来源 :证券市场周刊2024-04-15
2024年04月12日，锴威特（688693.SH）发布2023年年度报告，公司实现营业收入2.14亿元，归母净利润为1779万元。报告期内，公司财务结构持续优化，资产负债率为4.13%，同比下降19.37个百分点。公司拟向全体股东每10股派1.7元（含税）。
锴威特业务聚焦“功率IC+功率器件”双轮驱动的发展路线，掌握了功率半导体芯片的前端设计技术，自主搭建了多个功率半导体细分产品的技术平台。在高可靠性、工业控制和消费电子三大领域，拥有700余款产品，形成了丰富的产品系列，部分产品已实现国产化发展和自主可控。报告期内，公司功率器件、功率IC、技术服务分别实现营业收入1.21亿元、5231.06万元、2244.12万元。
自主创新+双轮驱动
SiC功率器件取得阶段性进展
根据Yole的数据，伴随工业自动化、通信技术、光伏、新能源车等渗透率不断提升，功率器件将维持长期增长，预计到2026年全球功率市场将达到262.74 亿美元。但长期以来，全球功率器件市场主要由国际厂商占据，尤其超高压平面MOSFET的国产化率约为18.2%。
公司功率器件产品以MOSFET为主，通过自主创新和技术沉淀，公司积累了“高可靠性元胞结构”“新型复合终端结构及实现工艺技术”等多项核心技术，其中3项达到国际先进水平，可与国际领先厂商比肩。目前，公司的功率器件产品拥有近500款不同规格的产品，实现了平面MOSFET产品40—1500V的电压段覆盖，已形成低压、中压、高压全系列功率MOSFET产品系列，并在平面MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET（FRMOS）系列产品。尤其在工业控制领域，公司持续深挖工业储能、光伏逆变、新能源汽车及充电桩、工业电源等细分应用领域的产品需求，推动了功率器件行业国产替代进程。
公司高度重视推动产品的技术高效升级，深度拓展前沿技术的应用，为下一步产品多样化设计、降本增效、提升产品盈利能力打下基础。公司深度布局第三代功率半导体SiC MOSFET，积累了多项具有原创性和先进性的核心技术，其中3项达到国际先进水平，1项达到国内领先水平，是国内为数不多的具备650V—1700V SiC MOSFET产品设计能力的企业之一，并实现了SiC MOSFET稳定的性能和优良的良率控制。报告期内，公司与国内晶圆代工厂合作开发了1200V、1700V SiC MOSFET的生产工艺平台，其中1200V SiC MOSFET工艺平台已成功进入中试阶段。
在功率IC方面，公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC，已形成百余款功率IC产品，并完成了多款功率IC所需的IP设计与验证。公司差异化功率IC产品主要在高可靠领域。在该领域，产品需要满足较高的可靠性、精度及其他要求，公司部分产品指标已达到国外竞品同等水平，并在其细分产品领域逐步实现国产化替代。凭借丰富的产品矩阵与及时迅速的服务能力，锴威特已与超过400家客户进行合作，客户群覆盖国内高可靠领域电源龙头企业及国家重点科研院所，并获得众多高可靠领域客户的高度认可。
在芯片产业国产替代的大背景下，坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，进一步实现对各种细分品类功率器件芯片的覆盖，并进一步促进功率IC和第三代半导体功率器件的产品系列化。随着产品系列的不断丰富，公司不断积累优质客户，在国产替代的大背景下，下游客户自主可控意识增强，尤其是用于工业控制领域的高性能产品及用于高可靠领域的产品，国产化替代空间广阔。
加大创新投入强化核心价值
研发费用同比增长58.55%
为维持技术优势和保持产品竞争力，公司加大对产品及核心技术的研发投入，不断完善人才培养体系。报告期内，公司研发人员人数从年初的40人增至年末的65人，同时设立南京分公司作为新的研发基地，依托周边高校资源，配合总部研发中心承担研发项目。2023年公司研发费用总额为3602万元，同比增长58.55%，研发收入比为16.85%，同比上升7.20个百分点。
截至2023年底，公司已获授权专利88项（其中发明专利47项、实用新型专利41项）和76项集成电路布图设计专有权。报告期内，针对高可靠、新能源、储能、智能电网等重点应用领域进行产品研发，公司新立项研发项目37个，在研项目合计达89个。
未来，公司还将进一步实现对各种细分品类功率器件芯片的覆盖，促进功率IC和第三代半导体功率器件的产品系列化。在功率器件方面，公司持续优化平面MOSFET、FRMOS等6英寸生产线的产品结构和应用领域，加强在超高压电压段的产品布局；完善沟槽型MOSFET、超结MOSFET的产品系列，并对新能源汽车用的高压大电流的超结MOSFET的芯片封装技术展开布局研究，提高该类产品的成品率及可靠性。在第三代半导体功率器件方面，公司加大SiC产品的研发投入并且积极进行客户开拓，针对新能源汽车电源使用的1200V SiC MOSFET与围绕工业控制、智能电网、储能等领域使用的1700V—2500V SiC MOSFET进行系列化开发，推动我国在高可靠领域基础元器件自主可控进程的发展。