事件：

    　　公司拟在嘉兴斯达半导体股份有限公司现有厂区内投资2.29 亿元，用以投资建设年产8 万颗车规级全碳化硅功率模组生产线和研发测试中心，项目建设期24 个月。

    　　投资要点：

    　　投资建设车规级SiC 模组项目，卡位第三代半导体赛道成长可期。公司积极布局第三代半导体赛道：公司今年上半年与CREE 合作开发的1200V SiC 模块已经得到宇通客车认可，将被应用在宇通客车高效率电机控制系统中，预计在2021 年开始装车。我们认为公司投资布局SiC 功率模组生产线，将进一步提高公司技术和竞争壁垒，增强供货能力，为公司拓展新能源汽车市场、提高市场占有率打下坚实的基础。

    　　高壁垒、高景气度，SiC 功率半导体市场前景广阔。SiC 作为第三代半导体材料，相比于传统的第一、二代材料，具有小体积、低损耗、耐高温高压等特性，Yole 数据显示，2018 年全球SiC 功率半导体市场规模为4.2 亿美元，智研咨询数据显示SiC 功率器件下游主要应用于新能源汽车（~30%）、电源（~22%）、光伏发电（~15%）、军工航天（~12%）等领域。从竞争格局看，SiC 器件和模块领域主要玩家有科锐、罗姆、英飞凌、意法半导体等，国外传统功率龙头占据显著优势。我们认为中国坐拥全球最大的汽车市场，目前国家大力推动新能源汽车的发展，在蓬勃发展的EV/HEV 市场驱动下，SiC 未来市场前景广阔。Yole 预计全球SiC 功率半导体市场规模2024 年将增至19.3亿美元，2018-2024 年CAGR 为29%。其中，新能源汽车SiC 功率半导体市场份额2024 年占比预计将达50%，2024 年市场规模或近10 亿美元。

    　　盈利预测和投资评级：公司从工业级大功率IGBT 起家，逐步向汽车、新能源发电、变频白电等领域拓展，公司此次投资建设车规级SiC 模组生产线，有助于强化公司在第三代半导体的产业布局，卡位SiC 功率模块景气赛道。我们认为公司深耕IGBT 行业多年，具备较强的先发优势和稀缺性，车规级IGBT 模块竞争优势明显，凭借积攒的终端渠道与客户资源，后续SiC 推广有望加速，未来成长可期。基于行业的高景气度，我们上调盈利预测，预计2020-2022 年归母净利润分别为1.97（+0.20）/2.67(+0.19)/3.58(+0.23)亿元，对应EPS 分别为1.23/1.67/2.24 元/股，对应当前PE 估值分别为220/162/121 倍，维持“买入”评级。

    　　风险提示：下游需求不及预期风险；产品研发不及预期风险；产品导入不及预期风险。