事件：

    公司3 月3 日发布非公开发行A 股股票预案，拟募集不超过35 亿元用于以下三个项目：1）年产36 万片功率半导体芯片的高压特色工艺功率芯片和SiC 芯片研发及产业化项目，投资总额20 亿元；2）新增年产400 万片功率半导体模块的生产线自动化改造项目，投资总额7 亿元；3）补充流动资金8 亿元。项目建设期为3 年。

    投资要点：

    募投高压特色工艺功率芯片和SiC 芯片研发及产业化项目，横向丰富产品线，纵向突破产能瓶颈，IGBT 功率龙头未来可期。考虑到新能源汽车、轨道交通、智能电网等下游行业的需求以及技术方向，公司以现有的技术为依托，实施高压特色工艺功率芯片和SiC 芯片研发及产业化项目。我们认为该项目有利于公司丰富产品线，扩大公司产能，紧跟市场浪潮和政策步伐，稳固公司行业地位。（1）智能电网、轨道交通：丰富公司产品线，实现智能电网和轨道交通行业高压功率器件的国产化替代。在智能电网行业，高压IGBT 是柔性直流换流阀必不可少的核心功率器件，在轨道交通行业，高压IGBT 是轨道交通列车“牵引变流器”的核心器件，而牵引变流器是驱动轨道交通列车行驶最关键的部件之一，我们认为该项目将加速改变国内3300V 及以上功率器件基本依赖进口，助力智能电网、轨道交通核心器件的国产化；（2）新能源汽车：紧跟技术发展方向，把握新能源汽车发展机遇。与Si（硅）基的IGBT 相比，SiC MOSFET 在产品尺寸、功率消耗方面大幅减小，较大地提升了新能源汽车电池的电能转化效率，SiC 功率器件在高端新能源汽车控制器中大批量应用，发展前景广阔。

    行业高景气度+国产替代提速，IGBT 和SiC 功率器件市场前景广阔。

    IGBT 方面，根据集邦咨询数据，2018 年中国IGBT 市场规模为153亿元，下游主要应用于新能源汽车（~31%）、家电（~27%）、工控（20%）、新能源发电（11%）等领域。受益于新能源汽车、特高压、城际高铁交通等下游需求快速扩张，IGBT 迎来景气周期，预计2025 年我国IGBT 市场规模将达522 亿元，2018-2025 年CAGR 为19%。从竞争格局看，行业龙头主要为英飞凌、安森美等国外大厂，我国中高端IGBT产品主要依赖进口，整体自给率不足两成，国产替代需求迫切；SiC方面， SiC 因其小体积、低损耗、耐高温高压等特性有望在新能源汽车领域带来革新，市场日渐火热。IHS 数据显示，2018 年全球SiC 功率半导体市场规模为3.9 亿美元，受新能源汽车、光伏风电和充桩等领域对于效率功耗要求提升的影响，SiC 功率器件迎来景气周期，IHS预计全球SiC 功率器件市场规模2027 年将超100 亿美元，2018-2027年CAGR 近40%。从竞争格局来看，以英飞凌、罗姆等为代表的国外老牌功率大厂具备先发优势，以斯达半导、比亚迪微电子等为代表的国内厂商日渐崛起。

    盈利预测和投资评级：公司长期致力于IGBT、快恢复二极管、SiC 等功率芯片的设计和工艺以及IGBT、SiC 等功率模块的设计、制造和测试。公司募投项目有助于突破产能瓶颈、丰富产品线，强化在功率半导体产业布局，在下游市场高景气及国产替代加速背景下，将充分受益。暂不考虑增发对公司业绩及股本的影响，我们维持盈利预测不变，预计2020-2022 年归母净利润分别为1.97/2.67/3.58 亿元，对应EPS分别为1.23/1.67/2.24 元/股，对应当前PE 估值分别为203/150/112倍，维持“买入”评级。

    风险提示：下游需求不及预期风险；产品研发不及预期风险；产品导入不及预期风险；募投项目不及预期风险；增发进展不及预期风险。