公司拟投资30 亿元扩展研发、制造产能，建设泛半导体装备项目7 月13 日，公司发布公告拟与吴江经济技术开发区管理委员会签署《投资协议书》，投资建设“迈为泛半导体装备”项目，自主研发、制造泛半导体领域高端装备，计划投资总额为30 亿元，资金来源为自有资金及自筹资金。

    我们维持原有盈利预测，预计23-25 年归母净利润13.6/24.7/36.8 亿元，23-25CAGR 为62.2%。23 年可比公司平均PEG 为0.7x（Wind 一致预期）。

    公司是HJT 设备龙头，且本次扩产若如期落地有望加速公司HJT、面板、半导体等泛半导体设备接单能力，享有一定估值溢价，给予23 年PEG 0.9x，目标价273.53 元（前值为436.64 元，考虑转增后为273.53 元），“买入”。

    预计2023 年底全球HJT 投产产能将超60GW，公司积极扩充产能应对Solarzoom 数据显示，截止6 月30 日，异质结全球已投产产能20.51GW，到2023 年底或将超过60GW。Infolink 也预测，2023 年异质结新增产能将达到40GW+，出货量有望实现10GW+。为应对HJT 产业快速发展，公司积极筹备产能扩张。2021 年公司定增28 亿元扩产HJT 设备，可实现年产40 条HJT 设备整线项目。本次拟投资30 亿元加码泛半导体装备项目研发及制造，我们认为同样利好公司HJT 等泛半导体装备产能释放。

    HJT 降本增效持续推进，公司推出“降铟三部曲”

    HJT 持续推动降本增效，银浆方面，行业持续推动银包铜+0BB，电镀铜等技术研发和产业化。靶材方面，据迈为微信公众号，公司计划通过1）设备优化降铟、2）低铟叠层膜降铟、3）规模化铟回收，三步降低HJT 的铟成本。公司预计2023 年末，公司提供的HJT 电池制造整体解决方案中，对于100%铟基靶材的理论单耗可降低到12mg/W 左右。随着低铟叠层膜降铟方案推进，铟基靶材理论单耗可降低至6mg/W 左右，并在铟材料回收、无铟靶材逐步深入之后，GW 级HJT 电池工厂的铟消耗量将有望降低至1mg/W，较现有13.5mg/W 的铟消耗水平大幅降低。

    公司丝网印刷及HJT 业务有望受益TOPCon 行业扩产及HJT 降本增效受益于TOPCon、HJT 等N 型高效发电技术对PERC 等P 型技术的迭代，N 型电池产能持续扩张。公司是丝网印刷设备龙头，目前TOPCon 主流电极制备路线仍为丝网印刷，受益于TOPCon 扩张，公司丝印业务有望维持增长。HJT 电池具备高转换效率、低光衰、高弱光响应等特性，竞争优势显著。随着银包铜、0BB、电镀铜、薄片、低铟化等节约银浆与硅料成本的技术引入，23 年HJT 转化效率提升与生产成本下降有望快速推进，公司作为HJT 设备龙头，有望深度受益HJT 降本增效推进。

    风险提示：竞争格局加剧；客户扩产或海外需求不及预期；设备验收放缓。