普冉股份申请低压存储单元读出锁存电路专利

　　据国家知识产权局公告，普冉半导体(上海)股份有限公司申请一项名为“低压存储单元读出锁存电路“，公开号CN117558309A，申请日期为2023年11月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种存储单元读出锁存电路，使用在栅源电压小于0.1V时在源漏之间形成有导电沟道的native管作为差分比较锁存器的状态锁存管。在锁存数据时，由于第一native管、第二native管栅源电压很低时的源漏之间均能形成有导电沟道，所以工作电压只要不低于0.9V便能保证存储单元读出锁存电路正常工作。