事件：2023 年12 月13 日晶盛机电在SEMICON JAPAN 2023 日本东京半导体展会上展示了8 英寸碳化硅衬底片和8 英寸外延生长设备，8 英寸碳化硅衬底片已实现批量生产。

    　　晶盛实现碳化硅设备自制，掌握核心长晶工艺。晶盛自2017 年开始碳化硅晶体生长设备和工艺的研发，（1）设备：公司坚定电阻法技术路线，并在2020 年建立长晶实验室和中试线，目前长晶和核心加工设备均为自制，设备国产化率达到90%以上。

    　　（2）工艺：碳化硅衬底长晶最难的是温度、气体、压力的控制，工艺的把握决定了良率水平，晶盛光伏单晶炉的优势为软件算法自制，同时蓝宝石长晶也积累了经验，延续应用至碳化硅长晶。

    　　产能兼容6-8 寸，8 寸是未来重点。晶盛规划了25 万片6 寸和5 万片8 寸衬底片产能，设备从长晶、切片、减薄/研磨、抛光、清洗/检测均兼容6-8 寸衬底，伴随良率近期逐渐在提高&摩尔定律的演绎，8 寸会快速替代6 寸，未来8 寸放量后晶盛规划的产能可切换为8 寸生产为主。

    　　衬底片性能优越，与中芯集成等达成合作。目前8 英寸碳化硅衬底片已实现批量生产，可提供500um 和350um 两种厚度的8 英寸衬底片以满足不同客户要求。6 英寸和8 英寸量产晶片的核心位错可以稳定实现TSD＜100 个/ cm2，BPD＜400 个/cm2，达到行业领先水平。最新的研发数据核心位错缺陷得到更进一步的改善，TSD 和BPD 在90%以上面积上趋近0，目标在2024 年从研发推动量产，最终实现“TSDFREE+ near BPD FREE”的目标。主要客户包括中芯集成等。

    　　布局碳化硅外延设备（MOCVD），与衬底片协同。晶盛为国内龙头，2023 年2 月推出6 寸双片式外延设备，同年6 月推出8 寸单片式设备，可兼容6、8 寸生产，解决了腔体设计中的温场均匀性、流场均匀性等，外延的厚度均匀性1.5%以内、掺杂均匀性4%以内。下游外延片厂商为晶盛衬底片+外延设备客户，形成协同。

    　　盈利预测与投资评级：光伏设备是晶盛机电成长的第一曲线，第二曲线是光伏耗材和半导体耗材的放量，第三曲线是碳化硅设备+材料和半导体设备的放量。我们维持公司2023-2025 年归母净利润为47/58/70 亿元，对应PE 为11/9/8 倍，维持“买入”评级。

    　　风险提示：下游扩产低于预期，新品拓展不及预期。