报告要点

    事件描述

    　　2020 年6 月16 日，三安光电发布《关于签署<项目投资建设合同>的公告》，公司拟以现金160 亿元在长沙成立子公司投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化产业园项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，预计在用地各项手续和相关条件齐备后24个月内完成一期项目建设并实现投产，48 个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实现投产，72 个月内实现达产。

    事件评论

    综合性能优势显著，SiC 具备替代潜力。化合物半导体较硅器件具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质，在电子迁移率、禁带宽度、功耗等指标上表现更优，其中SiC 比硅器件具备更高的热导率和更成熟的技术，在功率等级相同的条件下，采用SiC 器件可将电体积缩小化，满足功率密度更高、设计更紧凑的需求，在5G 通信、电动汽车、电源、军工、航天等领域备受欢迎，未来对硅器件具备较强的替代潜力。

    电力电子升级所向，长沙项目剑指未来。SiC 适用于1200V 以上的高温大电力领域，符合能源效率提升的趋势，是产业链升级方向，未来市场空间有望持续扩大。据Yole 预计，到2024 年SiC 功率器件的市场空间将达到19.3 亿美金，对应2018-2024 年复合增速达到29%。公司投资160 亿元用于第三代化合物半导体长晶-衬底制作-外延生长-芯片制备-封装的产业链布局，体现了公司深厚的技术积淀，展现了公司雄厚的技术实力，未来公司将在成本持续降低的推动下扩大SiC 行业空间。

    LED 主营业务稳健，结构升级成高增引擎。LED 价格止跌企稳，公司LED 主业经营稳健度持续提升，库存压力逐步降低；Mini-LED 等新型显示将在下游顶尖品牌商的引领下逐步加速渗透，未来各类应用前景广阔。随着产品结构升级调整，高端产品如Mini LED、紫外、红外等应用不断成熟，未来有望将成为公司业绩持续高速增长的重要驱动引擎。

    本次公司推进化合物半导体项目，预期将成为公司新增长极，我们预计公司2020-2022 年EPS 为0.52、0.79 和1.02 元，维持“买入”评级。