投资要点

    　　兆易创新是一家致力于开发存储器技术、MCU、传感器、电源解决方案的领先无晶圆厂半导体公司。公司的核心产品线为存储器（Flash、利基型DRAM）、32 位通用型MCU、智能人机交互传感器、模拟产品及整体解决方案。在SPI NOR Flash 领域，公司市场占有率全球第二、中国第一，累计出货量超237 亿颗。在MCU 领域，公司可提供51 大系列、600+款型号选择，累计出货量超15.7 亿颗。在指纹芯片领域，公司深耕传感器、信号链、算法及解决方案，做全生态的重要贡献者。

    　　Nor 基本盘稳中有增，紧握DRAM 超级周期/大厂产能结构调整机遇。（1）NorFlash：兆易创新占有率持续增长，产品覆盖512Kb-2Gb。根据华经产业研究院数据，2021 年全球NOR Flash CR3 占比超90%，其中大陆企业兆易创新占比23.2%，较2016 年上升16.2pcts（根据前瞻产业研究院数据，2016 年全球Nor Flash 市场中兆易创新市场份额仅为7%）。根据兆易创新2024-07-18 投资者问答显示，据Web-Feet Research 报告，兆易创新2023 年Serial NOR Flash 市占率排名进一步提升至全球第二位。公司SPI NOR Flash 可提供多达16 种容量选择，覆盖512Kb到2Gb，可满足多种实时操作系统所需不同存储空间；并且，拥有四种不同电压范围，分别为3V、1.8V、1.2V 以及针对电池供电应用推出的1.65V~3.6V 宽压供电的产品系列；同时，提供多达20 种不同的封装选项，可满足客户不同应用领域对容量、电压以及封装形式的需求。目前兆易创新55nm 工艺节点全系列产品均已量产，并持续开展工艺制程迭代。（2）DRAM：紧握存储周期&大厂产能转移机遇，预计25 年覆盖主要利基DRAM。随着行业供需关系大幅改善，存储原厂增加资本支出主要用于偏先进产品扩产。其中，SK 海力士2024 年微弱增加资本支出并主要用于高价值产品扩产，计划TSV 产能翻倍，扩大256GB DDR5、16-24GBLPDDR5T 等供应；三星继续增加HBM、1βnm DDR5、QLC SSD 等的供应。在DRAM 产品上，公司持续丰富产品线，积极拓展DDR3、DDR4 系列。公司DRAM产品可广泛应用在网络通信、电视、机顶盒、智慧家庭、工业、车载影音系统等领域。2024 年上半年内，公司不断丰富自研DRAM 产品组合，通过可靠的品质表现及产品力满足市场需求。公司DRAM 产品包括DDR3L 和DDR4 两个品类，DDR3L产品提供市场通用的1Gb/2Gb/4Gb 容量；DDR4 8Gb 产品已流片成功，并已为客户提供样片，以4Gb/8Gb 容量为市场提供广泛应用选择。后续公司会继续研发LPDDR4 产品，预计到2025 年，公司DRAM 产品能覆盖主要利基市场需求，并实现量产供应。（3）NAND：24nm/38nm 全面量产，进一步拓展汽车电子。在NANDFlash 产品方面，38nm 和24nm 两种制程全面量产，并正在以24nm 为主要工艺制程，容量覆盖1Gb~8Gb，其中SPI NAND Flash 在消费电子、工业、汽车电子等领域实现了全品类的产品覆盖。公司38nm SLC NAND Flash 车规级产品容量覆盖1Gb~4Gb，搭配车规级SPI NOR Flash，为进入车用市场提供更多机会。

    　　智能化助力市场增长，超600 款产品打造MCU 百货商店。短期来看，MCU 市场的增量热点应用主要集中在汽车、工业和物联网几个关键领域。随着AI（人工智能）技术不断向MCU 端下沉，它将为设备提供更智能的决策支持，推动MCU 在更广泛的市场和应用领域进一步发展。公司微控制器产品（MCU）主要为基于ARM　　Cortex-M 系列、以及基于RISC-V 内核的32 位通用MCU 产品。GD32系列MCU采用ARM Cortex-M3、Cortex-M4、Cortex-M23、Cortex-M33、Cortex-M7和RISC-V 内核，在提供高性能、低功耗的同时兼具高性价比，公司产品支持广泛的应用，如工业应用（包括工业自动化、能源电力、医疗设备等）、消费电子和手持设备、汽车电子（包括汽车导航、T-BOX、汽车仪表、汽车娱乐系统等）、计算等。作为国内32bit MCU 产品领导厂商，公司GD32 MCU 产品已成功量产51 大产品系列、超过600 款MCU 产品，实现对通用型、低成本、高性能、低功耗、无线连接等主流应用市场全覆盖。

    　　投资建议：我们预计2024 年至2026 年营业收入分别为76.47/99.26/117.76 亿元，增速分别为32.8%/29.8%/18.6%；归母净利润分别为11.79/17.37/22.49 亿元，增速分别为631.8%/47.3%/29.4%；PE 分别为37.7/25.6/19.8。考虑到公司不断推进存储芯片工艺制程迭代，持续壮大MCU 百货商店，在消费电子/汽车电子/工业等智能化背景下，叠加DRAM 头部大厂产能切换，公司或复制Nor Flash 发展路径，鉴于DRAM 市场空间较Nor 市场空间更大，公司营收/利润空间有望扩大，维持“买入-A”评级。

    　　风险提示：下游需求不及预期风险；新技术、新工艺、新产品无法如期产业化风险；宏观环境和行业波动风险；供应链风险；汇兑损益风险。