宏微科技取得电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构专利，IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大减小

　　2024年3月25日消息，据国家知识产权局公告，江苏宏微科技股份有限公司取得一项名为“一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构“，授权公告号CN107942615B，申请日期为2017年12月。

　　专利摘要显示，本发明属于电动汽车晶体管技术领域，尤其涉及一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构。其包括IGBT或MOSFET版，所述IGBT或MOSFET版上间隔设置若干列沟槽，所述同一列沟槽重复断开，所述同一列沟槽断开间距0.6um，所述同一列沟槽断开间距的中间设置发射极接触孔，所述发射极接触孔与相邻所述沟槽之间的间距0.2um，相邻两列所述沟槽错位设置并横向连接，相邻两列所述沟槽之间的间距为0.2um。本发明通过沟槽以及发射极接触孔的版图设计使得元胞尺寸缩小，沟道密度增加，从而电流密度大大提高，IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大减小，从而成本降低，同时整个设计的余量也会更加充分。