核心观点：

    公司发布定增预案，拟募资不超过35 亿元。公司公告拟定增募资35亿元，其中20 亿元投向“高压特色工艺功率芯片和SiC 芯片研发及产业化项目”，7 亿元投向“功率半导体模块生产线自动化改造项目”，8亿元用于补充流动资金。

    自建晶圆厂卖出关键一步，增强SiC 和高压IGBT 芯片实力。针对首个募投项目，公司拟投资20 亿元用于高压IGBT 芯片和SiC 芯片的研发和产业化，项目达产后形成年产36 万片（月均3 万片）的生产能力。

    公司目前在650V/750V/1200V/1700V 等中低压IGBT 芯片以及FRD快恢复二极管芯片方面已经成功实现国产化，主要与华虹、积塔等晶圆代工厂合作实现，但在高压IGBT 和SiC 芯片方面仍依赖进口。我们认为，公司本次自建晶圆厂生产3300V/4500V 等高压IGBT 芯片以及SiC 芯片，有望延伸公司自研芯片产品层次，实现更宽范围的国产化替代，迎接轨道交通、智能电网、以及新能源汽车等下游市场广阔发展机遇。

    继续扩大模块环节产能，把握替代成长黄金机遇期。在新能源汽车快速渗透、需求端整体顺周期复苏背景下，当前以IGBT 为代表的功率半导体器件和模块呈现出全行业层面的供不应求局面，国内下游重要客户国产替代诉求加速。公司本次拟投资7 亿元投向模块产线自动化改造项目，将进一步扩大公司模块环节产能，把握成长黄金机遇期。

    维持“买入”评级。不考虑定增影响，预计公司21 年EPS 1.96 元/股，参考可比公司估值水平，考虑公司为功率半导体核心赛道IGBT国内龙头企业，成长替代空间广阔，给予公司2021 年130 倍PE 估值，合理价值254.84 元/股，维持“买入”评级。

    风险提示。新冠疫情影响，行业景气度波动风险等。