新洁能发布2021年年度业绩报告：公司2021年实现营业收入为14.98亿元，同比增长56.89%，实现归母净利润4.1亿元，同比增长194.55%，实现扣非后归母净利润4.02亿元，同比增长198.12%。

    　　投资要点

    　　2021全年利润高增，盈利能力大幅提升

    　　2021年公司净利润实现高增，主要原因系功率半导体行业景气度日趋升高，公司围绕市场需求、客户需求以及行业发展趋势积极进行研发升级与产品技术迭代，持续开发与维护供应链资源，争取更多的产能支持，优化市场结构、客户结构及产品结构，开拓新兴市场与开发重点客户。

    　　细分产品来看，2021年功率器件实现营收13.52亿元，同比增长73.77%，其中沟槽型MOS/蔽栅型MOS/IGBT的占比分别为45.31%（同比-10.48pct）/38.96%（同比+7.27pct）/5.39%（同比+4.05%）。此外，芯片产品全年实现营收1.42亿元，占比从18.39%降低至9.53%；毛利率方面，2021年公司整体毛利率为39.12%（同比+13.75pct），其中功率器件毛利率达到38.71%，同比大幅上升12.84pct。期间费用方面，公司把控能力提升，2021年期间费用率（不含研发）为2.28%（ 同比-1.05pct ） ， 其中销售费用率为1.39% （ 同比-0.06pct），管理费用率2.06%（同比-0.46pct），财务费用率-1.16%（同比-0.52pct）。

    　　加大研发投入，各产品线平台持续推进上新

    　　2021年公司共计研发投入7968.92万元，同比增长54.05%，占营业收入的比例达到5.32%，全年实现新增产品近300款，各产品平台均有亮眼表现：

    　　IGBT平台：12寸1200V高频低饱和压降IGBT已稳定量产，已在多家光伏逆变行业典型客户开始大批量应用；使用载流子存储技术的650V高密度沟槽栅IGBT已初步开发完成；公司多款IGBT模块产品进入小批量生产。

    　　SJ-MOS平台：深沟槽SJ-MOS四代沟槽栅产品进一步完成650V、700V产品平台搭建，超结四代平台形成了500V～700V完整的产品系列；200V低压SJ MOS开发已取得阶段性进展，12寸650V～700VSJ MOS已进入稳定量产，超低特征导通电阻的第五代SJ-MOS已有样品产出。

    　　SGT-MOS平台：中压P型SGT MOS平台实现量产，电性能达到国际水准；低压二代SGT MOS平台完成规格型号拓展，产品数量增加至18款；低压快恢复SGT MOS完成前期设计及晶圆流片，阶段性晶圆级测试结果达到预期。

    　　Trench-MOS平台：在8寸产线的低压CSP产品平台基础上拓展出系列产品、完成了高可靠性的新型结构大功率中压P型Trench-MOS设计&工艺模拟和工厂单项开发；在12寸产线上完成了多个N型中低压的工艺平台开发工作。

    　　第三代半导体功率器件平台：1200V新能源汽车用SiC MOS平台开发进行顺利，1200V SiC MOSFET首次流片验证完成，产品部分性能达到国内先进水平；650V E-Mode GaN HEMT首次流片验证完成，产品部分性能达到国内先进水平。

    　　强化产能保障，汽车与光伏是长期成长主线

    　　产能方面，公司与华虹宏力建立了长期战略合作关系，在华虹宏力一厂、二厂、三厂、七厂均已实现投产。目前公司已成为国内8寸、12寸芯片工艺平台芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司之一，整体产能持续增长。此外，2021年公司已在境外某芯片代工厂进行产品的风险批验证，境内某芯片代工厂投入首个工程批，并不断开发芯片代工供应商以作为产能的补充。

    　　汽车与光伏业务将是公司长期成长主线，2021年公司在汽车电子市场重点导入了比亚迪，目前已经实现十几款产品的大批量供应，同时公司产品也进入了多个汽车品牌的整机配件厂，汽车电子产品销售占比快速提升；与此同时，公司抓住新能源碳达峰碳中和快速增长的市场需求，重点发力光伏逆变和光伏储能市场，IGBT和MOSFET产品已经在国内主要的头部企业实现大批量销售，光伏逆变和光伏储能领域将成为公司2022年重要的业绩增长点。

    　　盈利预测

    　　预测公司2022-2024年收入分别为20.80、26.97、32.06亿元，EPS分别为3.78、4.88、5.82元，当前股价对应PE分别为51、39、33倍，维持“推荐”投资评级。

    　　风险提示

    　　行业景气度下行风险、产品研发进度不及预期风险、行业竞争加剧风险、海外政策变化的风险等。