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锴威特(688693)内幕信息消息披露
 
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借势新能源汽车产业东风,锴威特提速SiC创新布局

http://www.chaguwang.cn  2023-09-20  锴威特内幕信息

来源 :爱集微2023-09-20

  基于比Si基IGBT更显著的性能优势,近年来SiC得到越来越多车企的选配并搭载上车,据不完全统计,截至今年上半年,已有超过40款车型搭载SiC器件,今年1-6月相关车型全球销量超120万辆。

  事实上,120万辆只是开始,SiC上车正在提速,受益电压平台从400V提升到800V甚至更高的换挡期,主逆变器采用SiC已势不可挡,集微咨询(JW Insights)预计,到2026年,全球新能源汽车SiC功率半导体市场规模将接近280亿元,渗透率超过30%。

  SiC发展前景毋庸置疑,正带动国内相关产业链企业加速布局,近段时间以来,扩产能、抢产能、并购风潮正起。基于自主可控需求,国内实力企业也对SiC加码投入力度,苏州锴威特半导体股份有限公司(下称“锴威特”)也是其中之一。

  SiC上车提速进行时

  相比Si基IGBT,SiC材料的电子饱和漂移速率是Si的2~3倍,禁带宽度、热导率约是Si的3倍,同时可实现10倍于硅基功率器件的工作频率,在能量损耗、封装尺寸方面都较IGBT更具优势,是下一代新能源汽车电机驱动控制系统的理想器件,能进一步提高新能源汽车的续航里程、百公里加速能力和最高时速。

  不过,SiC的应用仍处于起步阶段,目前无论是技术还是产能,都在持续完善之中,大规模量产仍有待进一步释放,导致SiC的使用成本要远高于Si基IGBT,目前能够接受SiC高成本的应用领域极少,新能源汽车已成为其最大应用市场,也是拉动SiC发展的主要驱动力。

  根据Clean Technica网站数据,今年上半年全球新能源汽车销量达到583.19万辆,同比增长40.2%;渗透率达到15%;另据中汽协数据,上半年国内新能源汽车销量为374.7万辆,同比增长44.1%,占全球比重超64%。

  其中,SiC车型覆盖特斯拉Model 3/Y、比亚迪汉EV、蔚来ES8、理想L9、极氪009、小鹏G9、smart精灵#1、丰田bz4X等热门车型,据Clean Technica统计数据,今年1-5月SiC车型销量超100万辆,结合6月全球主力SiC车型销量,上半年SiC车型销量超120万辆。

  除了以上车型,据不完全统计,计划于下半年上市的SiC车型超过19款,其中包括现代起亚EV6 GT、比亚迪仰望U8、小鹏汽车G6、Lucid Air Sapphire、广汽埃安Hyper SSR、一汽红旗E001、上汽智己LS6、极氪CS1E、阿维塔12、富士康Model B和Model V、合创V09、问界M9等高关注度车型;而到明年,奔驰、奥迪、雷诺-日产等知名品牌也将向市场投放SiC车型。

  显然,SiC上车已进入提速期。特别是在800V平台加速推动下,主逆变器采用SiC已势不可挡。

  受此利好,SiC市场规模正在加速扩大。集微咨询(JW Insights)预计,全球新能源汽车SiC功率半导体市场规模将从2022年的68.1亿元提升至2026年的接近280亿元,届时渗透率将超过30%。不仅如此,在新能源汽车带动下,SiC成本有望快速下降,并将在光伏、工业电源等领域得到广泛应用,集微咨询(JW Insights)预计,SiC在以光伏为代表的新能源领域未来几年将保持高速爆发式增长趋势,预计2026年渗透率达到25%以上,市场规模将超过13.1亿元。

  产业链布局正当时

  SiC广阔的发展前景,正吸引大批产业链企业参与布局。

  今年3月,特斯拉含糊表示将减少75%的SiC用量,一度引发市场担忧,不过很快,市场对SiC的追捧非但没有下降,反而加速提升,SiC供应链也在加速整合,意法半导体、英飞凌、安森美、Wolfspeed和罗姆等SiC器件龙头厂商,均与主要汽车OEM建立了基于设计导入的合作伙伴关系。

  同时,为了满足未来市场对SiC的使用需求,行业近期出现了抢产能风潮,天岳先进、天科合达、安森美、Wolfspeed、英飞凌等企业未来产能已被提前锁定。

  进一步刺激了产业链加码SiC产能建设,仅今年上半年,就有英飞凌、博世、意法半导体、Wolfspeed、Microchip、Pallidus、三菱电机、罗姆半导体、Soitec、安森美、X-FAB、GlobiTech、Aixtron、Resonac、住友电工、利普思半导体、中科意创、天岳先进、时代电气、南砂晶圆、长飞先进、比亚迪半导等国内外企业针对SiC开展了新一轮扩产布局。

  刚刚登陆科创板的锴威特也是其中之一。该公司自成立起就专注功率半导体器件,并坚持“自主创芯,助力核心芯片国产化”的发展定位,已形成功率器件及功率IC两大品类,主要产品包括高压平面MOSFET、集成快恢复高压功率MOSFET、PWM控制IC、栅极驱动IC、SiC功率器件等。

  其中,SiC功率器件研发始于2018年下半年,截至目前,锴威特已在器件结构、关键工艺等方面积累了较多的设计研发经验,掌握了“短沟道碳化硅MOSFET器件系列产品沟道控制及其制造技术”等核心技术,实现了SiC MOSFET稳定的性能和优良的良率控制,同时拥有“一种集成肖特基二极管的短沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法”、“碳化硅肖特基二极管的衬底减薄方法和制作方法”、“一种碳化硅结势垒肖特基二极管及其制作方法”等多项专利储备。

  产品方面,锴威特SiC功率器件主要包括SiC MOSFET和SiC SBD(肖特基势垒二极管),其中,SiC MOSFET已形成650V、900V、1200V、1700V四个电压规格的产品系列,是国内为数不多的具备650V-1700V SiCMOSFET设计能力的企业之一;SiC SBD已形成650V-1200V电压规格的产品系列。

  锴威特SiC相关产品已顺利进入产业化阶段,2020年-2022年,SiC功率器件分别实现收入38.64万元、100.5万元和484.7万元,复合年增速达254.18%。目前锴威特又在进行2600V和3300V电压下产品设计平台的开发。

  募资6.65亿元投向未来时

  面对新能源汽车、光伏、工业电源等新兴产业需求,锴威特已在加码SiC布局,计划在现有设计及工艺平台基础上,展开产品系列化研发及可靠性改善提升的研究,不断丰富产品系列。近日成功登陆科创板,无疑成为锴威特加速SiC研发创新的新契机。

  锴威特原计划IPO募资5.3亿元,实际募资7.52亿元,扣除发行费用后募资净额为6.65亿元,将用于投建智能功率半导体研发升级、SiC功率器件研发升级、功率半导体研发工程中心升级3大项目。

  其中,SiC功率器件研发升级项目主要涉及650V-1700V SiC MOSFET、650V-1700V SiC SBD工艺优化、器件升级及SiC功率模块的规模化量产,项目总投资计划为8727.85万元,已于2022年1月取得张家港市行政审批局出具的《江苏省投资项目备案证》,建设期为36个月。

  SiC功率器件方面,锴威特一是计划将SiC MOSFET、SiC SBD产品由4英寸工艺平台升级至6英寸工艺平台;二是计划在SiC MOSFET基础上集成SBD器件,开发出650V和1200V的SiC SKMOS。

  SiC功率模块方面,包括SiC SKMOS功率模块和集成功率驱动的SiC SKMOS IPM智能功率模块的研发。

  功率半导体研发工程中心升级项目方面,锴威特将依托在功率器件、功率IC、IPM及光继电器(Photo MOS)产品研发方面的经验积累,对功率半导体研发工程中心进行升级,包括SiC高温封装应用、基于SiC MOSFET制作光继电器以及数字电源方面的研究。

  锴威特计划通过实施该项目,将打造功率半导体器件测试及可靠性考核平台,通过增加相关的检测分析设备投入,持续优化实验环境,提升测试与可靠性分析的能力和效率,进一步保障产品质量、吸引高端人才,实现技术的升级和专业人才的培养。

  该项目计划投资1.68亿元,建设期为36个月,同样于2022年1月取得张家港市行政审批局出具的《江苏省投资项目备案证》。

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