投资要点

    　　碳化硅衬底：12 寸SiC 衬底中试线通线，从并跑向领跑迈进据公司官方微信公众：9 月26 日，公司首条12 英寸碳化硅衬底加工中试线在晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC 正式通线。

    　　1） 性能指标：TGV 小于等于3um，厚度750um 晶圆、表面粗糙度达0.1 纳米级别，表面颗粒达0.3um。

    　　2） 设备自制：从晶体生长、加工、到检测环节的全线设备自主研发100%国产化，高精密减薄机、倒角机、双面精密研磨机等核心加工设备自研攻关，性能指标达到行业领先水平。

    　　3） 产能：合计规划产能超百万片、迈向SiC 衬底全球龙头（1）2025 年7 月，下属公司宁夏创盛年产60 万片8 英寸碳化硅衬底项目开工。

    　　（2）2025 年7 月，子公司浙江晶瑞马来西亚工厂在槟城州奠基，计划今年动工。一期项目8 英寸碳化硅衬底预计实现24 万片/年产能。

    　　（3）2023 年11 月，公司年产25 万片6 英寸、5 万片8 英寸碳化硅衬底片项目举行签约暨启动仪式。

    　　泛半导体“设备+材料”龙头，平台型布局空间持续打开1） 光伏设备：公司为光伏单晶炉龙头，向光伏超导磁场单晶炉、电池+组件设备、石英坩埚（龙头领先）、金刚线领域延伸，打开光伏业务第二成长曲线。

    　　2） 半导体设备：大硅片设备——公司在8-12 英寸晶体生长、切片、研磨、减薄、抛光、CVD 等环节已实现全覆盖和销售，基于先进制程开发12 英寸外延、LPCVD以及ALD 等设备。晶圆设备——布局 8-12 英寸减压外延设备、ALD 设备、先进封装的12 英寸减薄抛光机、12 英寸减薄抛光清洗一体机、超快紫外激光开槽设备。功率半导体设备——公司 6-8 英寸碳化硅外延设备国产替代并市占率领先。

    　　3） 碳化硅衬底：技术端：8 英寸碳化硅衬底片已实现批量生产、12 寸碳化硅衬底中试线通线。产能端：在浙江上虞、宁夏、马来西亚，公司已规划产能超百万片。

    　　设备端：公司从晶体生长、加工、到检测环节的全线设备自主研发100%国产化。

    　　盈利预测及估值

    　　预计2025-2027 年公司归母净利润为10.7/12.6/15.2 亿元， 同比变化-57%/+18%/+21%，对应PE 为56/47/39 倍。维持“买入”评级。

    　　风险提示：原材料价格波动；行业竞争进一步加剧风险；政策效果不及预期。