事件点评：4 月 6 日，江丰电子发布 2022 年度报告，2022 年实现营收 23.24 亿元，同比增长 45.80%；归母净利润为 2.65 亿元，同比增长 148.72%；扣非归母净利润为 2.18 亿元，同比增长 186.50%；毛利率为 29.93%，同比增长 4.37pcts；净利率为 10.21%，同比增长 3.98pcts，业绩符合预期。

    　　超高纯靶材业务为公司主要收入贡献者，占营收比例近 70%。2022 年超高纯靶材业务营收为 16.11 亿元，同比增长 36.40%，占营收 69.34%，毛利率为30.38% ； 精 密 零 部 件 业 务 营 收 为 3.58 亿 元 ， 同 比 增 长 94.51% ， 占 营 收15.42%，毛利率为 23.78%。其他业务为 3.54 亿元，同比增长 55.14%，占营收15.24%，毛利率为 34.12%。

    　　业绩变化主要原因包括：（1）溅射靶材业务市场份额扩大，销售规模稳步增长：

    　　公司充分发挥龙头企业牵引作用，利用行业经验与资源优势构建安全稳定供应链；通过追踪客户需求，提供驻场 PM、产品测绘、逆向开发对接等服务与客户紧密互动，扩大市场占有率，使销售规模稳步提升。（2）精密半导体业务加速放量：国内晶圆厂与半导体设备厂核心零部件高度依赖进口，国产化率较低，公司与国内半导体设备龙头企业联合攻关、形成全面战略合作关系，2022 年公司积极抢占国产替代市场先机，迅速拓展在精密零部件领域产品线，半导体精密零部件产品加速放量。

    　　掌握超高纯钽靶材/铜靶材及环件核心技术，部分产品已在先进制程领域量产。超高纯靶材业务包括超高纯铝靶材、超高纯钛靶材及环件、超高纯钽靶材及环件、超高纯铜靶材及环件、钨钛靶、镍靶与钨靶等。其中，超高纯钽作为阻挡层薄膜材料应用于铜制程超大规模集成电路芯片中，钽靶材及环件是靶材制造技术难度最高、品质一致性要求最高的尖端产品，为 90-3nm 先进制程中必需阻挡层薄膜材料。超高纯铜及铜锰、铜铝合金靶材是目前使用最为广泛的先端半导体导电层薄膜材料之一，铜及铜合金作为导电层通常用于 90-3nm 技术节点芯片中。目前，仅有江丰电子及头部跨国企业掌握上述技术，且先进制程领域超高纯金属溅射靶材已在客户端规模化量产。

    　　加码溅射靶材产能扩建与半导体材料研发中心建设，促进公司长远发展。公司向特定对象发行股票拟募集资金总额不超过 165,150 万元（含本数）用于超高纯金属溅射靶材产业化与建设半导体材料研发中心。项目完成后，高纯溅射靶材方面，合计有望形成年产 7 万个超大规模集成电路用超高纯金属溅射靶材产能。建设半导体材料研发中心，用于研发 3-5nm 用超高纯靶材及合金靶材产品；研发下一代相变存储芯片及磁存储芯片用合金靶材产品；研发靶材测试的计算机模拟系统，为开发新型靶材产品提供技术支持；掌握超高纯靶材的内部组织结构控制技术优化技术等。

    　　积极开拓新领域，布局第三代半导体基板材料。新能源汽车、轨道交通、特高压、5G 通讯等新兴领域发展促进第三代半导体需求，基于第三代半导体的功率模块应用基板材料被国际厂商垄断，打破现有格局解决国产基板材料供应问题成为各新兴领域发展关键所在。目前江丰电子控股子公司已搭建完成国内首条具备世界先进水平、自主化设计的第三代半导体功率器件模组核心材料制造生产线，规划建设拥有独立知识产权、工艺技术先进、材料规格齐全、产线自动化的国产化覆铜陶瓷基板大型生产基地。

    　　晶圆厂产能扩建+国产替代，拉动国产高纯溅射靶材需求。根据 SIA 数据，随着中国大陆晶圆产能持续扩张，2030 年中国大陆产能在全球占比有望达 24%，将成为全球最大晶圆产能区域市场。根据集微网数据，2021 年中国半导体晶圆制造材料整体国产化率为 20%-30%，其中靶材国产化率约为 30-40%。未来随着中国大陆新增产能持续释放，叠加半导体材料国产化率提高，有望共同促进国产高纯溅射靶材市场需求。

    　　投资建议：我们公司预测 2023 年至 2025 年营业收入分别为 32.06/42.05/56.02亿元，增速分别为 38.0%/31.2%/33.2%；归母净利润分别为 4.03/5.42/6.44 亿元，增速分别为 51.9%/34.6%/18.8%；对应 PE 分别 51.8/38.5/32.4。考虑到江丰电子在国内高纯溅射靶材领域龙头地位，并为国际中少数掌握超高纯钽靶材/铜靶材及环件核心技术厂商之一，首次覆盖，给予买入-A 建议。

    　　风险提示：晶圆厂扩产进程不及预期，半导体材料国产替代进程不及预期，公司新品研发进展不及预期。