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    　　公司发布2021Q1 季度报告：2021Q1 公司实现营业收入3.16 亿元，同比增长85.78%；实现归母净利润0.75 亿元，同比增长207.88%。

    　　投资要点：

    2021Q1 业绩表现亮眼，行业景气推动业绩亮眼。公司业绩增长的主要原因有：1）国产替代进程加速，公司产业链协作优势明显叠加下游景气需求，公司产品供不应求；2）持续优化市场、客户及产品结构，进一步提升销售规模与毛利率。毛利率方面，公司21Q1 达到33.49%（+10.01pct，环比+5.95pct），增长迅猛，主要得益于旺盛的行业景气度，公司于21Q1 上调产品售价，未来毛利率或有进一步上升空间。费用方面，公司把控能力依旧突出，21Q1 公司期间费用率（不含研发）1.43%（-0.93pct），其中销售、管理及财务费用率分别为1.24%（-0.12pct）、1.30%（-0.60pct）、-1.10%（-0.20pct）。受益于新能源汽车、工业控制、变频家电等下游需求驱动，叠加国产替代，功率行业迎来景气周期：

    　　MOSFET 方面，产业信息网数据显示，2018 年全球MOSFET 市场规模为471 亿元，预计2022 年市场规模或达524 亿元，2018-2022 年CAGR 约3%。IGBT 方面，2018 年国内IGBT 市场规模153 亿元，预计2025 年市场规模或达522 亿元，2018-2025 年CAGR 为19%。从竞争格局看，功率器件行业龙头为英飞凌等海外大厂，整体呈现中高端供给严重不足、超八成依赖进口的态势，国产替代空间广阔。

    产业链优势把握景气行情，新品类确定成长动能。行业供需持续失衡，公司已于2021Q1 上调产品价格，景气行情预计仍将持续。公司产业链协同优势明显，得益于上游代工厂扩产动能、公司自建封测产线以及积极拓展海外产能，公司产能供应可得到充分保障，在此轮行业缺货涨价周期中有望进一步实现突破，推动业绩增长。研发方面，2020 年公司研发投入0.51 亿元，同比增长49.96%，研发费用率达5.42%（+0.95pct），公司全年产品新增超400 款。1）MOSFET：产品持续突破，12 寸沟槽MOS 产品及多个电压平台的第二代屏蔽栅MOS 产品已实现量产，大功率SJ-MOS 终端客户拓展也取得良好进展；2）IGBT：公司积极拓展IGBT，提升产品良率，完成650V IGBT 系列产品、1200V 中低频和高频IGBT 芯片开发，形成完整的产品系列，2020 年公司IGBT 产品开始起量，打开利润增长新空间；3）第三代半导体：1200V 新能源汽车用 SiCMOSFET 和 650V PD 电源用 GaN HEMT 正处于研发过程中。客户方面，公司产品已获得富士康、宁德时代、飞利浦、三星等国内外多领域知名企业认证，车规认证亦在稳步推进。短期来看，公司有望充分受益功率器件涨价和自身客户优势增厚业绩；中长期来看，公司有望受益IGBT 等新产品放量，叠加国产替代，快速崛起。

    盈利预测和投资评级：公司是国内功率器件MOSFET 产品系列最全、品种型号最丰富的企业之一，产品技术领先，同时积极布局IGBT 高景气赛道，优化产品结构。公司产业链协作优势突出，同时自建封测产线，目前已切入宁德时代、飞利浦等众多国内外龙头厂商供应链，公司作为国内少数掌握高端功率器件核心技术的厂商，有望充分受益于行业景气周期和国产替代大趋势快速发展。我们上调盈利预测，暂不考虑权益分派影响，预计2021-2023 年公司实现归属于母公司净利润分别为3.14（+1.13）/4.08（+1.38）/5.13（+1.75）亿元，对应EPS 分别为3.10/4.03/5.06元/股，对应当前PE 估值分别为65/50/39 倍，维持“买入”评级。

    风险提示：下游需求不及预期风险；产品研发不及预期风险；客户导入不及预期风险。