华为在5G等技术方面领先后，美就从2019年开始修改芯片等规则，结果先后导致高通、联发科、三星以及台积电等企业不能自由出货。
可以说，芯片等规则被修改后，已经给全球芯片行业带来的巨大的变动，华为等很多企业全面进入芯片半导体领域内，不仅自研芯片，还欲实现芯片自主生产制造。
即便是欧盟等，也拿出了430亿欧元支持当地芯片产业发展，目的也很简单。
但没有想到的是，近来断供和暂停出货的事情却频繁发生，主要就是针对俄市场，先是英特尔、高通、三星、ARM等厂商暂停对俄出货，随后是ASML等厂商。
都知道，在芯片等技术方面，俄本来就依赖进口，其在芯片等方面的制造能力本身就不足，由于芯片企业断供或者暂停出货，给当地市场已经带来了影响。
在这样的情况，消息称，俄方面已经正式做出决定，先从光刻机下手，因为其生产制造芯片必要设备，而俄技术学院已经开始计划研发先进的X射线光刻机。
近日，俄再次传来新消息，这次就芯片正式出手了。
据悉，俄预计在今年年底实现90nm芯片的自主研发，预计在2030年实现28nm芯片的自主研发。
可以说，其正式进行芯片自主研发制造，还计划在8年内突破28nm等制程的芯片。
这也恰恰证明中芯国际的做法是对的，因为自主研发制造更多芯片基本上已经认为共识了。
首先，中芯国际是国内芯片制造技术最先进的厂商，全球缺芯后，中芯国际也是最早对28nm等芯片进行扩产的厂商，接连三次扩产投资，总计超1000亿元。
中芯国际扩大28nm等芯片的产能后，台积电、联电、格芯等纷纷就28nm芯片产能进行扩大。
如今，俄也正式进入芯片领域内，要实现芯片自主研发制造，8年内进步到28nm制程，这相当于证明了中芯国际扩大28nm等是对的，该工艺仍有很大的市场需求。
其次，中芯国际一直都在发展先进制程的芯片制造技术，仅用3年时间就完成 28nm到7nm的跨越。尽管如此，中芯国际依旧在28nm等芯片下大功夫。
据悉，中芯国际不断提升28nm等芯片的良品率，中芯国际的话说就是，28nm等芯片的良品率已经敢同国际大厂相比较。
另外，中芯国际还不断降低28nm等芯片的风险，简答说就是更多地使用国产设备、原材料等进行28nm等芯片的生产制造，以防万一。
最后，中芯国际仍继续发展先进制程的芯片制造技术。
虽然28nm\14nm等芯片已经能够满足绝大多数设备对芯片的需求，甚至都能够达到八成以上，但中芯国际仍在发展更先进的芯片制造技术。
例如，梁孟松已经正式对外表示，7nm芯片的研发任务已经完成，5nm芯片最艰难的多项工作也已经展开，EUV光刻机到货后就能全面展开5nm芯片的研发工作。
另外，中芯国际还自主研发了N+1、N+2等工艺的芯片，其中，N+1工艺的芯片已经实现了小规模生产制造，而N+2工艺的芯片也在有序推进中。
根据中芯国际发布的消息可知，这两款芯片类似台积电7nm芯片，分别主打低功耗和高性能。并计划今年拿出50亿美元，主要用于产能的提升和先进制程芯片的研发等。
也正是因为如此，才说出手了，俄再次传来新消息！中芯国际的做法是对的。对此，你们怎么看，欢迎留言、点赞、分享。