事件:公司发布了2023 年年度报告、2024 年一季度报告,2023 年全年公司营收220.79 亿元,同比+50.32%;归母净利润38.99 亿元,同比+65.73%;扣非净利润35.81 亿元,同比+70.05%。2024 年Q1 公司营收58.59 亿元,同比+51.36%,环比-21.78%;归母净利润11.27 亿元,同比+90.40%,环比+11.01%;扣非净利润10.72 亿元,同比+100.91%,环比+13.94%。
业绩整体高速增长,规模效应逐渐显现:2023 年,公司持续增强产品竞争力,合同、订单数量同比大幅增加,同时降本增效成果显著,这使得公司业绩创历史新高。 2023 年公司毛利率为41.10%,同比-2.73pcts;净利率为18.26%,同比+0.96pct,毛利率下降主因系公司产品销售结构发生变化,高毛利率产品销售收入占比下降。费用方面,2023 年公司销售/管理/研发/财务费用率分别为4.91%/7.94%/11.21%/-0.08% , 同比变动分别为-0.55/-1.74/-1.35/+0.49pcts,管理及研发费用率下降主因系公司降本增效成果显著,管理及研发费用的增速远小于营收的增速。24 年Q1,公司持续聚焦主营业务,精研客户需求,精准开拓市场份额,规模效应逐渐显现,公司业绩整体同比高速增长。24 年Q1,公司毛利率为43.40%,同比+2.22pcts,环比-0.17pct;净利率为19.09%,同比+3.20pct,环比+4.96pcts,盈利能力整体逐渐提升。
产品矩阵持续丰富,多产品出货表现较佳:2023 年,公司电子工艺装备收入占比持续增加,多款设备出货量表现良好。刻蚀设备,多晶硅及金属刻蚀系列ICP 设备实现规模化应用,完成了浅沟槽隔离刻蚀、栅极掩膜刻蚀等多道核心工艺开发和验证,助力国内主流客户技术通线,已实现多个客户端大批量量产并成为基线设备,截至2023 年底,公司ICP 刻蚀设备已累计出货超3200 腔。薄膜沉积设备, 1)PVD,公司设备实现了对逻辑芯片和存储芯片金属化制程的全覆盖,已在功率半导体、三维集成和先进封装、新型显示、化合物半导体等多个领域量产应用,截至2023 年底,公司已推出40 余款PVD设备,累计出货超3500 腔;2)CVD,公司设备已实现金属硅化物、金属栅极、钨塞沉积、高介电常数原子层沉积等工艺设备的全方位覆盖,关键技术指标均达到业界领先水平,截至2023 年底,北方华创已实现30 余款CVD产品量产应用,累计出货超1000 腔。立式炉,公司突破并掌握了气流场/温度场控制、反应源精密输送、硅片表面热场设计等关键技术,实现了立式炉 系列化设备在逻辑和存储工艺制程应用的全面覆盖,截至2023 年底,公司立式炉累计出货超700 台。清洗设备,公司经过多年的技术积累,先后突破了多项关键模块设计技术和清洗工艺技术,公司设备实现了槽式工艺全覆盖,同时高端单片工艺实现突破,截至2023 年底,公司清洗设备累计出货超1200台。
国产半导体设备份额提升,有望受益下游投资扩产:据SEMI 数据,2023 年,全球半导体设备市场规模为1062.5 亿美元,同比下降1.3%,中国大陆半导体设备市场规模为366 亿美元,同比增长29.5%。SEMI 预计,半导体制造设备将在2024 年恢复增长,在前端和后端市场的推动下,2025 年的销售额预计将达到1240 亿美元的新高。此外,受美国管制影响,国内加速提升半导体自产率,国内存储制造厂将加大资本开支以扩充产能。据DigiTimes 报道,长鑫存储在合肥的新工厂已经开始量产采用18.5nm 工艺的DRAM 芯片,第一期生产线已经接近满负荷运转,初始的月产能已达到10 万片晶圆;长鑫存储二期厂区也在持续建设中,并将逐步导入国产设备并落地,以加速设备的国产化率提升,引进国产机台后,生产良率也顺利提升,到2024 年底,合肥二期厂区产能可能提升至4 万片/月,届时长鑫将有机会在全球DRAM 产能站上10%市占率。同时,国内存储产线扩产有望带动公司订单较快增长。
公司新建的半导体装备台马基地已建成投入使用,可以匹配产能增长的需求。
上调盈利预测,上调至“买入”评级:公司作为国内半导体设备行业龙头公司,产品矩阵持续丰富,并在多个细分领域进展突破顺利,有望持续受益于国产替代逻辑、以及下游国内晶圆厂扩产带来的半导体设备采购需求增加,公司24 年新签订单有望延续高增趋势。结合公司业绩表现,公司在手订单饱满,故上调盈利预测。考虑到目前公司整体业绩增长持续强劲,故上调至买入评级。预计公司2024-2026 年归母净利润为55.98/77.65/102.70 亿元,对应EPS 为10.54/14.62/19.34 元,对应PE 为29/21/16 倍。
风险提示:下游产能扩充不及预期;行业景气度复苏不及预期;技术迭代不及预期;市场竞争加剧风险。