本报告导读：

    　　预计5G 将极大拉动GaAs 衬底需求增长，InP 有望受益于光通讯快速放量，公司二代半导体产业链布局较早，放量确定性高，业绩反转在即。

    　　投资要点：

    　　首次覆盖给予增持评级。预计5G时代手机GaAs衬底需求将大幅增长，InP 有望受益于光通讯快速放量，公司两者皆有布局，发力二代半导体，长期拐点可期。预计公司2020-2022 年EPS 分别为每股0.03/0.12/0.23 元，综合PE 及PB 估值方法给予公司目标价13.8 元。对应2020~2022 年PE480/115/60 倍，当前空间38%，首次覆盖增持评级。

    　　5G 时代手机GaAs 衬底需求将快速增长。相较一代半导体二代性能更为优异，相较三代半导体二代成本更占优势，5G 时代以GaAs 为代表的二代半导体材料或最先受益：预计5G 手机PA 数量增加、5G 渗透率提升及VCSEL 应用将大幅拉动GaAs 衬底需求。我们测算2025 年PA 用GaAs衬底需求将约200 万片（折合4 英寸），对应市场空间约200 亿元，5 年CAGR 约17.5%；VCSEL 用GaAs 衬底需求将约75 万片（折合4 英寸），对应市场空间11.2 亿元，5 年CAGR 约9.8%。而目前国内手机用GaAs渗透率（PA 及VCSEL）不足10%，进口替代空间巨大，以云锗为代表的国内相关企业有望率先受益。

    　　InP 有望快速放量，订单确定性较高。InP 电子迁移率高，耐辐射性能好，禁带宽度大，在光通讯领域具备重要应用。公司15 万片单晶项目旨在光通讯，订单确定性高，盈利潜力良好，投产放量在即，有望助力公司业绩长期拐点来临。

    　　催化剂：公司GaAs、InP 快速放量，5G 手机渗透率快速提升风险提示：5G 渗透不及预期的风险