事件概述：

    　　公司发布23Q3 季报：Q3 收入15.15 亿元，YoY+41%、QoQ+16%；归母净利1.57 亿元，YoY-52%、QoQ-78%；毛利率45.74%，YoY-0.04pcts、QoQ-0.16pcts。

    　　利润下滑系期间费用增加、投资收益减少

    　　Q3 利润环比下滑程度较大，主要系：1）期间费用增加1.2 亿元；2）财务费用的正收益减少3400 万元（23Q2 有较多利息收入）；3）投资净收益减少3.5 亿元（23Q2 出售部分拓荆股权取得的收益）；4）公允价值变动净收益减少2.2 亿元（公司持有的上市公司股权价格波动所致）。

    　　刻蚀业务高增，产品结构升级

    　　刻蚀业务增速快于整体增速：23 年前三季度营业收入同比增长32.80%达40.41 亿元，而同期刻蚀设备收入增长43.40%达28.70 亿元；单三季度刻蚀收入11.48 亿元，经测算同比增长64%、环比增长26%——均显著快于公司整体营收增速。MOCVD 受景气低迷拖累：经测算，MOCVD23Q3 收入1.1 亿元，YoY-25%、QoQ-17%，主要系下游LED 行业景气低迷、对设备需求量减少。

    　　高端存储刻蚀已开展验证，CVD 钨设备快速突破1）刻蚀：逻辑领域，公司12 寸高端刻蚀设备已在从65 纳米到5 纳米的各个技术结点大量量产，并着力改进性能以满足5 纳米技术以下的若干关键步骤加工的要求；存储领域，公司致力于提供超高深宽比掩膜（≥40:1）和超高深宽比介质刻蚀(≥60:1)的全套解决方案，目前这两种设备都已经开展现场验证、进展顺利。2）薄膜沉积：公司短时间实现多种LPCVD 设备的研发交付以及ALD 设备的重大突破，其中CVD 钨设备能满足先进逻辑器件接触孔填充、DRAM 器件接触孔应用、3D NAND 器件中的多个关键应用需求；ALD 钨设备，能够满足3D NAND 等三维器件结构中金属钨的填充需求，公司还在开发另一ALD 产品系列，能够满足先进逻辑和存储器件中金属阻挡层和金属栅极的应用需求。3）MOCVD：Prismo A7设备已在全球氮化镓基LED MOCVD 市场居领先地位；用于Mini-LED 生产的Prismo UniMax，已在领先客户端大规模量产；用于硅基氮化镓功率器件Prismo PD5已获得重复订单，用于碳化硅功率器件外延生产的设备正在开发中，即将开展样机在客户端的测试。

    　　投资建议

    　　结合公司前三季度业绩情况，我们调整公司2023/24/25 年归母净利预测为14/18/22 亿元（此前预测为16/18/22 亿元），对应PE 为73.5/56.4/45.8 倍。考虑到公司作为国内刻蚀、MOCVD 设备领军企业之一，有望助力国产存储高端突破，维持“买入”评级。

    　　风险提示

    　　新产品开发、推向市场不及预期;大客户需求不及预期；来自同行竞争加剧的风险。