chaguwang.cn-查股网.中国
查股网.CN
锴威特(688693)内幕信息消息披露
 
个股最新内幕信息查询:    
 

锴威特:“功率IC+功率器件”双轮驱动 SiC功率器件取得阶段性进展

http://www.chaguwang.cn  2024-04-15  锴威特内幕信息

来源 :证券市场周刊2024-04-15

  2024年04月12日,锴威特(688693.SH)发布2023年年度报告,公司实现营业收入2.14亿元,归母净利润为1779万元。报告期内,公司财务结构持续优化,资产负债率为4.13%,同比下降19.37个百分点。公司拟向全体股东每10股派1.7元(含税)。

  锴威特业务聚焦“功率IC+功率器件”双轮驱动的发展路线,掌握了功率半导体芯片的前端设计技术,自主搭建了多个功率半导体细分产品的技术平台。在高可靠性、工业控制和消费电子三大领域,拥有700余款产品,形成了丰富的产品系列,部分产品已实现国产化发展和自主可控。报告期内,公司功率器件、功率IC、技术服务分别实现营业收入1.21亿元、5231.06万元、2244.12万元。

  自主创新+双轮驱动

  SiC功率器件取得阶段性进展

  根据Yole的数据,伴随工业自动化、通信技术、光伏、新能源车等渗透率不断提升,功率器件将维持长期增长,预计到2026年全球功率市场将达到262.74 亿美元。但长期以来,全球功率器件市场主要由国际厂商占据,尤其超高压平面MOSFET的国产化率约为18.2%。

  公司功率器件产品以MOSFET为主,通过自主创新和技术沉淀,公司积累了“高可靠性元胞结构”“新型复合终端结构及实现工艺技术”等多项核心技术,其中3项达到国际先进水平,可与国际领先厂商比肩。目前,公司的功率器件产品拥有近500款不同规格的产品,实现了平面MOSFET产品40—1500V的电压段覆盖,已形成低压、中压、高压全系列功率MOSFET产品系列,并在平面MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET(FRMOS)系列产品。尤其在工业控制领域,公司持续深挖工业储能、光伏逆变、新能源汽车及充电桩、工业电源等细分应用领域的产品需求,推动了功率器件行业国产替代进程。

  公司高度重视推动产品的技术高效升级,深度拓展前沿技术的应用,为下一步产品多样化设计、降本增效、提升产品盈利能力打下基础。公司深度布局第三代功率半导体SiC MOSFET,积累了多项具有原创性和先进性的核心技术,其中3项达到国际先进水平,1项达到国内领先水平,是国内为数不多的具备650V—1700V SiC MOSFET产品设计能力的企业之一,并实现了SiC MOSFET稳定的性能和优良的良率控制。报告期内,公司与国内晶圆代工厂合作开发了1200V、1700V SiC MOSFET的生产工艺平台,其中1200V SiC MOSFET工艺平台已成功进入中试阶段。

  在功率IC方面,公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC,已形成百余款功率IC产品,并完成了多款功率IC所需的IP设计与验证。公司差异化功率IC产品主要在高可靠领域。在该领域,产品需要满足较高的可靠性、精度及其他要求,公司部分产品指标已达到国外竞品同等水平,并在其细分产品领域逐步实现国产化替代。凭借丰富的产品矩阵与及时迅速的服务能力,锴威特已与超过400家客户进行合作,客户群覆盖国内高可靠领域电源龙头企业及国家重点科研院所,并获得众多高可靠领域客户的高度认可。

  在芯片产业国产替代的大背景下,坚持“自主创芯,助力核心芯片国产化”的发展定位,进一步实现对各种细分品类功率器件芯片的覆盖,并进一步促进功率IC和第三代半导体功率器件的产品系列化。随着产品系列的不断丰富,公司不断积累优质客户,在国产替代的大背景下,下游客户自主可控意识增强,尤其是用于工业控制领域的高性能产品及用于高可靠领域的产品,国产化替代空间广阔。

  加大创新投入强化核心价值

  研发费用同比增长58.55%

  为维持技术优势和保持产品竞争力,公司加大对产品及核心技术的研发投入,不断完善人才培养体系。报告期内,公司研发人员人数从年初的40人增至年末的65人,同时设立南京分公司作为新的研发基地,依托周边高校资源,配合总部研发中心承担研发项目。2023年公司研发费用总额为3602万元,同比增长58.55%,研发收入比为16.85%,同比上升7.20个百分点。

  截至2023年底,公司已获授权专利88项(其中发明专利47项、实用新型专利41项)和76项集成电路布图设计专有权。报告期内,针对高可靠、新能源、储能、智能电网等重点应用领域进行产品研发,公司新立项研发项目37个,在研项目合计达89个。

  未来,公司还将进一步实现对各种细分品类功率器件芯片的覆盖,促进功率IC和第三代半导体功率器件的产品系列化。在功率器件方面,公司持续优化平面MOSFET、FRMOS等6英寸生产线的产品结构和应用领域,加强在超高压电压段的产品布局;完善沟槽型MOSFET、超结MOSFET的产品系列,并对新能源汽车用的高压大电流的超结MOSFET的芯片封装技术展开布局研究,提高该类产品的成品率及可靠性。在第三代半导体功率器件方面,公司加大SiC产品的研发投入并且积极进行客户开拓,针对新能源汽车电源使用的1200V SiC MOSFET与围绕工业控制、智能电网、储能等领域使用的1700V—2500V SiC MOSFET进行系列化开发,推动我国在高可靠领域基础元器件自主可控进程的发展。

有问题请联系 767871486@qq.com 商务合作广告联系 QQ:767871486
www.chaguwang.cn 查股网