宽比和均匀性的Nanova LUX 已付运至多个客户的产线上开始认证。深硅刻蚀设备在先进封装等成熟市场持续获得重复订单，在12 英寸的3D 芯片的硅通孔刻蚀工艺上成功验证，并进入欧洲MEMS 生产线量产。

    　　此外，晶圆边缘Bevel 刻蚀设备研发完成，预计2024 年进入客户验证。

    　　MOCVD 设备稳居主导地位，薄膜沉积设备新品迭出助成长

    　　MOCVD 设备：公司在全球氮化镓基LED 照明用MOCVD 设备市场的份额超80%，累计交付超500 个反应腔。Micro-LED 用的MOCVD 设备已付运样机至国内客户开展生产验证。SiC 功率器件用的外延生产设备预计24Q1 开展客户端生产验证。

    　　薄膜沉积设备：2023 年公司新增4 款薄膜沉积设备，其中三款设备已获得客户认证，并取得重复性订单；预计2024 年推出超10 款薄膜沉积设备。公司钨系列薄膜沉积产品可覆盖存储芯片所有钨应用，并已全部通过客户现场验证。应用于高端存储和逻辑芯片的ALD 氮化钛设备的实验室结果显示设备的薄膜均一性和产能均达到世界领先水平。硅和锗硅外延EPI 设备已进入工艺验证和客户验证阶段。

    　　投资建议：鉴于公司刻蚀设备验证和交付顺利，在建项目带来一定折旧成本，我们调整原先对公司24/25 年的业绩预测。预计2024 年至2026 年，公司营收分别为83.68/111.63/145.92 亿元（24/25 年原先预测值为82.65/104.14 亿元），增速分别为33.6%/33.4%/30.7%；归母净利润分别为20.33/26.20/34.14 亿元(24/25 年原先预测值为21.22/26.99 亿元)，增速分别为13.9%/28.8%/30.3%；对应PE 分别为48.4/37.5/28.8 倍。公司实现了刻蚀设备全面覆盖，薄膜设备领域侧重于导体/半导体层的薄膜沉积设备，投资上海睿励布局检测设备，三大产品线持续注入强劲增长动力。持续推荐，维持“买入”评级。

    　　风险提示：新技术、新工艺、新产品无法如期产业化风险，市场竞争加剧风险，晶圆厂产能扩充进度不及预期的风险，系统性风险等。