基于比Si基IGBT更显著的性能优势，近年来SiC得到越来越多车企的选配并搭载上车，据不完全统计，截至今年上半年，已有超过40款车型搭载SiC器件，今年1-6月相关车型全球销量超120万辆。
事实上，120万辆只是开始，SiC上车正在提速，受益电压平台从400V提升到800V甚至更高的换挡期，主逆变器采用SiC已势不可挡，集微咨询（JW Insights）预计，到2026年，全球新能源汽车SiC功率半导体市场规模将接近280亿元，渗透率超过30%。
SiC发展前景毋庸置疑，正带动国内相关产业链企业加速布局，近段时间以来，扩产能、抢产能、并购风潮正起。基于自主可控需求，国内实力企业也对SiC加码投入力度，苏州锴威特半导体股份有限公司（下称“锴威特”）也是其中之一。
SiC上车提速进行时
相比Si基IGBT，SiC材料的电子饱和漂移速率是Si的2~3倍，禁带宽度、热导率约是Si的3倍，同时可实现10倍于硅基功率器件的工作频率，在能量损耗、封装尺寸方面都较IGBT更具优势，是下一代新能源汽车电机驱动控制系统的理想器件，能进一步提高新能源汽车的续航里程、百公里加速能力和最高时速。
不过，SiC的应用仍处于起步阶段，目前无论是技术还是产能，都在持续完善之中，大规模量产仍有待进一步释放，导致SiC的使用成本要远高于Si基IGBT，目前能够接受SiC高成本的应用领域极少，新能源汽车已成为其最大应用市场，也是拉动SiC发展的主要驱动力。
根据Clean Technica网站数据,今年上半年全球新能源汽车销量达到583.19万辆,同比增长40.2%；渗透率达到15%；另据中汽协数据，上半年国内新能源汽车销量为374.7万辆，同比增长44.1%，占全球比重超64%。
其中，SiC车型覆盖特斯拉Model 3/Y、比亚迪汉EV、蔚来ES8、理想L9、极氪009、小鹏G9、smart精灵#1、丰田bz4X等热门车型，据Clean Technica统计数据，今年1-5月SiC车型销量超100万辆，结合6月全球主力SiC车型销量，上半年SiC车型销量超120万辆。
除了以上车型，据不完全统计，计划于下半年上市的SiC车型超过19款，其中包括现代起亚EV6 GT、比亚迪仰望U8、小鹏汽车G6、Lucid Air Sapphire、广汽埃安Hyper SSR、一汽红旗E001、上汽智己LS6、极氪CS1E、阿维塔12、富士康Model B和Model V、合创V09、问界M9等高关注度车型；而到明年，奔驰、奥迪、雷诺-日产等知名品牌也将向市场投放SiC车型。
显然，SiC上车已进入提速期。特别是在800V平台加速推动下，主逆变器采用SiC已势不可挡。
受此利好，SiC市场规模正在加速扩大。集微咨询（JW Insights）预计，全球新能源汽车SiC功率半导体市场规模将从2022年的68.1亿元提升至2026年的接近280亿元，届时渗透率将超过30%。不仅如此，在新能源汽车带动下，SiC成本有望快速下降，并将在光伏、工业电源等领域得到广泛应用，集微咨询（JW Insights）预计，SiC在以光伏为代表的新能源领域未来几年将保持高速爆发式增长趋势，预计2026年渗透率达到25%以上，市场规模将超过13.1亿元。
产业链布局正当时
SiC广阔的发展前景，正吸引大批产业链企业参与布局。
今年3月，特斯拉含糊表示将减少75%的SiC用量，一度引发市场担忧，不过很快，市场对SiC的追捧非但没有下降，反而加速提升，SiC供应链也在加速整合，意法半导体、英飞凌、安森美、Wolfspeed和罗姆等SiC器件龙头厂商，均与主要汽车OEM建立了基于设计导入的合作伙伴关系。
同时，为了满足未来市场对SiC的使用需求，行业近期出现了抢产能风潮，天岳先进、天科合达、安森美、Wolfspeed、英飞凌等企业未来产能已被提前锁定。
进一步刺激了产业链加码SiC产能建设，仅今年上半年，就有英飞凌、博世、意法半导体、Wolfspeed、Microchip、Pallidus、三菱电机、罗姆半导体、Soitec、安森美、X-FAB、GlobiTech、Aixtron、Resonac、住友电工、利普思半导体、中科意创、天岳先进、时代电气、南砂晶圆、长飞先进、比亚迪半导等国内外企业针对SiC开展了新一轮扩产布局。
刚刚登陆科创板的锴威特也是其中之一。该公司自成立起就专注功率半导体器件，并坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，已形成功率器件及功率IC两大品类，主要产品包括高压平面MOSFET、集成快恢复高压功率MOSFET、PWM控制IC、栅极驱动IC、SiC功率器件等。
其中，SiC功率器件研发始于2018年下半年，截至目前，锴威特已在器件结构、关键工艺等方面积累了较多的设计研发经验，掌握了“短沟道碳化硅MOSFET器件系列产品沟道控制及其制造技术”等核心技术，实现了SiC MOSFET稳定的性能和优良的良率控制，同时拥有“一种集成肖特基二极管的短沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法”、“碳化硅肖特基二极管的衬底减薄方法和制作方法”、“一种碳化硅结势垒肖特基二极管及其制作方法”等多项专利储备。
产品方面，锴威特SiC功率器件主要包括SiC MOSFET和SiC SBD（肖特基势垒二极管），其中，SiC MOSFET已形成650V、900V、1200V、1700V四个电压规格的产品系列，是国内为数不多的具备650V-1700V SiCMOSFET设计能力的企业之一；SiC SBD已形成650V-1200V电压规格的产品系列。
锴威特SiC相关产品已顺利进入产业化阶段，2020年-2022年，SiC功率器件分别实现收入38.64万元、100.5万元和484.7万元，复合年增速达254.18%。目前锴威特又在进行2600V和3300V电压下产品设计平台的开发。
募资6.65亿元投向未来时
面对新能源汽车、光伏、工业电源等新兴产业需求，锴威特已在加码SiC布局，计划在现有设计及工艺平台基础上，展开产品系列化研发及可靠性改善提升的研究，不断丰富产品系列。近日成功登陆科创板，无疑成为锴威特加速SiC研发创新的新契机。
锴威特原计划IPO募资5.3亿元，实际募资7.52亿元，扣除发行费用后募资净额为6.65亿元，将用于投建智能功率半导体研发升级、SiC功率器件研发升级、功率半导体研发工程中心升级3大项目。
其中，SiC功率器件研发升级项目主要涉及650V-1700V SiC MOSFET、650V-1700V SiC SBD工艺优化、器件升级及SiC功率模块的规模化量产，项目总投资计划为8727.85万元，已于2022年1月取得张家港市行政审批局出具的《江苏省投资项目备案证》，建设期为36个月。
SiC功率器件方面，锴威特一是计划将SiC MOSFET、SiC SBD产品由4英寸工艺平台升级至6英寸工艺平台；二是计划在SiC MOSFET基础上集成SBD器件，开发出650V和1200V的SiC SKMOS。
SiC功率模块方面，包括SiC SKMOS功率模块和集成功率驱动的SiC SKMOS IPM智能功率模块的研发。
功率半导体研发工程中心升级项目方面，锴威特将依托在功率器件、功率IC、IPM及光继电器（Photo MOS）产品研发方面的经验积累，对功率半导体研发工程中心进行升级，包括SiC高温封装应用、基于SiC MOSFET制作光继电器以及数字电源方面的研究。
锴威特计划通过实施该项目，将打造功率半导体器件测试及可靠性考核平台，通过增加相关的检测分析设备投入，持续优化实验环境，提升测试与可靠性分析的能力和效率，进一步保障产品质量、吸引高端人才，实现技术的升级和专业人才的培养。
该项目计划投资1.68亿元，建设期为36个月，同样于2022年1月取得张家港市行政审批局出具的《江苏省投资项目备案证》。