前两天的上海外宣发布会上，在提到集成电路时表示，上海的企业已实现14纳米先进工艺规模量产，同时提到90nm光刻机实现突破。
这一消息咋一看很是让人费解，在为14nm芯片实现规模量产振奋的同时，大家不免疑惑，国产90nm光刻机真的能用于14nm芯片的量产吗？
从理论角度出发，并非90nm光刻机只能用于生产90nm及以上制程的芯片，若经过多次曝光，制程是可以缩短的，比如90nm光刻机经两次曝光、三次曝光之后，得到的芯片是45nm和22nm。
因此理论角度上，90nm光刻机生产14nm芯片可行，多次曝光即可，极限是7nm制程。
当然多次曝光并非最优选择，曝光次数越多，那么良品率越低，同时成本也会随着曝光次数的增多而陡增。若想获得更短制程的芯片，无限曝光是不可行的，终归还是要依赖更先进的EUV光刻机。
但是在“卡脖子”的大背景，显然想要从荷兰ASML公司进口EUV光刻机是不可能的，既然宣布实现了14nm芯片的规模量产，途径可能是以下两种之一：
一是多次曝光技术上实现了突破：
通过多次曝光来生产短制程芯片并非不可行，强有力的证据就是当年ASML公司还尚未推出EUV光刻机的时候，台积电就利用DUV光刻机多次曝光实现了14nm芯片的量产。
如果中芯国际复刻台积电多次曝光技术，同时加以优化，那么14nm制程规模量产并非天方夜谭。
另外，虽然对外宣称的是90nm光刻机“实现突破”，但结合以往的信息，90nm可能有点保守和低调了，事实上早前上海微电就曾透露28nm光刻机即将进入量产阶段，只差验收合格这临门一脚。
若部分28nm光刻机真的交付了，那么技术优化后的多次曝光技术就完全可行了，理论上只要曝光两次就可以得到14nm芯片，良品率可以保证，同时成本也能得到控制。
通过最先进的28nm光刻机，以两次曝光来实现14nm制程芯片的量产，这可能是中芯国际走的一条路线。
二是依附于从ASML公司进口的光刻机：
只宣布14nm芯片实现了规模量产，却没有说明依附的是国产还是进口光刻机，这给大家留下了足够想象的空间。
结合去年3月份的消息，中芯国际曾披露过一份购买协议，买方是中芯国际，卖方是荷兰ASML公司，此次购买的总价高达12.02亿美元。
虽然中芯国际未公布订单包含的产品或机器型号，只披露是深紫外线光刻技术，但当时上海微电就已经掌握了90nm光刻机，同时在28nm光刻机上有较大突破，所以这批采买的DUV光刻机大概率是28nm。
今年的第一季度，ASML公司向中芯国际交付了23台DUV，在此基础上中芯实现14nm芯片的量产并非难事。
用进口DUV光刻机实现14nm芯片的规模量产，这可能是中芯国际走的另一条路线。
实际上翻阅以往的信息，早在2019年的时候，中芯国际就曾宣布14nm芯片实现了“风险量产”。
3年时间过去了，无论是依附于国产90nm、28nm国产光刻机，通过多次曝光的技术优化实现14nm工艺规模量产，或是依赖进口DUV光刻机实现量产，都算是取得了重大性突破，可喜可贺。
有人可能对中芯国际实现14nm规模量产嗤之以鼻，毕竟国外最先进工艺能触及7nm、5nm，认为14nm无用武之地。
实际上述认识是完全错误的，站在芯片需求市场的角度上，14nm完全“够用”，这一点可以从不同制程芯片的市场需求量上加以印证：
掌握14nm先进工艺，对中芯国际来说意味着什么？
全球角度上来讲，10nm以下是非常尖端的技术，目前能掌握这一工艺的只有英特尔、三星和台积电；
对于绝大部分制造商而言，28nm制程就已经属于较为先进的工艺了，且这一赛道上的竞争十分激烈，大有产能过剩的意思。也就是说在中芯国际掌握14nm工艺规模量产之前，其28nm制程在市场上的竞争是很激烈的，毕竟我们能生产，别人也能生产。
但是回过头来看14nm工艺，掌握的企业很少，此前只有英特尔、台积电、三星、格罗方得、联电等少数几家厂商掌握，中芯国际是继他们之后本土唯一掌握这一工艺的厂商，在满足国内市场所需之外，也能在国际芯片市场上分一杯羹，这就是14nm量产的意义所在。
根据2019年上半年的数据，14nm制程工艺芯片的市场所需占65%，规模约1300亿美元，剩下的35%才是7nm、10nm、12nm。随着14nm量产，我们现在完全可以在主流市场上竞争。
综上来说，中芯国际实现14nm工艺规模量产，究竟靠的是国产90nm、28nm国产光刻机，还是靠从ASML进口的DUV光刻机，其实意义不是很大，关键在于接下来可以推动芯片国产替代率，同时抢占主流市场的份额，这才是最重要的。
当然我们不会止步于14nm工艺就此满足，接下来一定还会朝着12nm、10nm、5nm去努力，“越打压，越突破”！