事件：11 月11 日公司发布公告，拟募集资金总额不超过145,000.00万元（含145,000.00 万元），拟投入募集资金20,000 万元投入第三代半导体 SiC/GaN 功率器件及封测的研发及产业化项目，60,000 万元投入功率驱动 IC 及智能功率模块（IPM）的研发及产业化项目，50,000万元投入SiC/IGBT/MOSFET 等功率集成模块（含车规级）的研发及产业化项目。

    　　新能源汽车、光伏发电发展迅速，打开第三代半导体功率器件需求：

    　　新能源车销量持续超预期使得 SiC MOSFET 有望成为最畅销的功率器件，在光伏发电应用中，使用碳化硅 MOSFET 或碳化硅 MOSFET与碳化硅 SBD 结合的功率模块的光伏逆变器，转换效率可从 96%提升至 99%以上，能量损耗降低 50%以上，设备循环寿命提升 50 倍。

    　　射频领域，据 Yole 报告，全球氮化镓射频器件市场规模有望在 2025年达到 20 亿美元，在高频率、高功率应用场景下，氮化镓射频器件预计持续替代硅基 LDMOS。《2020“新基建”风口下第三代半导体应用发展与投资价值白皮书》指出，2019 年我国第三代半导体市场规模为94.15 亿元，预计2019-2022 年将保持85%以上平均增长速度，到2022年市场规模将达到623.42 亿元。受益新能源汽车、充电桩、光伏逆变、5G 通讯、激光电源、服务器和消费电子快充等高端新兴行业的发展，SiC/GaN 产品规模有望持续扩张。

    　　定增项目有望增强公司竞争力，推进产品结构升级：公司为国内领先的半导体功率器件设计企业之一， 本次拟募集资金总额不超过145,000.00 万元（含145,000.00 万元），拟投入募集资金20,000 万元投入第三代半导体 SiC/GaN 功率器件及封测的研发及产业化项目，建设周期24 个月，内部收益率（税后）为 18.96%，投资回收期（税后，含建设期）为 6.32 年；60,000 万元投入功率驱动 IC 及智能功率模块（IPM）的研发及产业化项目，建设周期36 个月，内部收益率（税后）为 18.08%，投资回收期（税后，含建设期）为 6.41 年；50,000 万元投入SiC/IGBT/MOSFET 等功率集成模块（含车规级）的研发及产业化项目，建设周期 36 个月，内部收益率（税后）为 14.38%，投资回收期（税后，含建设期）为 7.85 年。

    　　拟执行股票激励计划，增强员工激励力度：公司11 月11 日发布《2021年限制性股票激励计划（草案）》，拟向激励对象授予的限制性股票数　　量为 141.68 万股，约占本激励计划公告时公司股本总额 14,168 万股的 1%，第一个解除限售期 2022 年公司营业收入总额不低于 16 亿元，第二个解除限售期 2023 年公司营业收入总额不低于 18 亿元，第三个解除限售期 2024 年公司营业收入总额不低于 20 亿元。员工持股计划有助于增强员工激励，提升公司竞争力。

    　　投资建议：我们预计公司2021 年~2023 年收入分别为15.63 亿元、20.96亿元、26.81 亿元，归母净利润分别为3.84 亿元、4.91 亿元、5.75 亿元，维持“买入-A”投资评级。

    　　风险提示：定增项目不及预期；股权激励计划发行不及预期；行业景气度不及预期；产品研发不及预期；市场开拓不及预期。