事件：2021年3 月2 日，斯达半导发布2021 年度非公开发行A 股股票预案，公司拟非公开发行不超过1600 万股，募集资金总额不超过35 亿元。

    　　其中高压特色工艺功率芯片和SiC 芯片研发及产业化项目投入20 亿元，功率半导体模块生产线自动化改造项目投入7 亿元，剩余8 亿元用于补充流动资金。

    　　点评：

    　　定增募资向IDM 转型，强化功率IGBT 布局。本次定增核心看点为自建产线，即高压特色工艺功率芯片和SiC 芯片研发及产业化项目，预计达产后将形成3 万片每月6 寸线产能。公司过去主要采取Fabless 模式，芯片生产依托于供应商华虹及上海先进。而此次通过建设功率芯片制造产线，公司将向功率IDM 公司转型。

    　　IGBT 核心难点主要为薄片工艺、背面工艺和封装工艺，其中背面工艺最为关键，通过背面离子注入可大幅调节产品性能。公司IPO 募投便已购置氢/氦离子注入机、中束流离子注入机等工艺设备4 台，为国内最先拥有该设备的厂商之一。公司拥有芯片制造能力的同时，将进一步助力公司IGBT 设计能力及性能提升。

    　　丰富IGBT 全产品线，前瞻把握车用SiC 发展趋势：目前公司在650V、750V、1200V、1700V 等中低压IGBT 芯片已经实现国产化，但是3300V、4500V 等高压IGBT 和SiC 芯片等细分产品仍依赖进口。3300V、4500V 等高压IGBT 主要用于轨道交通、智能电网等应用场景，据Trendforce 数据，国内轨道交通及智能电网约占IGBT 下游应用的15%。我们认为，高压IGBT领域的开拓为公司发展必行之路，此次项目的实施将丰富公司的产品结构，进一步提升公司综合竞争力。

    　　此外，SiC 器件在汽车产业逐渐普及，未来随着SiC 产业链的进一步成熟，成本逐渐降低，车用SiC 将迎来快速发展。IHS 预计至2027 年，碳化硅功率器件的市场规模将超过100 亿美元，2018-2027 年的复合增速接近40%。

    　　公司此前具备碳化硅模块生产能力，且其应用于新能源客车的SiC 汽车级模块通过国内龙头大巴车企宇通客车定点，此次SiC 芯片研发及产业化项目的实施，将进一步提高公司在碳化硅功率器件的技术水平。

    　　盈利预测与投资评级：我们预计公司20/21/22 年营收为9.7 亿/13.65 亿/17.95 亿元，归母净利润分别为1.88/2.80/3.63 亿元，对应3 月3 日收盘价PE 估值为203/136/105 倍。公司在国内IGBT 领域客户进展领先，且未来在新能源汽车领域具有长足发展空间，我们看好公司长期发展。维持“增持”评级。

    　　风险因素：产品研发风险/行业景气度下滑风险/市场竞争风险