事件

    　　8 月24 日，公司公告2023 年半年度报告，23H1 实现营收25.27亿元，同比+28.13%；归母净利润10.03 亿元，同比+114.40%；扣非归母净利润5.19 亿元，同比+17.75%。

    　　投资要点

    　　刻蚀+MOCVD 持续推进，营收稳步增长。公司23H1 实现营收25.27 亿元，同比+28.13%，其中刻蚀设备/MOCVD 设备/备品备件及服务分别实现营收17.22/2.99/5.05 亿元， 同比增长32.53%/24.11%/17.13%。刻蚀设备：关键客户市占不断提高，在国际最先进的5 纳米芯片生产线及下一代更先进的生产线上，公司的CCP 刻蚀设备实现了多次批量销售，已有超过200 台反应台在生产线合格运转，ICP 刻蚀设备不断地核准更多刻蚀应用，迅速扩大市场并不断收到领先客户的批量订单。MOCVD：在新一代Mini-LED 生产线中，在蓝绿光LED 生产线上继续保持绝对领先的地位。

    　　出售拓荆科技股票增厚归母净利润，盈利能力不断增强。23H1公司实现归母净利润10.03 亿元，同比+114.40%，扣非归母净利润5.19 亿元，同比+17.75%，主要是本期收入和毛利增长下扣非后净利润同比增加，以及公司于23H1 出售了部分持有的拓荆科技股份有限公司股票，产生税后净收益约4.06 亿元（非经常性收益）。

    　　23H1 公司刻蚀设备/MOCVD 设备的毛利率分别为46.16%/37.90%，实现综合销售毛利率45.89%，同比+0.53pct，盈利能力不断增强。

    　　保持高研发属性，薄膜设备等新品进展顺利。在逻辑集成电路制造环节，公司开发的12 英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户最先进的生产线上并用于5 纳米及以下器件中若干关键步骤的加工。在3D NAND 芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备已应用于64 层和128 层的量产，同时公司根据存储器件客户的需求正在开发极高深宽比的刻蚀设备和工艺；公司也根据逻辑器件客户的需求，正在开发更先进刻蚀应用的设备。公司拥有多项自主知识产权和核心技术，截至23H1，公司已申请2,359 项专利，其中发明专利1,991 项；已获授权专利1,425 项，其中发明专利1,202项。23H1 公司的研发投入为4.60 亿元，同比+32.96%，占营业收入比例为18.22%，公司始终强调创新和差异化并保持高强度的研发投入。目前公司薄膜设备进展如下：

    　　1）公司首台CVD 钨设备去年底付运关键存储客户端验证评估，目前验证进展顺利，已如期完成多道工艺验证，各项指标符合预期，更多应用正在验证当中。同时公司在和更多逻辑和存储客户对接验证，市场得到持续拓展。

    　　2）在原CVD 钨设备的基础上，公司开发了新型号CVD 钨和ALD钨设备来实现更高深宽比结构的材料填充，新型号的CVD 钨和ALD钨设备是生产高端存储器件的关键设备，已通过关键客户实验室测试，首台量产验证机已在客户端进行测试。

    　　3）公司开发的应用于先进存储和逻辑器件的ALD 氮化钛设备也取得重大进展，多项指标达到国际领先水平，关键客户的实验室测试获得了良好结果，预期在23H2 发往客户端进行量产验证。

    　　4）在现有的金属CVD 和ALD 设备产品基础上，公司计划进一步完善先进CVD 和ALD 设备产品线，以提供先进金属CVD 和ALD设备全品类解决方案，进一步增强和逻辑存储客户的伙伴关系，全面拓展先进金属CVD 和ALD 设备产品市场。

    　　5）公司组建的EPI 设备研发团队，通过基础研究和采纳关键客户的技术反馈，已经形成自主知识产权及创新的预处理和外延反应腔的设计方案。目前公司EPI 设备正处于工艺调试和客户验证阶段，以满足客户先进制程中锗硅外延生长工艺的电性和可靠性需求。

    　　投资建议

    　　我们预计公司2023/2024/2025 年分别实现收入62.77/82.08/106.55 亿元， 实现归母净利润分别为18.42/19.06/24.51 亿元，当前股价对应2023-2025 年PE 分别为44 倍、42 倍、33 倍，维持“买入”评级。

    　　风险提示

    　　外部环境不确定性风险；技术迭代风险；全体员工持股的公司治理风险；上游供应链产能紧张风险；下游扩产不及预期风险。