事件点评

    　　2024 年9 年20 日，通富通科（南通）微电子有限公司Memory 二期项目首台设备入驻仪式成功举行；子公司通富通达先进封测基地项目在南通市举行开工仪式。

    　　通富通科（南通）Memory 二期项目首台设备入驻，存储器封测基地建设取得阶段性成果。通富通科Memory 二期项目新增净化车间面积达到8000 平米，引进国际最先进的封测工艺和设备，投入使用后可提供每月15 万片晶圆生产的能力，有望在技术层面形成存储器封测领先水平。截止目前，通富通科项目累计投资约30 亿元，累计产值达10 亿元。同时，新增1.6 亿元设备投资，主要是嵌入式FCCSP、uPOP 等高端产品量产所需的关键设备，能够更好地满足手机、固态硬盘、服务器等领域对存储器高端产品的国产化需求。根据CFM 数据，在存储原厂调整产能、控制供应、强势提价三大举措，以及科技企业的人工智能（AI）投资竞赛下，带动2024 年全球存储市场规模涨幅将达64%至1,488 亿美元。其中，NAND Flash 市场规模有望增长70.6%至680 亿美元；DRAM 市场规模有望增长58.1%至808 亿美元。根据CFM 数据，由于智能手机容量增长，2024 年手机应用消耗的NANDFlash 产能将占比37%；而PC 应用由于主要客户库存水位高，AI PC 尚无法带来实质性销量增长，预计今年PC 应用消耗的NAND Flash 产能与去年基本持平；企业级应用方面，随着互联网厂商积极投入AI 竞备建设以及企业级服务器今年迎来换机潮，需求表现相对亮眼，预计今年消耗NAND Flash 产能约17%；2024 年，服务器、PC、手机约消耗NAND Flash 产能的80%。

    　　通富通达先进封测基地开工，聚焦层堆叠/倒装/圆片级/面板级封装等先进封装。据根据未来半导体《2024 中国先进封装第三方市场调研报告》显示，通富通达先进封测基地项目，建设主体为通富通达（南通）微电子有限公司，成立于2023 年3月，该项目总投资75 亿元，其中设备投资30 亿元，拟新建研发、生产、办公及配套用房，规划建设汽车电子、5G、高性能计算等封测产线，项目全部达产后，预计年产集成电路先进封装产品211200 万块，年销售额不低于57 亿元（其中前期投资12 亿，预计2026 年7 月竣工，总建筑面积约6.6 万平方米）。通富通达先进封测基地项目建成后将主要涉足通讯、存储器、算力等应用领域，重点聚焦于多层堆叠、倒装、圆片级、面板级封装等国家重点鼓励和支持的集成电路封装产品。

    　　在先进封装布局方面，公司面向高端处理器等产品领域持续投入，进一步加大研发力度，布局更高品质、更高性能、更先进的封装平台，全方位配合海内外客户的发展需求，拓展先进封装产业版图，为新一轮的需求及业务增长夯实基础，带动公司在先进封装产品领域的业绩成长。2024 年上半年，公司对大尺寸多芯片Chiplet封装技术升级，针对大尺寸多芯片Chiplet 封装特点，新开发了Corner fill、CPB等工艺，增强对chip 的保护，芯片可靠性得到进一步提升。公司启动基于玻璃芯基板和玻璃转接板的FCBGA 芯片封装技术，开发面向光电通信、消费电子、人工智能等领域对高性能芯片的需求。此项技术有助于推动高互联密度、优良高频电学特性、高可靠性芯片封装技术的发展，目前已完成初步验证。Power 方面，公司上半年完成了Easy3B 模块的研发，开始进入小批量量产，国内首家采用Cu 底板灌胶模块，应用于太阳能逆变器，相对于市场传统的Easy1B、2B 模块，能更有效的降低系统的热阻及功耗。2024 年上半年，公司16 层芯片堆叠封装产品大批量出货，合格率居业内领先水平；国内首家WB 分腔屏蔽技术、Plasma dicing 技术进入量产阶段。

    　　投资建议：我们维持原有业绩预期。预计2024 年至2026 年营业收入分别为252.80/292.31/345.60 亿元，增速分别为13.5%/15.6%/18.2%；归母净利润分别为9.57/12.05/16.13 亿元， 增速分别为465.0%/25.9%/33.8% ； PE 分别为28.9/23.0/17.2。考虑到通富微电在xPU 领域产品技术积累，且公司持续推进5nm、4nm、3nm 新品研发，凭借FCBGA、Chiplet 等先进封装技术优势，不断强化与AMD 等客户深度合作，叠加AI/大模型在手机/PC/汽车等多领域渗透有望带动先进封装需求提升。维持“买入-A”评级。

    　　风险提示：行业与市场波动风险；国际贸易摩擦风险；人工智能发展不及预期；新技术、新工艺、新产品、新项目无法如期产业化风险；主要原材料供应及价格变动风险；资产折旧预期偏差风险；依赖大客户风险。