事件概述：10 月26 日，中微公司发布2023 年三季报。公司2023 年前三季度实现营收40.41 亿元，同比增长32.80%；实现归母净利润11.60 亿元，同比增长46.27%，实现扣非净利润7.34 亿元，同比增长13.94%。

    　　刻蚀主业表现强劲，公允价值变动及激励费用短期压制业绩。公司作为国内半导体设备龙头，在2023 年以来不断拓宽工艺覆盖率，实现收入的稳健高增。

    　　23Q3 单季度公司实现营收15.15 亿元，同比增长41.40%，环比增长16.21%。

    　　其中，核心业务刻蚀设备表现强劲，前三季度实现营收28.70 亿元，同比增长43.40%，对应23Q3 单季度实现刻蚀收入11.48 亿元，同比增长63.53%，贡献了公司主要的收入增量。MOCVD 业务前三季度实现营收4.09 亿元，同比增长5.50%，对应23Q3 单季度实现MOCVD 业务收入1.10 亿元，同比下滑25.17%。

    　　利润端，公司23Q3 毛利率45.74%，同环比保持稳定，但归母净利润短期承压，主要来自两方面因素：1）23Q3 有公允价值变动损失2.14 亿元；2）2023 年6月公司进行了新一期股权激励的授予，预计2023 年将产生1.64 亿元的股权激励费用摊销，因此23H2 的费用端亦将有所增长。23Q3 单季度公司实现归母净利润1.57 亿元，同比下滑51.76%；实现扣非净利润2.15 亿元，同比增长5.68%。

    　　静待先进工艺新品放量。公司持续突破先进工艺，在刻蚀、薄膜设备有较多新品布局，有望在未来为公司贡献持续成长性：

    　　1）CCP 刻蚀：大马士革刻蚀研发顺利，超高深宽比刻蚀机已经在客户端验证出具有刻蚀≥60:1 深宽比结构的能力；

    　　2）ICP 刻蚀：在先进逻辑、先进DRAM和3D NAND 中的工艺覆盖率达到50-70%，新应用包括DRAM 中的高深款比的多晶硅掩膜、12 英寸的3D 芯片的硅通孔刻蚀工艺（TSV）均已验证成功；

    　　3）LPCVD：公司用于高端存储的钨填充LPCVD 设备已通过关键客户实验室测试，首台量产验证机已在客户端进行测试；

    　　4）ALD：用于高端存储和逻辑器件的氮化钛薄膜ALD 设备研发顺利；5）EPI：用先进制程锗硅外延生长工艺的EPI 设备研发顺利，正处于工艺调试和客户验证阶段。

    　　投资建议：我们预计公司2023-2025 年营收分别为62.93/81.20/104.82亿元，归母净利润分别为16.45/18.66/23.49 亿元，对应现价PE分别为62/55/43倍，我们看好公司在半导体设备国产化进程中的领先优势，维持“推荐”评级。

    　　风险提示：产品验证不及预期；下游行业周期性波动；市场竞争加剧。