摩根士丹利指出，由于近年来DRAM厂新增产能有限，叠加HBM消耗大量产能，DRAM正迎来前所未有的供需失衡“超级周期”，明年标准型DRAM供应缺口高达23%，将比HBM更缺，为近年罕见，价格将一路上涨。大摩调升今年第三季DRAM和NAND芯片价格涨幅预估，由原预期8%和10%，上调至13%和20%，调升幅度高达六成以上。
人工智能需求推动，叠加过去两年资本支出不足，内存市场正迎来前所未有的“超级周期”。
山西证券 表示，价格上涨趋势明确，存储进入新一轮上行周期，把握行业周期反转机会。未来随着存储价格持续涨价带来的营业利润率改善，存储龙头厂商有望迎来业绩与估值的戴维斯双击，行业存在较大的反弹空间。银河证券研报指出，存储芯片赛道属于高成长强周期行业，当下时点是存储芯片赛道下一轮周期的新起点。在AI、国产化、需求复苏叠加数字经济对存力的需求不断抬升的背景下，看好存储产业链的投资机遇。
出处：财联社
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