事件概述：

    　　3 月21 日公司发布年报：21 年实现营收14.98 亿元，同比+57%，归母净利4.1 亿元，同比+195%，扣非归母净利4.02 亿元，同比+198%——三项业绩均与此前业绩快报公布的数据一致。经测算，公司21Q4 实现营收4.0 亿元，环比-5.6%，同比+38%，该季归母净利为1 亿元，环比-27%，同比+160%，对应扣非归母净利为0.97 亿元，环比-28%，同比+166%。

    　　公司业绩大幅增长，行业高景气依旧

    　　1）20H2 以来半导体行业景气高昂，国产替代深度演绎。公司把握机遇，21 年实现收入高两位数增长，归母/扣非归母净利均实现近2 倍增长——对应的归母净利率，从20 年的14.

    　　6%升至21 年的27.4%，提升近13pct，其背后是公司竭力优化市场/客户/产品结构，实现盈利能力显著提升。2）21Q4 归母净利同比增161%，增长迅猛。环比看，营收、归母净利环比下降，主要系产品交付节奏、年末各项费用结算、年终奖计提等因素，剔除此类因素公司经营环比稳健，显现行业高景气良好持续性。

    　　市场升级：IGBT 光伏领域放量，MOSFET 打开新能源车市场光伏/储能：1）2021 年12 寸IGBT 产品已稳定量产，8 寸在光伏典型客户大批应用，IGBT全年创收8051 万元，同比增529%；2）展望22 年，光储IGBT 仍将供不应求，公司将积极开发/维护供应链资源，争取更多产能支持，有望实现更大规模的业务放量。新能源车：1）2021 年公司SGT MOS 即在汽车领域实现批量销售，并在5G、工业电源、植物照明等领域实现出货。SGT MOS 年度创收5.8 亿元，YoY+93%。2022 年，公司主要代工厂12 寸SGT MOS产能有望进一步扩张，将有力支撑公司汽车MOS 业务的快速成长。2）公司还推进布局第三代半导体和功率模块：公司1200V 车用SiC MOS 和650V PD 电源用GaN HEMT 流片验证完成；21M11,设子公司金兰半导体，致力功率模块的研发、设计、生产，并拓展各领域下游销售。

    　　产品升级：中高压功率器件营收贡献持续提升IGBT：1）IGBT 模块21 年已进入小批量生产；2）使用载流子存储技术的650V 高密度沟槽栅IGBT 产品已初步开发完成，器件饱和压降进一步降低，寄生参数和开关特性得到优化。

    　　MOSFET：1）第四代超结MOS 已形成500V～700V 完整的产品系列，第五代超结MOS 已有样品产出；2）中压P 型SGT MOS 量产，低压二代SGT MOS 料号增至18 款，低压快恢复SGTMOS 成功流片；3）沟槽产品上，完成大功率中压P 型MOS 的开发，12 寸线上多个N 型中低压工艺平台同步开发。第三代半导体：1200V 新能源汽车用SiCMOS 平台开发进行顺利，1200VSiCMOSFET 首次流片验证完成，650VE-ModeGaNHEMT 首次流片验证完成，同时多款车用功率器件产品正进行基于AEC-Q101 标准的认证。

    　　投资建议

    　　我们预计2022/23/24 年公司归母净利为5.2/6.3/8.3 亿元，对应PE 为51/42/32 倍，参考当前申万半导体105 倍PE（TTM），考虑到公司作为国内IGBT/MOSFET 领军企业之一，国产替代加速叠加上游产能放量下增长可期，维持“买入”评级。

    　　风险提示

    　　行业景气不及预期，研发进展不及预期，代工厂产能爬坡不及预期。