投资要点

    　　SiC 碳化硅衬底：25 万片6 寸+5 万片8 寸碳化硅衬底项目启动，第三成长曲线打开1）事件：30 万片SiC 项目签约上虞。11 月4 日，公司举行“年产25 万片6 英寸、5 万片8 英寸碳化硅衬底片项目”签约暨启动仪式，旨在加快半导体材料端的关键核心技术攻关，实现国产化替代，这一举措标志着公司在半导体材料领域的技术实力和市场竞争力将进一步提升。

    　　2）回顾历史：公司在SiC 材料+设备领域布局深厚。公司自2017 年开始碳化硅晶体生长设备和工艺的研发，相继成功开发6 英寸、8 英寸碳化硅晶体和衬底片，是国内为数不多能供应8 英寸衬底片的企业。目前，公司已建设了6-8 英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光中试线，6 英寸衬底片已通过多家下游企业验证，正处于快速上量阶段，8 英寸衬底片处于小批量试制阶段。

    　　3）展望未来：此次签约项目总投资21.2 亿元，将形成年产25 万片6 英寸、5万片8 英寸碳化硅衬底产能，建成后公司将利用自身的技术和资源优势，加快碳化硅衬底片的关键核心技术攻关和产业化，加速推进碳化硅材料国产化进程。

    　　泛半导体“设备+材料”龙头，平台型布局空间持续打开1）光伏设备：公司为光伏单晶炉龙头，向光伏超导磁场单晶炉、电池+组件设备、石英坩埚（龙头领先）、金刚线领域延伸，打开光伏业务第二成长曲线。

    　　2）半导体设备：大硅片设备——公司在8-12 英寸晶体生长、切片、研磨、减薄、抛光、CVD 等制造环节已实现全覆盖和销售，基于先进制程开发12 英寸外延、LPCVD 以及ALD 等设备。功率半导体设备——公司单片式、双片式6 英寸碳化硅外延设备批量销售，成功开发具国际先进水平的8 英寸单片式碳化硅外延生长设备，大幅降低下游生产成本。

    　　3）碳化硅：技术端：公司8 英寸N 型碳化硅晶体处于小批量试制阶段。客户端：

    　　公司已与客户A 形成采购意向（公司公告），2022 年-2025 年将优先向其提供碳化硅衬底合计不低于23 万片。产能端：在宁夏银川，公司计划建设年产40 万片6 英寸以上导电+绝缘型碳化硅衬底产能；在浙江上虞，公司25 万片6 寸+5 万片8 寸碳化硅衬底项目已启动。设备端：公司发布 6 英寸双片式碳化硅外延设备，8 英寸设备成功研发、引领行业加速进入8 英寸时代。

    　　4）蓝宝石：公司已生长出全球领先的700Kg 级蓝宝石晶体，将规模量产等级由300Kg 逐步提升至450Kg。推进子公司宁夏鑫晶盛产能提升，强化规模优势。

    　　投资建议：看好公司在光伏、半导体、碳化硅、蓝宝石领域未来业绩接力放量预计公司2023-2025 年归母净利润47.5/58.3/70 亿元，同比增长62%/23%/20%，对应PE 为12/10/8 倍。维持“买入”评级。

    　　风险提示：半导体设备研发进展低于预期；光伏下游扩产不及预期。