事项：

    　　公司发布非公开发行A 股股票预案，拟募资不超过14.5 亿元，主要用于：1）SiC/GaN 功率器件及封测的研发及产业化，2 亿元；2）功率驱动IC 及IPM 模块研发及产业化，6 亿元；3）SiC/IGBT/MOSFET 等PIM 模块（含车规级）的研发及产业化，5 亿元；4）补充流动资金1.5 亿元。

    　　评论：

    　　从IGBT 单管向IPM&PIM 延伸，公司成长性日益凸显。21H1 公司借助华虹宏力领先的特色工艺，在IGBT 业务上取得长足发展，在光伏、储能等领域与行业龙头客户均展开合作。公司现有产品主要以IGBT 单管为主，而此次定增其中11 亿元投入IPM 模块（6 亿元）和PIM 模块（5 亿元）的研发，有望实现IGBT 产品从单管到模块的突破，下游空间大大打开。与此同时，在MOSFET、IGBT 之外，公司前瞻布局第三代半导体，应用领域从工业、光伏向车规应用等高成长领域延伸。伴随新产品突破和放量，公司成长性日益显著。

    　　MOSFET 向中高压升级，下游代工厂扩产2022 年成长动能充沛。进入21H2，碳中和趋势下光伏发电、新能源电动车加速渗透，带动对MOSFET 中高压产品的需求持续上升。新洁能作为国内功率半导体龙头，在屏蔽栅/超结MOSFET等中高压产品上进展顺利，12 寸平台的量产料号持续增加，产品高端化深度演绎。而在产能端，新洁能主要代工厂华虹半导体的12 寸线有望从当前产能6.5w 片/月，扩至2022 年底9.5w 片/月，其新增产能中高端功率半导体将占据较大比重，为新洁能MOSFET 业务的升级成长提供充分的产能支撑。展望2022年，公司高端MOSFET 受益于下游新能源汽车、光伏等领域的强劲需求，有望带动MOSFET 业务的稳健成长。

    　　募投资金助力高强度研发，新品密集推出有望打开第二成长曲线。2020 年公司研发投入同比增加近50%，21H1 公司继续加大研发力度，研发费用率升至5.24%。伴随高强度研发投入，公司各项新品研发、导入顺利：1）21H1 公司在IGBT 业务上取得长足发展，在光伏、储能、工控、电动工具、家电变频领域均取得突破，与行业龙头客户均展开合作；2）21Q2 IGBT 模块产品出货，创收2624 万元，同比增1110%以上；3）12 寸1200V IGBT 已有五个系列的产品量产，工业变频和逆变的1200V PIM 模块、光伏储能的低损耗高频产品形成批量销售，1700V 模块通过客户测试。伴随新品开拓，公司第二成长曲线初具雏形。

    　　盈利预测、估值及投资评级。公司为国内功率半导体龙头厂商，正稳步实现从MOSFET 到IGBT 再到第三代半导体的突破。同时，前期高强度研发投入进入收获期，公司在高端产品上进展顺利，IGBT 产品进度超预期。我们维持公司2021-2023 年归母净利润预测4.36/6.08/8.16 亿元不变， 对应EPS 为3.08/4.29/5.76 元，维持“强推”评级。

    　　风险提示：行业景气持续性不及预期，Fabless 厂商产能供应受冲击，新品研发不及预期。