公司发布非公开发行股票发行结果公告，发行价格为330 元/股，发行数量为1061 万股，募集资金净额为34.8 亿元，募投项目包括1）高压特色工艺功率芯片研发及产业化项目，所需资金15 亿元，建设周期为3 年，达产后预计将形成年产30 万片6 英寸晶圆高压功率芯片生产能力，2）SiC 芯片研发及产业化项目，建设周期3 年，所需资金5 亿元，产能为6 万片6 英寸SiC 芯片生产能力，3）功率半导体模块生产线自动改造项目，建设周期为3 年，所需资金7 亿元，改造完成后将新增年产400 万片功率半导体模块的生产能力。

    　　【评论】

    　　高压功率芯片、SiC 芯片正在行业风口上。随着节能减排的需求愈发迫切，功率半导体器件下游领域从工控、4C（通信、计算机、消费电子、汽车）领域拓展至新能源、新能源汽车、轨交及电网等，高压功率芯片需求持续增加。此外与传统Si 材料相较，SiC 具有宽禁带、高击穿场强、高导热率和强抗辐射能力等优势，因此SiC 功率器件能够减少散热材料，降低宽带减少器件大小，且提高电池电能转换效率，有助于提升新能源汽车续航能力和空间利用率，2018 年特斯拉主逆变器开始采用SiC MOSFET 方案，我们认为随着SiC 器件生产良率提升，价格将逐步下降，预计会有更多车企开始采用SiC 功率器件。

    　　踏浪前行，夯实护城河。斯达半导作为国内IGBT 龙头企业之一，致力于IGBT、快恢复二极管、SiC 等功率芯片的设计、制造和测试。公司把握住新能源汽车、轨道交通、智能电网等下游行业的需求以及技术方向，丰富产品结构，提高竞争力。此外公司在SiC 方向进展迅速，逐步在机车牵引辅助供电系统、新能源汽车行业控制器、光伏行业推出各类SiC 模块，获得国内外多家著名车企和Tier-One 客户的项目定点，为未来公司SiC 模块销售增长提供持续推动力。另外募投项目有助于抬升产能天花板，抓住目前功率器件供不应求的契机，提高行业市占率。

    　　【投资建议】

    　　公司是国内IGBT主要供应商之一，我们预计公司2021-2023年营收为16.5/23.1/30.9亿元，归母净利润为3.6/5.0/6.8亿美元，EPS为2.08/2.94/4.01元，对应当前股价的PE为213.72/151.62/110.90倍，给予公司“增持”评级。

    　　【风险提示】

    　　行业竞争加剧，功率半导体景气度下行，产能拓张不及预期。